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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7855TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 8296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+1.91 EUR
100+1.52 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 14434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+1.66 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInternational RectifierN-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.4 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.08 EUR
170+0.85 EUR
200+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
auf Bestellung 8051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1IR07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1-TR
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1GPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRIR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRPBFIR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D2
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904IR05+ SOP-8;
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFIR05+ QFP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.58 EUR
100+1.16 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.76 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.37 EUR
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IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48648 Stücke:
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IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
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95+1.55 EUR
130+1.11 EUR
200+1.01 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF7904TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7905Infineon / IRMOSFETs
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IRF7905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
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IRF7905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
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IRF7905PBFInternational Rectifier2N-Ch 30V 7.8A 8.9A Транзистори
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IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.47 EUR
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IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7905TRPBF
Produktcode: 111317
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IRF7905TRPBFIOR
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IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
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IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.52 EUR
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IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A
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10+1.76 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7907Infineon / IRMOSFET
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IRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
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IRF7907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 78285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
8000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.86 EUR
121+1.19 EUR
200+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.7 EUR
8000+0.65 EUR
12000+0.63 EUR
20000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910IRSO-8
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInfineon / IRMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TR
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRBF
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7923TRPBFIOR
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IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
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IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET
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IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 58515 Stücke:
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10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
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IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
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