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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MGS903MACOMRF Mixer Schottky Diode,GaAS-Beamlead,GB310
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+52.53 EUR
100+52.44 EUR
250+51.25 EUR
500+49.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS903MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 5V 75MW GB310
Power Dissipation (Max): 75 mW
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: GB310
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V (Min)
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 5mA, 1MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: GB310
Packaging: Tray
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+45.73 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS905MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 5V 75MW B86
Packaging: Bulk
Package / Case: B86
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: B86
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS905MACOMM/A-COM Technology Solutions Schottky Diode,GaAs,Beamlead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS906MACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS,BEAMLEAD,B91
Packaging: Bulk
Package / Case: B91
Diode Type: Schottky - Tee
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.04pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: B91
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+60.07 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS907B-E45RMACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS-PKG, E45R
Packaging: Bulk
Package / Case: E45
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.08pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: E45
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+139.68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS907B-E45RMACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs-Pkg, E45R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS908MACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs,Beamlead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS908MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 10V 75MW B86
Packaging: Bulk
Package / Case: B86
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.04pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: B86
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS909MACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs,Beamlead
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.45 EUR
10+86.25 EUR
25+82.65 EUR
100+77.45 EUR
250+74.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS910-E45RMACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS-PKG, E45R
Packaging: Bulk
Package / Case: E45
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15V
Supplier Device Package: E45
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGS912MACOMSchottky Diodes & Rectifiers GaAs Schottky Diode, 4 Junction Beam
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.64 EUR
10+70.03 EUR
25+60.69 EUR
100+59.83 EUR
250+58.75 EUR
500+57.2 EUR
1000+56.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB1005A750T-LF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB12APEM Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
Can Replace Lamps: Multiple Midget Groove Base Lamps
Base Type: Midget Groove
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Configuration: Single
Millicandela Rating: 490mcd
Size / Dimension: T - 1 3/4
Color: Blue
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB24Apem Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB28Apem Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB28ApemLED Panel Mount Indicators Blue LED, 28VDC, 14mA, 490mcd
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSB304636GG
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSC4-00006
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSCD-12TE Connectivity / P&BLow Signal Relays - PCB TO-5.100GRID
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSCD-12TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15 mA
Coil Type: Non Latching
Contact Material: Silver Palladium (AgPd), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 115VAC, 28VDC - Max
Must Release Voltage: 0.64 VDC
Must Operate Voltage: 7 VDC
Operate Time: 4 ms
Release Time: 2 ms
Load - Max Switching: 115VA, 28W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSDB2Panasonic Industrial Automation SalesDescription: SPEED CNTL 220V OUT FOR AC MOTOR
Packaging: Box
Mounting Type: Socketable
Current - Output: 1A
Type: Module
Voltage - Supply: 200 ~ 240VAC
Voltage - Load: 200 ~ 240V
Number of Motors: 1
Motor Type: AC Motor
Control / Drive Type: Speed Controller
Wattage - Load: 90 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF-3433VT1MOTO0017+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1902MOTO
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02MOTOROLA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02E
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02ECT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02ELT1ONSOT-23
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02ELT1G
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1onsemiMOSFETs 20V 750mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1ON10+ TO218X
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1/N2
auf Bestellung 9300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.46 EUR
529+0.32 EUR
534+0.31 EUR
691+0.24 EUR
1153+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
27000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
370+0.63 EUR
430+0.5 EUR
589+0.37 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
auf Bestellung 48777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.75 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.7 EUR
335+0.5 EUR
375+0.43 EUR
529+0.3 EUR
534+0.27 EUR
691+0.2 EUR
1153+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
370+0.63 EUR
430+0.5 EUR
589+0.37 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03/N3FON
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03Lonsemi NFET SOT23 30V 1.6A 0.100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1ONSOT23
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1onsemiMOSFET 30V 2.1A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1/N3FON
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
230+1.01 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GonsemiMOSFETs 30V 2.1A N-Channel
auf Bestellung 91870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.7 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
230+1.01 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.92 EUR
284+0.6 EUR
287+0.56 EUR
417+0.37 EUR
422+0.36 EUR
532+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GON10+ROHS SOT-23
auf Bestellung 90003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.42 EUR
422+0.4 EUR
532+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT3G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02EMOTSOT-23
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02ELT1
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02LT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02LT1ON
auf Bestellung 18600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02LT1/
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02LT1/PCL
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P02LT1G
auf Bestellung 86400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1P03LT1G
auf Bestellung 86400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02EON4 SOT-23
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELonsemi NFET SOT23 20V 2.8A 85MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELG
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1ON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+0.38 EUR
624+0.27 EUR
650+0.26 EUR
663+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
auf Bestellung 10469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.74 EUR
454+0.37 EUR
459+0.36 EUR
624+0.25 EUR
650+0.23 EUR
663+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF2N02ELT1HonsemiDescription: NFET SOT23 20V 2.8A 85MO
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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