Produkte > BCW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW61C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61C/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 280000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61C,235 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61C,235 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B2,215 | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B4,215 | auf Bestellung 35990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 35990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B4215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 35990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327 | INFINEON | PNP Uce=32V, Ic=100mA, P=330mW, B>40, SOT23 | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW 250MHz BCW61C smd TBCW61c Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon | BCW61CE6327HTSA1 BCW61CE6327 (PNP,35V,0.2A,180MHZ,SOT-23) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61CE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61CMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61CT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 200MA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SST3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D | NXP | Tranzystor PNP; 630; 250mW; 32V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61D,215; BCW61DE6327HTSA1; BCW61D TBCW61d Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61D Produktcode: 1360
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz Spannung Uce, V: 32 V Spannung Ucb, V: 32 V Strom Ic, A: 0,2 A Stromverstärkung h21, max: 630 ZCODE: 8541 21 00 90 | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| BCW61D | Infineon | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = -32, Ic = -100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 380...630 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V, Icutoff-max = -20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -335 @ -50 mA, -1,25 mA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2317 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 11575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP | TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A PNP BJT | auf Bestellung 5704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 250000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61D/BDP | PHILIPS | auf Bestellung 5122 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCW61DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 64915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327 | INFINEON | PNP, 32 В, 100 мА, 330 мВт | auf Bestellung 5402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 40303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 185703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61DE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 190400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 : BCW61DE6327 | Infineon | BCW61DE6327HTSA1 : BCW61DE6327 BCW61DE6327 TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DLT1 | ON Semiconductor | BCW61DLT1 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61DLT1 | onsemi | Description: TRANS GP BJT PNP 32V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61DMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61E6384HTMA1 - BCW61 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | auf Bestellung 810000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW61FN | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BCW62D | infineon | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW64FN | infineon | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65A | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 3020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 45988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 459 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2597 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | auf Bestellung 15873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65ALT1G Produktcode: 53614
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCW65B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65B | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65B(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65BTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65BTC | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65BTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65C | SM | auf Bestellung 357000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCW65C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65C-T&R-SIE | Infineon | NPN 32 V 1 A 100 MHz SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1 - BCW65CLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | auf Bestellung 19413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 14036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
