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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPB17N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.56 EUR
25+5.89 EUR
100+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+6.18 EUR
100+4.63 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.37 EUR
5000+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.58 EUR
46+3.75 EUR
59+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
200+4.66 EUR
500+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.22 EUR
36+6.54 EUR
50+5.78 EUR
200+4.66 EUR
500+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 7951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.34 EUR
10+6.19 EUR
100+4.4 EUR
500+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.58 EUR
46+3.67 EUR
59+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3E3045InfineonSPB17N80C3E3045 SPB17N80C3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18N06P
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06P GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.26 EUR
100+1.48 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGInfineon TechnologiesDescription: SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGInfineon technologies
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
245+0.69 EUR
249+0.65 EUR
253+0.62 EUR
258+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.36 EUR
177+0.98 EUR
200+0.93 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.98 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
518+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
249+0.69 EUR
253+0.67 EUR
258+0.64 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGINCT-ND
auf Bestellung 10891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB2Carlo Gavazzi Inc.Description: SEN MAG PROX RECT BISTABLE
Packaging: Box
Package / Case: Box
Type: Switch
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Wire Leads
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB2Carlo GavazziIndustrial Hall Effect/Magnetic Sensors MAGNETIC RECTANGULAR PROX. SENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20-16PSWAmphenolConnector MIL Spec Circular
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB200-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG200
Packaging: Bag
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB2000-PKSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB2000-YLSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB204 EVKH&D Wireless ABDescription: EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: HDG204
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; 802.11 b/g (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Supplied Contents: Board(s)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB2045DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 275A
Max. forward voltage: 0.55V
Application: photovoltaic solar cell protection
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.59 EUR
106+0.8 EUR
118+0.73 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB205H&D Wirelesscomplete WLAN System In Package
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SPB205-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI BOARD 802.11 BGN STM32
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG205
Packaging: Bag
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.28 EUR
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SPB2050DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 50V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 275A
Max. forward voltage: 0.55V
Application: photovoltaic solar cell protection
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5mA
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
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SPB209A-LRNMQ-1H&D WirelessCategory: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: IoT; Bluetooth: 4.2; 17dBm; WiFi; GPIO,PCM,SDIO,UART; SMD
Type of communications module: IoT
Bluetooth version: 4.2
Transmitter output power: 17dBm
Kind of network: WiFi
Supply voltage: 3...3.6V DC
Interface: GPIO; PCM; SDIO; UART
Transfer rate: 433Mbps
Mounting: SMD
Dimensions: 14x14x2.5mm
Ciphering: WEP; WPA2; WPA
Receiver sensitivity: -98dBm
Number of terminals: 41
Operating system: Linux
Operating temperature: -40...85°C
Band: 2.4GHz; 5GHz
Kind of package: bag
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SPB20N60C2
Produktcode: 126289
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SPB20N60C2INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB20N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+5.95 EUR
100+4.32 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.06 EUR
5000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.95 EUR
20+4.38 EUR
25+3.93 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
37+6.28 EUR
50+4.97 EUR
200+4.12 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.05 EUR
2000+2.86 EUR
3000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.97 EUR
200+4.12 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
10+5.63 EUR
100+3.97 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPB20N60C5
auf Bestellung 16350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPB20N60S5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
500+4.36 EUR
1000+3.69 EUR
2000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N65C3
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N10INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N10 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N10TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3
Produktcode: 115739
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+5.09 EUR
100+3.92 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.15 EUR
2000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
10+5.96 EUR
100+4.22 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.15 EUR
2000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
47+5.01 EUR
100+3.77 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB21N50C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Case: D2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB22-41PSWAmphenolMiniature Cylindrical Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB22-55PSWAmphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector SPB 55C 55#20 PIN/SKT RECP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB228-D-1H&D WirelessCategory: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: IoT; Bluetooth: 5.0; 16dBm; WiFi; SMD; 16x12x1.7mm
Type of communications module: IoT
Bluetooth version: 5.0
Transmitter output power: 16dBm
Kind of network: WiFi
Supply voltage: 3...3.47V DC
Interface: GPIO; JTAG; PCIe 3.0; SDIO; UART; USB 3.0
Transfer rate: 800Mbps
Mounting: SMD
Dimensions: 16x12x1.7mm
Ciphering: WEP; WPA2; WPA
Connection: I-PEX (u.FL) x2
Receiver sensitivity: -100dBm
Number of terminals: 96
Operating system: Android; Linux
Operating temperature: -40...85°C
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4+26.8 EUR
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SPB228-D-2H&D WirelessWLAN+BT Module 2400MHz/5000MHz SMD Module T/R
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SPB22MTCARLO GAVAZZICategory: Resistive Magnetic Sensors
Description: Sensor: magnetic field
Type of sensor: magnetic field
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SPB232ACT
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SPB25MVW
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SPB300A
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SPB300ABA0PBK
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