Produkte > BD1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BD13716S | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13716S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag | auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13716S | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13716S | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13716STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 12167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13716STU | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu Anzahl je Verpackung: 20 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD13716STU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 9865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD13716STU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 6622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD13716STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 12167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13716STU | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu Anzahl je Verpackung: 20 Stücke | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD13716STU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Kind of package: tube | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13716STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD1376S | auf Bestellung 8020 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BD1376S | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD1376STU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD137G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD137G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO225 Mounting: THT Frequency: 50MHz Power dissipation: 12W Kind of package: bulk | auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD137G | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD137G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD137G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN | auf Bestellung 13497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD137G NPN-Bipolartransistor Produktcode: 148260
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Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD138 | CDIL | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier | auf Bestellung 3009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 59031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | STM | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: SOT32 Current gain: 25...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz Power dissipation: 12.5W Kind of package: tube | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 58995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | CDIL | PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD138 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 3693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 60V 1.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 12641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD138 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: TO126 Current gain: 40...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 3693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 | NXP | PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD138 Produktcode: 19309
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Lieblingsprodukt
| NXP | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz Spannung Uce, V: 60 V Spannung Ucb, V: 60 V Strom Ic, A: 1,5 A Stromverstärkung h21, max: 250 | verfügbar: 25 St.
auf Bestellung: 322 St.
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| BD138 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138 (CDIL) Produktcode: 177830
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Lieblingsprodukt
| CDIL | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Spannung Uce, V: 60 В Spannung Ucb, V: 100 В Strom Ic, A: 1,5 А Stromverstärkung h21, max: 250 | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD138-10 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD138-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138-10-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138-16 Produktcode: 19210
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD138-16 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD138-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138-16 | CDIL | Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 60V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD138-16-CDI; BD13816STU; BD138.16; TBD138.16; BD138-16 CDIL TBD13816cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD138-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: TO126 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz | auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138-16-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138-16STU | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138-6-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 12.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138-K | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON TRANSISTORS, IGBT & Power Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13810S | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13810STU | FAIRCHILD | BD13810STU | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13810STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD13810STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD13810STU | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Current gain: 63...160 Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Kind of package: tube | auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13810STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13810STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 3626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD13816 | onsemi | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13816S | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13816STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13816STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD13816STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD13816STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD1386S | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD1386STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138G | ON Semiconductor | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD138G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Kind of package: bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 5419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD139 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 24635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139 | STM | NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32 (компл. BD140) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 657405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | CDIL | NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | BD139 Транзисторы | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD139 | STMicroelectronics | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: SOT32 Current gain: 25...250 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139 | CDIL | NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | ST | NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 11695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD139 | CJ | NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | CDIL | NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | BD139 Транзисторы | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD139 Produktcode: 191983
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| CJ | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 Transitfrequenz fT: 190 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А Stromverstärkung h21: 250 Montage: THT | auf Bestellung: 388 St.
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