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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTP60N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06GonsemiMOSFETs 60V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06G
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06L
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06LonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06LG
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06LGonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP60N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANGON SemiconductorMOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6410ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
50+5 EUR
100+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6411ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.27 EUR
73+3.18 EUR
100+2.92 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGonsemiMOSFETs NFET TO220 100V 72A
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+2.7 EUR
100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6412ANGONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 240A; 167W; TO220-3
On-state resistance: 18.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 58A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
39+2.23 EUR
50+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6413ANGonsemiDescription: POWER MOSFET 100V 42A, SINGLE N-
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
289+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6413ANGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP6413ANG - POWER MOSFET 100V 42A, SINGLE N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6413ANGonsemiMOSFET NFET TO220 100V 42A 28MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6448ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02ON03+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02R
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RONSEMIDescription: ONSEMI - NTP65N02R - NTP65N02R, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
auf Bestellung 16392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
auf Bestellung 57448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP65N02RG - NTP65N02RG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 57448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+1 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP65N02RG
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP685M10TRA(300)FNIC ComponentsCap Tant Polymer 6.8uF 10VDC A CASE 20% (3.2 X 1.6 X 1.6mm) SMD 3216-18 0.3 Ohm 105°C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP686M10TRV(60)FNIC ComponentsCap Tant Polymer 68uF 10VDC V CASE 20%( 7.3 X 4.3 X 1.9mm) Inward L SMD 7343-20 0.06 Ohm 105°C T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.74 EUR
34+4.94 EUR
36+4.49 EUR
100+4.12 EUR
250+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP686M10TRV(60)FNIC ComponentsCap Tant Polymer 68uF 10VDC V CASE 20%( 7.3 X 4.3 X 1.9mm) Inward L SMD 7343-20 0.06 Ohm 105°C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP686M10TRV(60)FNIC ComponentsCap Tant Polymer 68uF 10VDC V CASE 20%( 7.3 X 4.3 X 1.9mm) Inward L SMD 7343-20 0.06 Ohm 105°C T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.74 EUR
34+5.05 EUR
36+4.66 EUR
100+4.36 EUR
250+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP687M4TRD(12)FNIC ComponentsCap Tant Polymer 680uF 4VDC D CASE 20% (7.3 X 4.3 X 2.8mm) SMD 7343 0.012 Ohm 105°C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6N50
auf Bestellung 6830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6N50onsemiArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6N60ONSEMIDescription: ONSEMI - NTP6N60 - MOSFET, N TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 79150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6N60onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 79150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP6N60
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP700C01AA013MDescription: BETAPURE NT-P SERIES FILTER CAPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03-006onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03-006ONSEMIDescription: ONSEMI - NTP75N03-006 - MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03-006onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03-6GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03L09
auf Bestellung 9070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03L09onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03L09GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03R
auf Bestellung 273900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RONSEMIDescription: ONSEMI - NTP75N03R - NTP75N03R, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
503+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
987+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 987 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N03RGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP75N03RG - NTP75N03RG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06onsemiMOSFETs 60V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06GonsemiMOSFETs 60V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06GON
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP75N06LonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+4.24 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.65 EUR
10000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
37+6.4 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+4.24 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+4.24 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP7D3N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03ONSEMIDescription: ONSEMI - NTP85N03 - NTP85N03, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 121654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
auf Bestellung 121654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
auf Bestellung 7415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03GONSEMIDescription: ONSEMI - NTP85N03G - NTP85N03G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP85N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
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NTP85N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
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NTP8G202NGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH GaN 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.58 EUR
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NTP8G202NGonsemiDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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NTP8G202NGonsemiGaN FETs GAN 600V 9A 290MO
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NTP8G206NGonsemiDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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NTP8G206NGONSEMIDescription: ONSEMI - NTP8G206NG - MOSFET, N-CH, 600V, 17A, TO-220-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+52.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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NTP8G206NGON SemiconductorMOSFET GAN 600V 17A 150MO
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NTP8G206NGonsemiDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+78.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTP90N02ON07+;
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTP90N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
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NTP90N02ONSEMIDescription: ONSEMI - NTP90N02 - NTP90N02, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP90N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP90N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP90N02GONSEMIDescription: ONSEMI - NTP90N02G - NTP90N02G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP90N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP90N02R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP97361-129ITT CannonD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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