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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(BToshibaSSM3K15F,LF(B
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.071 EUR
2519+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 27004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1664+0.11 EUR
2218+0.079 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 27004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(DP)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(T5L.F.T)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSLF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FSTE85L
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FUTOSHIBA
auf Bestellung 201200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FVTOSHIBA2006
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15FV(TPL3.Z)
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TETOSHIBASOT-423 0612+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TE TE85L.F SOT416-DP PB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 10174 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DP
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-DPTOSHIBA
auf Bestellung 74200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TE(TE85L)SOT416-DPTOSHIBA
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15TETE85L.FSOT416-DPPB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 3974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
523+0.33 EUR
847+0.2 EUR
855+0.19 EUR
1227+0.13 EUR
1229+0.12 EUR
1563+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1227+0.14 EUR
1563+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
auf Bestellung 6059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
116+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
auf Bestellung 3802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V SOT-883-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3F(BToshibaSSM3K16CT,L3F(B
auf Bestellung 9210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+0.3 EUR
619+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 31384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 13990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13990+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 13990 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CTC,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
auf Bestellung 7880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.4 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.094 EUR
10000+0.075 EUR
20000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+0.37 EUR
579+0.3 EUR
583+0.29 EUR
1208+0.13 EUR
1219+0.12 EUR
1229+0.12 EUR
1627+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FSTOSHIBA
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FS/DS
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 14480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 14480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.093 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 32564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
auf Bestellung 29064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
56+0.38 EUR
113+0.19 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1397+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 32820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 15677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1091+0.17 EUR
1318+0.13 EUR
1656+0.1 EUR
2084+0.08 EUR
2278+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 32820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FULF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FVTOSHIBA09+
auf Bestellung 69018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV(TL3SONYZ)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 8010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV(TPL3)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV(TPL3,Z)ToshibaMOSFETs Pb-F VESM S-MOS(LF),ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV(TPL3Z)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
auf Bestellung 26457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.08 EUR
5000+0.063 EUR
8000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FVL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16TETOSHIBA
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L)TOSHIBASOT323-DM
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-TOSHIBA
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
auf Bestellung 189200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L)SOT323-DM
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU(TE85L,F)TOSHIBASOT323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
auf Bestellung 31774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
12+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
auf Bestellung 90743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.076 EUR
30000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
auf Bestellung 29940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
auf Bestellung 29940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17FUSOT323-DMTOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17SU,LFToshibaMOSFET 50V VDS 7V VGSS 100mA ID 150mW
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K17SU,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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