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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820HARRISIRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 220162
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820HARRISIRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820N-кан. MOSFET 500V, 2.5A, 3.0Ом, 50Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 214393
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
auf Bestellung: 39 St.
  • 39 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.82 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Harris CorporationDescription: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMN-кан. MOSFET 500V, 4A, 2.5Ом, 80Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 17799
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASiliconixN-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820A TIRF820a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
114+1.5 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.34 EUR
100+1.63 EUR
500+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
89+2.62 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.82 EUR
57+1.51 EUR
66+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 3497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.31 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+845.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.26 EUR
80+2.09 EUR
113+1.42 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBFInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.34 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
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IRF820APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
87+2.67 EUR
108+2 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF820APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.31 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF820ASD2Pack Транзистори
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IRF820ASIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820AS
Produktcode: 130524
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF820ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
50+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF820ASPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Транзистори
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IRF820ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.27 EUR
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IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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IRF820ASPBFIR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
43+2 EUR
49+1.77 EUR
64+1.33 EUR
100+1.19 EUR
250+1.05 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRF820ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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IRF820ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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IRF820ASTRR
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820B
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820Bonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel B-FET
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IRF820BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IRF820B_F080onsemi / FairchildMOSFET TBD
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IRF820B_NLonsemi / FairchildMOSFET
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IRF820LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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IRF820LVishay / SiliconixMOSFETs
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IRF820LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.09 EUR
86+0.99 EUR
91+0.94 EUR
100+0.88 EUR
250+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.75 EUR
122+1.36 EUR
124+1.3 EUR
144+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+309.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
109+2.14 EUR
143+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.75 EUR
122+1.39 EUR
124+1.34 EUR
144+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.24 EUR
140+1.21 EUR
159+1.05 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 13183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.21 EUR
117+1.43 EUR
118+1.36 EUR
140+1.11 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 360 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.88 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.07 EUR
139+1.2 EUR
140+1.14 EUR
159+0.96 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.14 EUR
100+1.58 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+658.57 EUR
2+592.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 13167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.48 EUR
118+1.44 EUR
140+1.19 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBFIRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF820PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.8 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF820PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF820PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.5A, TO-220AB
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Qualifikation: -
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auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF820PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF820SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF820SPBF
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IRF820SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF820SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 145 Stücke:
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1+5.24 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.62 EUR
5000+1.56 EUR
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IRF820SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF820SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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