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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK24HT-T01-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-235+/-3%-195+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-240+/-3%-200+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T01-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-220+/-3%-180+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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10+12.48 EUR
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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TK24HT-T02-MG01-B1C-250+/-3%-210+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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5+13.45 EUR
10+12.48 EUR
25+11.33 EUR
50+10.94 EUR
100+9.28 EUR
500+8.52 EUR
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TK24HT-T02-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
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50+14.33 EUR
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200+11.83 EUR
500+9.97 EUR
1000+8.85 EUR
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TK250BMCL
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TK25A10K3
Produktcode: 116226
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK25A20D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK25A20D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
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TK25A20D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A20D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.047 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK25A60XToshibaMOSFETs
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TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5X
Produktcode: 191910
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK25A60X,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 56 Stücke:
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1+10.22 EUR
10+5.34 EUR
100+4.69 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.71 EUR
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TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.34 EUR
62+2.77 EUR
100+2.57 EUR
200+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.6 EUR
10+8.1 EUR
100+5.97 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.32 EUR
30+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60X5S5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25A60XS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E06K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E06K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60XToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
35+6.69 EUR
50+5.46 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.75 EUR
29+5.97 EUR
33+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.71 EUR
50+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X,S1X(TToshiba0
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+5.99 EUR
100+5.46 EUR
500+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
35+6.69 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60X5S1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25E60XS1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
30+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.4 EUR
10+7.08 EUR
120+5.89 EUR
510+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60X5S1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25N60XS1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1LToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
auf Bestellung 23962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.75 EUR
24000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
144+1.19 EUR
200+1 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LXHQToshibaMOSFETs 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.25 EUR
250+1.19 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X,LQToshibaMOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
23+10.19 EUR
100+6.91 EUR
500+5.57 EUR
1000+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
23+10.19 EUR
100+6.91 EUR
500+5.57 EUR
1000+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.9 EUR
10+8.7 EUR
100+6.33 EUR
500+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+7.91 EUR
25+7.47 EUR
100+6.41 EUR
250+6.06 EUR
500+5.7 EUR
1000+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.18 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.97 EUR
22+10.58 EUR
100+7.18 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK26263M (TC)Description: HOME TAPE KIT - STANDARD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK26E-006Fuji Electric CorporationTK26E-006
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+86.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK26E-007Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 10.5A ( (53mm 50.1mm)) Contactor mounting Over Load Relay
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+91.02 EUR
5+77.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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