Produkte > BUK

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9M31-60ELXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
140+1.67 EUR
179+1.2 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
140+1.67 EUR
179+1.2 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M31-60ELXNexperiaMOSFETs BUK9M31-60EL/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.01 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
1500+0.58 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.67 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperiaMOSFETs BUK9M34-100E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.76 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M34-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.79 EUR
4500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNexperiaMOSFETs BUK9M35-80E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
50+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M35-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNXPN-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M3R3-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15.2A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
50+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperiaMOSFETs BUK9M42-60E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
174+1.34 EUR
196+1.09 EUR
279+0.77 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M42-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
174+1.34 EUR
196+1.09 EUR
279+0.77 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M43-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.034 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M43-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.034 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.56 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.6A; Idm: 99A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 121mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M43-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.034 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M43-100EXNexperiaMOSFETs BUK9M43-100E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 8399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.13 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M48-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.048 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M48-80L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
50+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNexperiaMOSFETs N-channel 80 V, 48 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNexperiaN-channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
745+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 745 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M48-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.048 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M48-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M48-80L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
74+3.15 EUR
100+2.25 EUR
500+1.69 EUR
1500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M4R3-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.83 EUR
50+1.37 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
207+1.13 EUR
235+0.92 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNXP2xN-MOSFET 40V 17.6A5V,10V 31W AUTOMOTIVE BUK9M52-40EX TBUK9m52-40ex
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
207+1.13 EUR
235+0.92 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperiaMOSFETs BUK9M52-40E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
1500+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M52-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
50+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M53-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
231+1.01 EUR
249+0.87 EUR
269+0.8 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
50+0.93 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.69 EUR
320+0.54 EUR
336+0.49 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaMOSFETs BUK9M53-60E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.9 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 69A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M53-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
231+1.01 EUR
249+0.87 EUR
269+0.8 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.56 EUR
336+0.52 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M53-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.037 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M53-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R0-40HXNexperiaMOSFETs BUK9M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.98 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30E115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNXP2xN-MOSFET 30V 70A 5V,10V 79W AUTOMOTIVE BUK9M5R2-30EX TBUK9m5r2-30ex
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNexperiaMOSFETs BUK9M5R2-30E/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 358A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M5R2-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.78 EUR
166+1.04 EUR
182+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.61 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M60-100LXNexperiaMOSFETs BUK9M60-100L/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.39 EUR
24000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M60-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M60-100LXNexperiaN-channel Logic Level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M60-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M60-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 50.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
191+1.21 EUR
294+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
106+2.19 EUR
171+1.25 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
50+1.51 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M67-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
106+2.19 EUR
171+1.25 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH