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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7416TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
97+0.88 EUR
120+0.71 EUR
130+0.65 EUR
250+0.6 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 8788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
104+2.24 EUR
143+1.51 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 73462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
117+1.46 EUR
149+1.12 EUR
170+0.95 EUR
500+0.73 EUR
4000+0.58 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
1+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 8788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
104+2.24 EUR
143+1.51 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7418IR09+
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7418TRIR09+
auf Bestellung 9345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420
Produktcode: 22021
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 11,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3529/38
Montage: SMD
auf Bestellung: 16 St.
  • 16 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420PBFIRF7420PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420PBFInfineonMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPB
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBF
Produktcode: 195254
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 В
Drain-Strom Id, A: 9,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3529/38
Montage: SMD
auf Bestellung: 128 St.
  • 128 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.49 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.68 EUR
104+1.63 EUR
105+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.86 EUR
103+1.62 EUR
104+1.54 EUR
105+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7420TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421IR09+
auf Bestellung 4060 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1TRPBFIOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
28+0.76 EUR
100+0.63 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421IIR09+
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421TRIR09+
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7421TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422IOR09+
auf Bestellung 8033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2IRSO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2PBFIOR09+
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422TRIR09+
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7423IOR09+ SO-8
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7423TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424International RectifierP-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4030 @ 25, Qg, нКл = 110, Rds = 13.5 мОм, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7424PBF - IRF7424 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBF
Produktcode: 39774
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0135 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInternational RectifierMOSFET P-Ch, 30V, 11A, SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRIR04+
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
134+1.27 EUR
169+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
125+1.87 EUR
250+1.18 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBF
Produktcode: 54104
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
134+1.24 EUR
169+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.69 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
125+1.87 EUR
250+1.18 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
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IRF7425International RectifierТранзистори
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IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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IRF7425PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC Tube
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IRF7425PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
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IRF7425PBFIRF7425PBF Транзисторы HEXFET
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IRF7425PBFInfineon (IRF)Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate charge: 87nC
Gate-source voltage: ±12V
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IRF7425PBFInternational RectifierТранзистори
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IRF7425PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
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IRF7425PBF
Produktcode: 20322
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0082 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7980/87
Montage: SMD
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
erwartet: 3 St.
  • 3 St. - erwartet 21.09.2026
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IRF7425PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7425TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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30+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF7425TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
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IRF7425TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR JSMICRO TIRF7425 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRF7425TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 20A; 10W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR-CN CHIPNOBO TIRF7425 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7425TR-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7425TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
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66+1.3 EUR
88+0.98 EUR
100+0.86 EUR
109+0.79 EUR
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