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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF710SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.26 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.32 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
119+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF
Produktcode: 180068
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFMOSFET N-Ch 400V 2A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 3.6Ω
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.77 EUR
76+1.13 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 400V 2.0 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF711HARRISIRF711
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF711Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 6031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF711HARRISIRF711
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF712Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF712RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF712S2497HARRISIRF712S2497
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF712S2497Harris CorporationDescription: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7130TR
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7134TR04+ SOP
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7136TR
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7169IOR09+
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7171MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
790+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720
Produktcode: 3059
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 3,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 410/20
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.75 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201AIR09+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBF
Produktcode: 24055
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.52 EUR
10+0.46 EUR
100+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 30V, 7.3A, SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRimportTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Montage: SMD
auf Bestellung: 2995 St.
  • 2995 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.55 EUR
10+0.49 EUR
100+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+18.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1137+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR <=40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7202IR09+
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7202TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRF7203IR09+
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7203Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7203TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7204
Produktcode: 25811
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,060 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204PBF
Produktcode: 51827
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7204; IRF7204TR; SP001574762; SP001551198; IRF7204TR UMW TIRF7204 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC
auf Bestellung 6009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.03 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7204TRPBF - IRF7204 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7204TRPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205IRF7205 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 88 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205PBF
Produktcode: 40541
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: STS4DPF30L; IRF7205; IRF7205TR; IRF7205-GURT; IRF7205TR TIRF7205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.46 EUR
8000+0.42 EUR
12000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
auf Bestellung 61077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
50+0.92 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
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IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
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IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRF7205TRPBF
Produktcode: 205318
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IRF7205TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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IRF7205TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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