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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 22168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.068 EUR
21000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 25743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
19+0.18 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
3000+0.083 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FVTOSHIBA
auf Bestellung 17200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FVToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 16042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 22930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
117+0.18 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1693+0.1 EUR
1707+0.098 EUR
3068+0.054 EUR
3096+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.35 EUR
730+0.23 EUR
737+0.21 EUR
1676+0.09 EUR
1693+0.086 EUR
1707+0.082 EUR
3068+0.044 EUR
3096+0.043 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 19240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
986+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 986 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2646+0.081 EUR
4000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TETOSHIBA
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DQ
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L)SOT416-DQ
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
auf Bestellung 69019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.48 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
auf Bestellung 11696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
502+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT
auf Bestellung 7599 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT,L3FToshibaMOSFETs X34 Pb-F CST3 S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FSToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R SSM3J16FS(TE85L,F) TSSM3j16fs
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1276+0.13 EUR
1433+0.11 EUR
2000+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
33+0.64 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FVTOSHIBA
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FV(TPL3,Z)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 7556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FVTL3AP
auf Bestellung 944000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16TE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J302F
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304TTOSHIBA07+
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(T5L)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 5589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J306T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J313T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T(T5L.F.T)Toshiba
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.5A 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J317T
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J317T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshibaMOSFETs P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
auf Bestellung 12605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.81 EUR
506+0.46 EUR
800+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.81 EUR
506+0.46 EUR
800+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 11879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.83 EUR
710+0.32 EUR
848+0.25 EUR
1052+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1411+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 8925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.57 EUR
317+0.54 EUR
341+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
auf Bestellung 8635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.83 EUR
710+0.32 EUR
848+0.25 EUR
1052+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328RToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,JFTOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 255000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.19 EUR
1454+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaSSM3J328R,LF Транзистори
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaMOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
auf Bestellung 38950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 256578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
54+0.39 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
495+0.35 EUR
514+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 88.4mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.49 EUR
258+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
auf Bestellung 14445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+1.12 EUR
527+0.44 EUR
629+0.35 EUR
782+0.27 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TToshibaTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.8 EUR
9000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.93 EUR
104+2.25 EUR
164+1.31 EUR
500+0.98 EUR
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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