Produkte > SSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SSM3K333RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K333RLXGF(B | Toshiba | SOT23 N CHAN 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K335R | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K335R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF | Toshiba | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 4 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Очікується: 287 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K335R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 26352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF | Toshiba | MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF | auf Bestellung 13750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K335R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 4929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF(B | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 6A; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 6A Case: SOT23F Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 722 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K335R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 4942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 12255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 12255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K335RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K336R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF | Toshiba | MOSFETs Small Signal Mosfet | auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K336R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V | auf Bestellung 9063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 2868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF(B | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 3A; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 3A Case: SOT23F Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 475 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K336R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm | auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K336R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm | auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V | auf Bestellung 12304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K337R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K337RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.1nC Version: ESD | auf Bestellung 7409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | auf Bestellung 318976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF Produktcode: 177600
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | auf Bestellung 318000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF | Toshiba | MOSFETs Small Signal MOSFET | auf Bestellung 230205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF | Toshiba | MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF(B | TOSHIBA | Category: Transistors - Unclassified Description: SSM3K339R,LF(B | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 926 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 10161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 12071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R | Toshiba | N-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 1200 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 85 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K341R LXHF | Toshiba | SOT23 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 113349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 113190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET | auf Bestellung 93368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A SOT-23F | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A Power dissipation: 2.4W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 24A | auf Bestellung 4556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 16033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 31 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LVARF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET | auf Bestellung 5266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(B | auf Bestellung 12096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SOT23 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(B | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(T | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(T | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(T | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(T | auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341RLVARF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341RLXGF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341RLXHF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V | auf Bestellung 3067 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 72221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | MOSFET N-CH 60V 6A UFM Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A UFM | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive UFM | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET | auf Bestellung 8853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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