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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BD239BTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
522+0.33 EUR
527+0.32 EUR
545+0.3 EUR
594+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CONS/FAITO-220, Vceo=100V, Ic=2A,-55...+125 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
722+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 722 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ConsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.29 EUR
500+1.24 EUR
1200+1.11 EUR
2400+1 EUR
6000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTNPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C
Produktcode: 161416
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CONSEMIDescription: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
104+2.24 EUR
173+1.24 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
200+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMNPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 115V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 3MHz
Collector current: 2A
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
186+0.45 EUR
197+0.43 EUR
204+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
110+1.52 EUR
124+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
auf Bestellung 8341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.24 EUR
100+0.77 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CARKNPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C-SBournsBipolar Transistors - BJT 100V 2A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
638+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.74 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
638+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
638+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239CTUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239DBournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239D-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 120V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239D-SBournsBipolar Transistors - BJT 120V 1A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239E-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 140V 2A TO220
Power - Max: 2 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239F-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 160V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239TUonsemiDescription: TRANS NPN 45V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD24Amphenol FCIStandard Circular Connector 1X BRAID
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240-SBournsBipolar Transistors - BJT 45V 2A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 45V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240AonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240AInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240AREBipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 30W Through Hole TO-220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240ABournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240A
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240A-SBournsBipolar Transistors - BJT 60V 2A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240B
Produktcode: 162498
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BBournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BMotorolaTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BONS/FAITO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BONSEMIDescription: ONSEMI - BD240B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240Bonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.58 EUR
334+0.5 EUR
360+0.45 EUR
378+0.42 EUR
396+0.38 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BARKPNP 2A 80V 30W 3MHz BD240B TBD240b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240B-SBournsBipolar Transistors - BJT 80V 2A PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240B-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 80V 2A TO220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240B-SBournsТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BTUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BTUONS/FAITO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240BTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/2A/100V TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD240CMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD240C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
246+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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BD240CBournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
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BD240C
Produktcode: 31527
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BD240CHarris CorporationDescription: PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 166 Stücke
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BD240CimportPNP 2A 100V 30W 3MHz Replacement: TIP30C BD240C TBD240c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BD240C-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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BD240C-SBournsBipolar Transistors - BJT 100V 2A PNP
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BD240C.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD240C. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD240CTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/2A/100V/TO-220
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BD240CTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
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BD240CTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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BD240CTUONS/FAIТранзистори
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BD240CTUonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
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BD240CTU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
246+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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BD240TUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 2A TO220-3
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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BD241BournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
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BD241-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 45V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
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BD241Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BD241AST99+
auf Bestellung 14821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD241ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BD241A
Produktcode: 133026
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BD241ABournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
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BD241ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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BD241A-AonsemiBipolar Transistors - BJT
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BD241A-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
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BD241A-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BD241A-SBournsBipolar Transistors - BJT 60V 3A NPN
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BD241A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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BD241ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD241ATUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BD241BSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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BD241BBournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
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BD241BSTTO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD241B-SInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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BD241B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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BD241B-SBournsBipolar Transistors - BJT 80V 3A NPN
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BD241BFI
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD241BFISTMNPN, 80V, 3A, TO-220F Транзистори
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BD241BTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
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BD241BTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD241BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1336+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
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BD241BTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
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