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SSM3K14TTE85LFToshibaMOSFET X34 Pb-F TSM S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd=700mW F=1MHz
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SSM3K15
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
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SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.43 EUR
672+0.25 EUR
679+0.24 EUR
751+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
auf Bestellung 41149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
15+0.24 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 10241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
89+0.24 EUR
103+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 712 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
878+0.26 EUR
1012+0.21 EUR
1368+0.15 EUR
1471+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.093 EUR
1997+0.088 EUR
2025+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1909 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 7455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
878+0.26 EUR
1012+0.21 EUR
1368+0.15 EUR
1471+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 7455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 7228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
15+0.23 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.087 EUR
30000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 36950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
68+0.31 EUR
94+0.23 EUR
108+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(BToshibaSSM3K15ACTC,L3F(B
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
697+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 697 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 7527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.61 EUR
715+0.32 EUR
1058+0.2 EUR
1439+0.15 EUR
1546+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 9155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
710+0.32 EUR
1211+0.18 EUR
1662+0.13 EUR
2080+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 44994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
74+0.29 EUR
104+0.2 EUR
119+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 17439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
17+0.2 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.094 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 44942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.095 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1298+0.14 EUR
1343+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 93356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.24 EUR
1004+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.1 EUR
12000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 93833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1568+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.68 EUR
878+0.26 EUR
1128+0.19 EUR
1431+0.15 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 6048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.24 EUR
1004+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.68 EUR
878+0.26 EUR
1128+0.19 EUR
1431+0.15 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 93833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1568+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFSLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
110+0.19 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 17991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
18+0.19 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 897 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 11087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1431+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 93530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 94082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1439+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 23602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
935+0.25 EUR
1195+0.18 EUR
1513+0.14 EUR
1777+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 93530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 23602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.64 EUR
935+0.25 EUR
1195+0.18 EUR
1513+0.14 EUR
1777+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 77071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
15+0.23 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.09 EUR
8000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.067 EUR
16000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.087 EUR
24000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.063 EUR
16000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 78562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
98+0.21 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
auf Bestellung 6850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+0.25 EUR
1153+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
935+0.25 EUR
1195+0.18 EUR
1777+0.12 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.64 EUR
935+0.25 EUR
1195+0.18 EUR
1777+0.12 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 13926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
auf Bestellung 26002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
113+0.19 EUR
130+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(BToshibaSSM3K15F,LF(B
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.073 EUR
2519+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 27004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2101+0.1 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 27004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2101+0.1 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1664+0.11 EUR
2218+0.079 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 1664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(DP)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(T5L.F.T)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSLF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSTE85L
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FUTOSHIBA
auf Bestellung 201200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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