Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 3469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V Verlustleistung: 313W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 8024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V Verlustleistung: 313W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 185000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 | auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049NE7N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04CN10NG | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB04CN10NGANBRUCH | Infineon Technologies | 07+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03L | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA G | INF | TO-263 | auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAG | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LB | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB04N03LBG | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB050N06NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB050N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB050N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 49 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB051N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB051NE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB051NE8NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB051NE8NG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB051NE8NGATMA1 | Infineon Technologies | IPB051NE8NGATMA1 | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB051NE8NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB051NE8NGXT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB052N04N G | INF | TO-263 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB052N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB052N04NG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N06N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB054N06N3G | Infineon Technologies | Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 115W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N08N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 3102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB055N03L G Produktcode: 61412
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| IPB055N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB055N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB055N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |