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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4922DY-T1SI2005
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SI4922DY-T1*
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Si4922DY-T1-E3VISHAY09+
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SI4922DYT1E3VISHAY
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SI4923SISOP-8
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SI4923DY
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SI4923DY-T1
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SI4923DY-T1-E3VISHAY
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SI4923DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4923DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4923DYT1E3VISHAY
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SI4924DYVISHAY07+ SO-8
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SI4924DY-T1vishay2003
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Si4924DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4924DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
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SI4925SISOP-8
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SI4925B
Produktcode: 92591
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SI4925B
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SI4925BDYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 7.1A 2W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY
auf Bestellung 335 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY
Produktcode: 131064
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
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SI4925BDY-T1-E3
Produktcode: 173526
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925BDY-T1-E3 - MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -5.3A, SOIC-8, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
auf Bestellung 17364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.81 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
25000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
auf Bestellung 37828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-TI-E3
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.04 EUR
172+1.01 EUR
208+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
171+1 EUR
172+0.95 EUR
208+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
7500+0.69 EUR
12500+0.67 EUR
17500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3
Produktcode: 140021
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.34 EUR
151+1.15 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 46253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 31398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
63+1.36 EUR
86+1 EUR
100+0.87 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DX-T1-E3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 6.1A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DYonsemi / FairchildMOSFETs Dual PCh 30V/20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DYSILICONIX
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925BDY-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-T1SI98
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925BDY-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-TI
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DY-TI-E3
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4926DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4926DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4926DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927DY
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927DY-T1
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4927DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927DYSOP-8VISHAY
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4927DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4930
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY
Produktcode: 165829
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SI4931DY-T1-E3VishayMOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4931DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4931DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
auf Bestellung 19810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.88 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4931DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.3 EUR
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SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4931DY-T1-GE3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4931DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4932DY-T1-E3
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4932DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 13586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI4932DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
auf Bestellung 21723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4932DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4932DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4933DY
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4933DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4933DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4933DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4934
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4935VISHAY
auf Bestellung 66200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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