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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPB160N04S2L-03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB160N04S2L03DTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB16N04S2-03
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB16N50C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 16A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB16N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB16N50C3INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB16N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C2E3045Infineon800 В 17 A 0,29 Ом 100 Вт D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.59 EUR
25+8.1 EUR
50+7.63 EUR
100+7.21 EUR
250+6.88 EUR
500+6.59 EUR
1000+6.28 EUR
2500+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.56 EUR
25+5.89 EUR
100+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3
Produktcode: 37324
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/88
Montage: SMD
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+6.51 EUR
100+4.86 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.2 EUR
34+6.91 EUR
50+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+5.93 EUR
100+4.32 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.52 EUR
46+3.7 EUR
59+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 6391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.54 EUR
50+5.12 EUR
100+4.65 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.52 EUR
46+3.63 EUR
59+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3E3045InfineonSPB17N80C3E3045 SPB17N80C3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18N06P
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06P GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.26 EUR
100+1.48 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGInfineon technologies
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGInfineon TechnologiesDescription: SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.7 EUR
249+0.68 EUR
253+0.65 EUR
258+0.63 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.71 EUR
245+0.68 EUR
249+0.64 EUR
253+0.61 EUR
258+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
100+2.34 EUR
149+1.45 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
177+0.96 EUR
200+0.92 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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518+1.25 EUR
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SPB18P06PGINCT-ND
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SPB2Carlo GavazziIndustrial Hall Effect/Magnetic Sensors MAGNETIC RECTANGULAR PROX. SENSOR
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SPB2CARLO GAVAZZICategory: Resistive Magnetic Sensors
Description: Sensor: magnetic field
Type of sensor: magnetic field
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2+75.23 EUR
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SPB2HAMMONDDescription: HAMMOND - SPB2 - BRACKET, PANEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Swing Panel Kit
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hammond C3R-HCLO Series 16 x 16 Panels, C3R-HCR Series 16 x 12 Panels
Produktpalette: -
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+260.92 EUR
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SPB2Carlo Gavazzi Inc.Description: SEN MAG PROX RECT BISTABLE
Packaging: Box
Package / Case: Box
Type: Switch
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Wire Leads
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SPB20-16PSWAmphenolConnector MIL Spec Circular
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SPB200-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG200
Packaging: Bag
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
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SPB2000-PKSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPB2000-YLSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
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SPB204 EVKH&D Wireless ABDescription: EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: HDG204
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; 802.11 b/g (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Supplied Contents: Board(s)
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SPB2045DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 275A
Max. forward voltage: 0.55V
Application: photovoltaic solar cell protection
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
109+0.79 EUR
121+0.7 EUR
136+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SPB205H&D Wirelesscomplete WLAN System In Package
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SPB205-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI BOARD 802.11 BGN STM32
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG205
Packaging: Bag
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+61.28 EUR
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SPB2050DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 50V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 275A
Max. forward voltage: 0.55V
Application: photovoltaic solar cell protection
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
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SPB209A-LRNMQ-1H&D WirelessCategory: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: IoT; Bluetooth: 4.2; 17dBm; WiFi; GPIO,PCM,SDIO,UART; SMD
Type of communications module: IoT
Supply voltage: 3...3.6V DC
Interface: GPIO; PCM; SDIO; UART
Mounting: SMD
Dimensions: 14x14x2.5mm
Kind of network: WiFi
Transfer rate: 433Mbps
Operating temperature: -40...85°C
Ciphering: WEP; WPA2; WPA
Number of terminals: 41
Band: 2.4GHz; 5GHz
Kind of package: bag
Bluetooth version: 4.2
Receiver sensitivity: -98dBm
Transmitter output power: 17dBm
Operating system: Linux
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPB20N60C2
Produktcode: 126289
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SPB20N60C2INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
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SPB20N60C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 20.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.95 EUR
20+4.38 EUR
25+3.93 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SPB20N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.17 EUR
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SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.09 EUR
38+6.2 EUR
50+4.88 EUR
200+4.05 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+5.5 EUR
50+4.28 EUR
100+3.88 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
200+4.05 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.98 EUR
3000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C5
auf Bestellung 16350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.7 EUR
10+7.02 EUR
100+5.21 EUR
500+4.57 EUR
1000+3.86 EUR
2000+3.8 EUR
5000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N65C3
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB21N10INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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SPB21N10 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB21N10TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3
Produktcode: 115739
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SPB21N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.63 EUR
100+3.8 EUR
500+3.47 EUR
1000+2.93 EUR
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SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.14 EUR
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SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2422 Stücke:
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SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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