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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGONN
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.81 EUR
100+2.03 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.19 EUR
100+2.15 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.68 EUR
1500+1.62 EUR
3000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.23 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1500+1.05 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 23W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGONN
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.81 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 23W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
71+3.27 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+2.06 EUR
100+1.56 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.71 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
auf Bestellung 17280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
1500+0.65 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFETAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.39 EUR
24000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 38907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
13+1.64 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
93+2.51 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.74 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.63 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.99 EUR
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.13 EUR
3000+1.05 EUR
4500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
4500+0.7 EUR
7500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
661+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 661 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.93 EUR
210+0.79 EUR
212+0.75 EUR
230+0.67 EUR
250+0.62 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+1.56 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.82 EUR
212+0.8 EUR
230+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.99 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.99 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGONN
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.92 EUR
3000+0.84 EUR
4500+0.81 EUR
7500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.73 EUR
100+1.29 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
1500+0.84 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 4140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.46 EUR
500+1.13 EUR
1000+1 EUR
1500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
146+1.59 EUR
199+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 175A; 34W; WDFN8
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 34W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
14+1.56 EUR
100+1.21 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
122+1.9 EUR
166+1.3 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.76 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
4500+0.7 EUR
7500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.81 EUR
3000+1.74 EUR
6000+1.65 EUR
12000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.81 EUR
3000+1.77 EUR
6000+1.73 EUR
12000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.87 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
135+1.73 EUR
170+1.26 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 15023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.65 EUR
100+1.19 EUR
500+1 EUR
1000+0.87 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
auf Bestellung 3569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
135+1.73 EUR
170+1.26 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.86 EUR
100+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1500+0.89 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 289500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.75 EUR
3000+0.74 EUR
4500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
auf Bestellung 290666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.74 EUR
100+1.19 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.49 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 21.1mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.37 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 6737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
1500+0.61 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 911 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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