Produkte > ssm
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SSM3K14T(TE85LF) | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K14TTE85LF | Toshiba | MOSFET X34 Pb-F TSM S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd=700mW F=1MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Supplier Device Package: CST3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba | MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 126 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 5949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | MOSFETs Small-signal MOSFET | auf Bestellung 14509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 5949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 4746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F(B | Toshiba | Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type | auf Bestellung 9120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R | auf Bestellung 7465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACT,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm | auf Bestellung 5920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3C Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 19996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3C Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba | MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | auf Bestellung 19939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F(B | Toshiba | SSM3K15ACTC,L3F(B | auf Bestellung 9360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST-C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm | auf Bestellung 9155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15ACTC,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm | auf Bestellung 9155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFS,LF | Toshiba | MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | auf Bestellung 5582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 34239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 93356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFS,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 6048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFSLF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFU,LF | Toshiba | MOSFETs Small-Signal MOSFET | auf Bestellung 17991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Part Status: Active Supplier Device Package: USM Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Part Status: Active Supplier Device Package: USM Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(B | Toshiba | Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type | auf Bestellung 11087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(B | Toshiba | Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 2053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 12510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 34922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 94082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 34672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 103462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F | Toshiba | MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | auf Bestellung 15498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM | auf Bestellung 6850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15AMFV,L3F(T | Toshiba | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T; SSM3K15AMFV,L3F(T TSSM3k15amfv Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 2839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm | auf Bestellung 35633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm | auf Bestellung 35633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | auf Bestellung 13926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15F(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2810 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15F,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15F,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V | auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: S-Mini Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V | auf Bestellung 35111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: S-Mini Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF(B | Toshiba | SSM3K15F,LF(B | auf Bestellung 3142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm | auf Bestellung 27004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15F,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm | auf Bestellung 27004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K15FS | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FS(DP) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K15FS(T5L.F.T) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K15FS(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FSLF(T | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FSTE85L | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K15FU | TOSHIBA | auf Bestellung 201200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K15FU(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2227 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FV | TOSHIBA | 2006 | auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15FV(TPL3.Z) | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K15TE | TOSHIBA | SOT-423 0612+ | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15TE TE85L.F SOT416-DP PB-FREE | TOSHIBA | auf Bestellung 10174 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K15TE(TE85L) | TOSHIBA | SOT416-DP | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SSM3K15TE(TE85L) SOT416- | TOSHIBA | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K15TE(TE85L) SOT416-DP | TOSHIBA | auf Bestellung 74200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K15TE(TE85L)SOT416-DP | TOSHIBA | auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K15TETE85L.FSOT416-DPPB-FREE | TOSHIBA | auf Bestellung 3974 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SSM3K16 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
