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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7338IRSO-8
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338TRIR0240+ SOP-8
auf Bestellung 206030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338TRPBFIOR
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7338TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 12V 6.3A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7339D1IR06+ SOP-14;
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7339D1TRIR03+
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF734Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF734Vishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 450V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7340IOR01+ SOP
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341International RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341SLKORTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341JSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 16208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.2 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.45 EUR
4000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineonТранзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 5,1А; SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
94+2.49 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
50+2.18 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341ITRPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF
Produktcode: 26458
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.83 EUR
10+0.7 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QIRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF
Produktcode: 85128
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPB
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRJGSEMITransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR-HXYHXY MOSFETTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 209 St.
  • 209 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.3 EUR
10+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7341TRPBFInternational RectifierIRF7341TRPBF IRF7341TR SO-8 Транзистори
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IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1108 Stücke:
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103+1.69 EUR
108+1.59 EUR
250+1.49 EUR
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1000+1.34 EUR
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IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7341TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.58 EUR
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7341TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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IRF7341TRPBFXTMA1InfineonIRF7341TRPBFXTMA1 N-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Транзистори
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7342IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7342International RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
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IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
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IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
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IRF7342D2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF7342D2PBF
Produktcode: 28747
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
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IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
2+1.09 EUR
10+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFIOR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TR
Produktcode: 181463
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.79 EUR
12000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
88+2.64 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
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IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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500+0.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
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IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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71+2.46 EUR
103+1.67 EUR
132+1.27 EUR
147+1.12 EUR
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IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 224000 Stücke:
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