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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
21+0.86 EUR
100+0.74 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF
Produktcode: 202860
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
auf Bestellung 12806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.41 EUR
10+1.51 EUR
100+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1 EUR
179+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910IRSO-8
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBF
Produktcode: 32112
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.0134
Ciss, pF/Qg, nC: 04.07.960
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.6 EUR
10+0.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 10, Rds = 14,6 мОм, Ugs(th) = 1,65...2,65 @ Uds = Ugs, 250 uA, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 188 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.97 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915IRSO-8
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915PBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915PBFIOR0748+
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.42 EUR
352+0.39 EUR
353+0.37 EUR
354+0.34 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.47 EUR
100+1.14 EUR
250+1.13 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.41 EUR
353+0.4 EUR
354+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
566+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF901D1IOR09+
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9020TR
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9024NIR0649+ TO-252;
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9024NTRPBF
Produktcode: 171195
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9024NTRPBF
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9110TF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9120HARRISCAN-3
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9122NA03+ TSOP8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9123HAR00+ TO-39;
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130(HEXFET P-CH 100V 12A 88W 0.3OM TO-204) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130INFINEONDescription: INFINEON - IRF9130 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 11 A, 0.3 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130IR/MOT
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130CECCInternational RectifierDescription: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130SMD05TT Electronics - IoT SolutionsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130SMD05.01DASemelab (TT electronics)IRF9130SMD05.01DA^SEMELAB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9131IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9132IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9133IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9133International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+9.49 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9139IR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9139TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140INFINEONDescription: INFINEON - IRF9140 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9140SCXInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9141IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9142IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9143International RectifierDescription: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
FET Feature: Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9143IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9150IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9151IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9160A2NA03+ TSOP8
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9204NInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9204NPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7676 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9204PBFInternational RectifierMOSFET, P-CHANNEL, -40V, -74A, 19MOHM, 149 NC QG, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9220IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9221IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9222IR\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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