Produkte > BTS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3043AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-12 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-5-12 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062A | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS244ZE3062AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | auf Bestellung 16454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V | auf Bestellung 47354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | auf Bestellung 30900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Speed TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Speed TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062ANT | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS244ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: BTS244 - TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk | auf Bestellung 24500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS244ZNKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-5-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Formed Leads Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS245A | Essentra Components | Description: HEX STANDOFF 8-32 BRASS 1-1/2" | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247Z | INF | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247Z Produktcode: 103956
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| Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
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| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247Z | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 12634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 10815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247Z | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 55V 44A TO220-5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247Z E3043 | Infineon Technologies | MOSFETs TEMPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247Z E3062A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247Z E3062A | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 44A D2PAK-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-5-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Formed Leads Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: P-TO220-5-43 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: P-TO220-5-43 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Packaging: Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 19A D2PAK-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 Produktcode: 133040
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | auf Bestellung 119650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk | auf Bestellung 80650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS2510 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BTS2540 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BTS2821J | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282Z | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 49V 6.7A TO220-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282Z Produktcode: 119862
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-180 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 49V 13A TO220-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 49V 80A TO220-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: P-TO220-7-230 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: P-TO220-7-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZDELCO | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: P-TO220-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-7 Formed Leads Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: reel; tape Output voltage: 49V Technology: TEMPFET® Integrated circuit features: internal temperature sensor Operating temperature: -40...175°C Power dissipation: 300W | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 49V 36A D2PAK-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-220 SMD T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3180ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3230 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-7 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3230 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230AKSA2 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HITFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: THT Case: PG-TO220-7-12 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: tube Output voltage: 49V Technology: TEMPFET® Integrated circuit features: internal temperature sensor Operating temperature: -40...175°C Power dissipation: 300W | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS282ZE3230AKSA2 Produktcode: 163635
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS30-LDTL | Autonics | Description: SENSOR CONVERGENT 5-30MM NPN Packaging: Bag Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective, Convergent Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IEC IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS30-LDTL | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, CONVERGENT REFLEC Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS30-LDTL-P | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, CONVERGENT REFLEC Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: PNP - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS30-LDTL-P | Autonics | Description: SENSOR CONVERGENT 5-30MM PNP Part Status: Active Light Source: Red (650nm) Connection Method: Cable Cable Length: 78.74" (2m) Ingress Protection: IEC IP67 Response Time: 1ms Voltage - Supply: 12V ~ 24V Output Configuration: PNP - Open Collector/Light-ON Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Sensing Method: Reflective, Convergent Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Packaging: Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 5025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution HITFET | auf Bestellung 7806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 10.7mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 28V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Current - Output (Max): 10A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO252-5 Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 28862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3011TEATMA1 - LEISTUNGSSCHALTER LOW-SIDE -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0107ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 10A IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 5025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 10.7mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 28V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Current - Output (Max): 10A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO252-5 Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3011TEATMA1 - LEISTUNGSSCHALTER LOW-SIDE -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0107ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 10A IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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