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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC0225ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2465+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0225Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 200580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0228Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0228ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2465+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127onsemi / FairchildMOSFETs Computing MOSFET
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.43 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 32742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
15+1.42 EUR
100+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127onsemiMOSFETs Computing MOSFET
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
14+1.59 EUR
100+1.24 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC035N10X1onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06onsemi / FairchildMOSFET UltraFET 55V, 15A
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+3.33 EUR
25+3.14 EUR
100+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2512SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2512SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2514SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 64886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523Ponsemi / FairchildMOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+2.03 EUR
100+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Транзистори
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
105+2.06 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
44+1.95 EUR
48+1.81 EUR
59+1.46 EUR
100+1.33 EUR
250+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.21 EUR
6000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PonsemiMOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
79+2.98 EUR
105+2.06 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610onsemiMOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.34 EUR
10+4.11 EUR
100+2.84 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
auf Bestellung 42540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.57 EUR
100+2.57 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2610onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.44 EUR
100+2.49 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.09 EUR
3000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674ON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
67+3.47 EUR
100+2.49 EUR
500+1.99 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.8 EUR
6000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.93 EUR
100+2.53 EUR
250+2.34 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+1.99 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
auf Bestellung 25839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+3.53 EUR
100+2.84 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2D8N025SON Semiconductor / FairchildMOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
10+2.36 EUR
100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DConsemi / FairchildStandard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+4.36 EUR
25+4.13 EUR
100+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3020DC-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3300NZAONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+2 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3300NZAFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 9169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
349+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.31 EUR
149+1.13 EUR
250+1.09 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612onsemiMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 15393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
891+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 891 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.11 EUR
6000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
131+1.24 EUR
149+1.05 EUR
250+1 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.49 EUR
15000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 8657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
891+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 891 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.19 EUR
25+1.18 EUR
100+0.9 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 8-MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 11336 Stücke:
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891+0.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 891 Stücke
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FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 600 Stücke:
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85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
207+1.04 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612-L701ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 15722 Stücke:
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1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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FDMC3612-L701onsemiMOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
auf Bestellung 607 Stücke:
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2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
14+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1098000 Stücke:
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3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4731 Stücke:
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668+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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668+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 49022 Stücke:
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668+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.52 EUR
113+2.07 EUR
172+1.25 EUR
500+0.93 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.2 EUR
110+1.56 EUR
154+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
113+2.07 EUR
172+1.25 EUR
500+0.93 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 9146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 26946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.83 EUR
9000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.95 EUR
52+1.65 EUR
59+1.45 EUR
85+1.01 EUR
100+0.87 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ
Produktcode: 52237
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