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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K347R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.55 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
35+0.6 EUR
100+0.3 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357RToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 8191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshibaTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
auf Bestellung 5554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF
Produktcode: 197600
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF(BToshibaSSM3K357R,LF(B
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.33 EUR
557+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
824+0.21 EUR
963+0.18 EUR
1017+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 824 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.32 EUR
658+0.26 EUR
758+0.23 EUR
845+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357R,LXGF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
792+0.23 EUR
924+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 792 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K357RLXGFToshiba SOT23 N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 15628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
85+0.25 EUR
137+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.35 EUR
706+0.24 EUR
713+0.23 EUR
1595+0.099 EUR
1611+0.094 EUR
1624+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 114748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
11+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.071 EUR
9000+0.058 EUR
24000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.069 EUR
15000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 788537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
20+0.18 EUR
100+0.077 EUR
1000+0.058 EUR
8000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 16677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.37 EUR
743+0.23 EUR
751+0.21 EUR
1673+0.094 EUR
1690+0.089 EUR
1707+0.084 EUR
2986+0.046 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1690+0.1 EUR
1707+0.1 EUR
2986+0.057 EUR
3013+0.055 EUR
6000+0.044 EUR
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.071 EUR
16000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
auf Bestellung 14398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.18 EUR
1007+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.13 EUR
1469+0.12 EUR
1670+0.1 EUR
2000+0.095 EUR
8000+0.088 EUR
16000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.13 EUR
48000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40000+0.14 EUR
48000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 7682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
116+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshibaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .18A
auf Bestellung 19505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1177+0.15 EUR
1181+0.14 EUR
1265+0.13 EUR
2106+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
533+0.32 EUR
538+0.31 EUR
1177+0.13 EUR
1265+0.11 EUR
2106+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
auf Bestellung 9950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.17 EUR
1104+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTTPL3
auf Bestellung 15310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35FSToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaMOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFVL3XGF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
auf Bestellung 96231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 27590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(BToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.79 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
411+0.42 EUR
503+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
15000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
auf Bestellung 5613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.7 EUR
10+1.09 EUR
100+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RLXGF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
auf Bestellung 6401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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