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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF830ASPBFIRF830ASPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.06 EUR
2400+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.73 EUR
100+2.37 EUR
500+1.95 EUR
800+1.86 EUR
2400+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRPBFIR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830Bonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
349+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.44 EUR
100+1.25 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
131+1.77 EUR
165+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.42 EUR
939+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830NPBFIR
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 16430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.25 EUR
97+1.73 EUR
98+1.64 EUR
99+1.56 EUR
115+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF
Produktcode: 163342
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.02 EUR
10+0.92 EUR
100+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.01 EUR
100+1.95 EUR
150+1.59 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3 EUR
98+1.75 EUR
99+1.69 EUR
100+1.63 EUR
115+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF
Produktcode: 17846
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/53
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 4421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
66+3.52 EUR
100+2.25 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3 EUR
98+1.7 EUR
99+1.63 EUR
100+1.55 EUR
115+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 16416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.8 EUR
97+1.75 EUR
98+1.69 EUR
115+1.42 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.31 EUR
68+1.26 EUR
88+0.98 EUR
97+0.88 EUR
108+0.8 EUR
150+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 11303 Stücke:
Lieferzeit 130-134 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.26 EUR
100+1.65 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBFN-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
103+2.26 EUR
108+1.99 EUR
114+1.88 EUR
121+1.77 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.37 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF/VISHAYVIAHAY08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830RHARRISIRF830R
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF830SPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830S
Produktcode: 108365
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.43 EUR
94+1.77 EUR
110+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFTO-263 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.25 EUR
687+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3 EUR
100+1.82 EUR
1000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
77+3.02 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.65 EUR
266+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLIR
auf Bestellung 8680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3 EUR
100+2.49 EUR
500+1.86 EUR
800+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF831Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
158+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRF8313PBF
Produktcode: 23488
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.51 EUR
10+2.27 EUR
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IRF8313PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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IRF8313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF8313PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
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IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF8313TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF8313TRInfineon2xN-MOSFET HEXFET 9.7A 30V 2W 0.0155Ω IRF8313 TIRF8313
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
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IRF8313TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,7, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 943 Stücke:
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IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF8327STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
auf Bestellung 4538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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