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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Harris CorporationDescription: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMN-кан. MOSFET 500V, 4A, 2.5Ом, 80Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 17799
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 220162
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820HARRISIRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820N-кан. MOSFET 500V, 2.5A, 3.0Ом, 50Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 214393
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
auf Bestellung: 39 St.
  • 39 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.82 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820HARRISIRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASiliconixN-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820A TIRF820a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+845.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.26 EUR
80+2.09 EUR
113+1.42 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
114+1.5 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.34 EUR
100+1.63 EUR
500+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
89+2.62 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.82 EUR
57+1.51 EUR
66+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 3497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.31 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.34 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
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IRF820APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
87+2.67 EUR
108+2 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF820APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.31 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF820APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820AS
Produktcode: 130524
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF820ASD2Pack Транзистори
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IRF820ASIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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IRF820ASPBFIR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
43+2 EUR
49+1.77 EUR
64+1.33 EUR
100+1.19 EUR
250+1.05 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRF820ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
50+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF820ASPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASTRR
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Bonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel B-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF820B
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820B_F080onsemi / FairchildMOSFET TBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820B_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 360 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.88 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.07 EUR
139+1.2 EUR
140+1.14 EUR
159+0.96 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.14 EUR
100+1.58 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+658.57 EUR
2+592.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 13167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.48 EUR
118+1.44 EUR
140+1.19 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFIRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.09 EUR
86+0.99 EUR
91+0.94 EUR
100+0.88 EUR
250+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.75 EUR
122+1.36 EUR
124+1.3 EUR
144+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+309.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
109+2.14 EUR
143+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.75 EUR
122+1.39 EUR
124+1.34 EUR
144+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.24 EUR
140+1.21 EUR
159+1.05 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 13183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.21 EUR
117+1.43 EUR
118+1.36 EUR
140+1.11 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF820PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
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IRF820PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
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IRF820PBF/IRIR08+;
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IRF820SIR09+
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IRF820SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF820SPBF
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IRF820SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF820SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
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