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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF8721TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesIRF8721TRPBFXTMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734IRSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8734PBF - IRF8734 - 20V-100V N-CHANNEL SMALL POWER
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734PBF
Produktcode: 26537
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.64 EUR
10+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734PBFPower MOSFET, N-Channel, SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TR (printing IRF7834)InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
auf Bestellung 114234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.23 EUR
50+1.67 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.02 EUR
105+2.21 EUR
250+1.68 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.28 EUR
73+1.18 EUR
95+0.9 EUR
109+0.79 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.92 EUR
12000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
105+2.21 EUR
250+1.68 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3175 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 4,5 В, Rds = 3.5 мОм @ 2 1A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOICW-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+1.68 EUR
100+1.38 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.95 EUR
4000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736International RectifierN-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736PBFMOSFET N-CH 30V 18A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736PBF
Produktcode: 155550
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 23723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
138+1.56 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.82 EUR
12000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
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98+1.76 EUR
163+1.04 EUR
165+1.01 EUR
224+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
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IRF8736TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
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  • 99 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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616+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
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165+0.98 EUR
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IRF8736TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 23723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
138+1.56 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF8736TRPBFMOSFET N-CH 30V 18A SOIC-8 Транзистори
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IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 66930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
2000+0.92 EUR
4000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF8736TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
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IRF8788Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788PBF
Produktcode: 32111
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
Montage: SMD
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.33 EUR
10+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.2 EUR
170+0.98 EUR
172+0.93 EUR
196+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.9 EUR
126+1.36 EUR
159+1.05 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
108+2.17 EUR
140+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.9 EUR
126+1.32 EUR
159+1.01 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.65 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
auf Bestellung 10585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.64 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.95 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBF
Produktcode: 202860
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.01 EUR
172+0.99 EUR
196+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
108+2.17 EUR
140+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8788TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910IRSO-8
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBF
Produktcode: 32112
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.71 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8910TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRF8910TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 10, Rds = 14,6 мОм, Ugs(th) = 1,65...2,65 @ Uds = Ugs, 250 uA, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 188 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
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114+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.15 EUR
100+0.96 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8910TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF8910TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
146+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8910TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
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IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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