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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM50FD
Produktcode: 180604
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.34 EUR
30+10.15 EUR
120+8.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60
Produktcode: 161796
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.57 EUR
35+4.86 EUR
100+3.89 EUR
600+3.59 EUR
1200+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.9 EUR
17+5.14 EUR
30+4.74 EUR
120+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
10+10.03 EUR
100+8.07 EUR
600+7.16 EUR
1200+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.53 EUR
36+4.93 EUR
100+4.01 EUR
600+3.77 EUR
1200+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
28+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FD
Produktcode: 1135
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTTranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.18 EUR
30+8.15 EUR
120+6.83 EUR
510+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
10+8.02 EUR
100+6.72 EUR
600+6.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMзамена IRFP27N60K Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.49 EUR
28+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.41 EUR
10+13.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2110STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; press stud male 10mm x3
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Connectors for the country: Europe
Connection: press stud male 10mm x3
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.96 EUR
10+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2130STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; screw M5 with nut x2
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: screw M5 with nut x2
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connectors for the country: Europe
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.41 EUR
10+13.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW21N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.08 EUR
10+21.47 EUR
50+19.3 EUR
100+17.14 EUR
250+14.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMMOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.56 EUR
30+16.21 EUR
120+14.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 8.7A; 446W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3145 @ 100, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 446, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.76 EUR
10+15.62 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N50T3
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N65M5STMTO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N65M5
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N65M5
Produktcode: 61395
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMMOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
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STW21NM50N
Produktcode: 57941
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Bemerkung: MOSFET N-Kanal
Montage: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM50NSTMN-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60NSTMN-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET Транзистори
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STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60N
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW21NM60NDSTMТранзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 140Вт; TO247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Cable length: 2m
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connection: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.04 EUR
5+21.75 EUR
10+20.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW220NF75
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW220NF75STM(Близкий к IRFP2907) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: banana 4mm socket x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.72 EUR
5+21.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Resistance: 1MΩ
Connection: press stud male 10mm x3
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.04 EUR
5+21.75 EUR
10+20.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Connection: screw M5 with nut
Cable length: 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Mounting: for wall mounting
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.96 EUR
10+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Cable length: 2m
Connection: press stud male 10mm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.96 EUR
10+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 2m
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Connection: screw M5 with nut
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.92 EUR
5+28.14 EUR
10+26.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.64 EUR
30+10.33 EUR
120+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.61 EUR
30+7.21 EUR
120+6.02 EUR
510+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
25+6.97 EUR
100+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.91 EUR
26+6.59 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60N.STW21NM60N
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NDST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW23NM60NDSTMN-CH 600V 19A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW240N10F7STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
30+4.75 EUR
120+3.9 EUR
510+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.33 EUR
100+3.25 EUR
600+3 EUR
1200+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 756 Stücke:
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