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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7422D2PBFIOR09+
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422D2TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422TRIR09+
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7422TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7423IOR09+ SO-8
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7423TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4030 @ 25, Qg, нКл = 110, Rds = 13.5 мОм, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424International RectifierP-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInternational RectifierMOSFET P-Ch, 30V, 11A, SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBF
Produktcode: 39774
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.0135
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7424PBF - IRF7424 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRIR04+
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBF
Produktcode: 54104
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 11903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.65 EUR
8000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.42 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 11195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.63 EUR
134+1.08 EUR
169+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
auf Bestellung 12785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
12+1.6 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBFIRF7425PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425PBF
Produktcode: 20322
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 15
Rds(on),Om: 0.0082
Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87
/: SMD
verfügbar: 2 St.
    1+2.25 EUR
    10+2 EUR
    100+1.5 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR JSMICRO TIRF7425 JSM
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 40 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+0.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 40 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    auf Bestellung 3715 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    100+2.3 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    auf Bestellung 34 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    100+2.3 EUR
    Mindestbestellmenge: 34 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 20A; 10W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR-CN CHIPNOBO TIRF7425 CNB
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    100+0.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TR-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.06 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 64000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    500+0.65 EUR
    1000+0.63 EUR
    2000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    auf Bestellung 2900 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 2900 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBF
    Produktcode: 172358
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    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    500+0.65 EUR
    1000+0.61 EUR
    2000+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -20V
    Drain current: -15A
    Power dissipation: 2.5W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 4439 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    52+1.4 EUR
    68+1.06 EUR
    79+0.92 EUR
    85+0.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 52 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC
    auf Bestellung 302 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.15 EUR
    10+1.38 EUR
    100+1.03 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.78 EUR
    2000+0.76 EUR
    4000+0.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 15A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
    Verlustleistung: 2.5W
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
    auf Bestellung 1012 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 64000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.64 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 27725 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    80+1.83 EUR
    117+1.24 EUR
    151+0.94 EUR
    500+0.73 EUR
    1000+0.7 EUR
    2000+0.67 EUR
    4000+0.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 80 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineonSO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±12V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
    auf Bestellung 3133 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.57 EUR
    11+1.62 EUR
    100+1.09 EUR
    500+0.86 EUR
    1000+0.78 EUR
    2000+0.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7425TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 20V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 15A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
    Verlustleistung: 2.5W
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
    auf Bestellung 912 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7426TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
    Supplier Device Package: 8-SO
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF743Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433PBFInternational RectifierТранзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433PBF
    Produktcode: 172872
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    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 12 V
    Id,A: 8,9 A
    Rds(on),Om: 24 mOhm
    Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
    Gebr.: Ultra Low On-Resistance
    /: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRHRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Vgs (Max): ±8V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRPBF
    Produktcode: 190632
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		VBSEMITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 12 V
    Id,A: 8,9 A
    Rds(on),Om: 24 mOhm
    Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
    /: SMD
    auf Bestellung 71 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7433TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7435IOR01+ SOP
    auf Bestellung 203 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF744Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF744
    Produktcode: 83522
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF744Vishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 450V 8.8 Amp
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    IRF744LVishay / SiliconixMOSFET
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF744LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: I2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
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    IRF744PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF744PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Vdss В 200, Id 2.5, Ptot, Вт 2.5,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC
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    IRF7450PBFInternational RectifierТранзистори
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450PBF Infineon (IR) N-MOSFET Transistor 3W 30V 2,5A 170mΩ SO8
    Produktcode: 32457
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    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 200
    Idd,A: 02.05.2015
    Rds(on), Ohm: 0.17
    Ciss, pF/Qg, nC: 940/26
    JHGF: SMD
    verfügbar: 6 St.
      1+1.29 EUR
      10+1 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7450TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Vgs (Max): ±30V
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Supplier Device Package: 8-SO
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
      FET Type: N-Channel
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Mounting Type: Surface Mount
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7450TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 16 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7450TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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      IRF7450TRPBFIR
      auf Bestellung 20000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7450TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Vgs (Max): ±30V
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Supplier Device Package: 8-SO
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
      FET Type: N-Channel
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Mounting Type: Surface Mount
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7450TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7451Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7451IRSO-8
      auf Bestellung 42000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7451PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
      Vgs (Max): ±30V
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Supplier Device Package: 8-SO
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
      FET Type: N-Channel
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Mounting Type: Surface Mount
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Packaging: Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 665 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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