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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+1.38 EUR
522+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 57077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+1.38 EUR
522+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
10000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
auf Bestellung 70272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
375+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BLFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+1.38 EUR
522+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BLNLFSC
auf Bestellung 3993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030LON SemiconductorFDP7030L
auf Bestellung 29300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4 EUR
1000+3.71 EUR
10000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030LonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030LFAITO220
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 33223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7045LFAIR0408
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
auf Bestellung 165881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
92+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 165881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+3 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7N50onsemiMOSFETs 500V N-CHANNEL
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 6859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LN/A09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.69 EUR
10+10.01 EUR
100+8.34 EUR
500+7.37 EUR
1000+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+12.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06
Produktcode: 66797
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
61+3.83 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+4.69 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
auf Bestellung 25490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
105+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2710 Stücke:
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138+4.69 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.05 EUR
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FDP8440UMWDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
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7+3.2 EUR
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FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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138+4.69 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.05 EUR
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FDP8440onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
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FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
auf Bestellung 11109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
105+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+4.69 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8440onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8440FAIRCHILD
auf Bestellung 795 Stücke:
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FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 14780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+4.69 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.05 EUR
10000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+4.57 EUR
100+3.7 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.81 EUR
2000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
auf Bestellung 22479 Stücke:
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91+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
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FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
237+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 11973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
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FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-CH PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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FDP86363-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 42400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
50+4.56 EUR
100+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+5.46 EUR
50+4 EUR
100+3.67 EUR
1000+3.37 EUR
2500+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP87314B07+
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
162+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.8mΩ
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Gate charge: 222nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 13482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.55 EUR
10000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860ONN
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860
Produktcode: 215317
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
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