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Jan2N3507LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3507LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3507SMOTOROLA
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JAN2N3543MOTOROLA
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JAN2N3544MOTOROLA
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JAN2N3545MOTOROLA
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JAN2N3546MOTOROLA
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JAN2N3547MOTOROLA
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JAN2N3548MOTOROLA
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JAN2N3549MOTOROLA
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JAN2N3553MOT
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JAN2N3554MOTOROLA
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JAN2N3570MOTOROLA
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JAN2N3571MOTOROLA
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JAN2N3572MOTOROLA
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JAN2N3584Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/384
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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JAN2N3584MOT98+ TO-66
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JAN2N3584Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT
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JAN2N3585Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/384
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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JAN2N3585MOT
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JAN2N3585Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N3585PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3634MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N3634Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
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Jan2N3634Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N3634LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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Jan2N3634LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N3634UBMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N3634UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3634UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3635Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3635MOTOROLA
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3635Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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Jan2N3635LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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Jan2N3635LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JAN2N3635UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3635UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3635UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3635UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JAN2N3636Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3636Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
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JAN2N3636MOTOROLA
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jan2N3636LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3636LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3636UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3636UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3636UB/TRMicrosemi CorporationDescription: TRANS PNP 175V 10UA UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3636UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN2N3637Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3637Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.65 EUR
10+20.47 EUR
500+19.87 EUR
1000+19.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3637/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3637LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3637LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3637L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3637UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3637UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3637UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N3671MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3671AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3672MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3672AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3673MOTOROLA
auf Bestellung 28900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3673AMOTOROLA
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3674MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3674AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3675MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3675AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3676MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3676AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3677MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3677AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3678MOTOROLA
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JAN2N3684MOTOROLA
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JAN2N3685MOTOROLA
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JAN2N3700onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN2N3700Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
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1+7.41 EUR
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JAN2N3700Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Jan2N3700/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 345 Stücke
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JAN2N3700UBMICROSEMIUB/NPN TRANSISTOR 2N3700
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N3700UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3700UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3700UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3701MOTOROLA
auf Bestellung 16590 Stücke:
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JAN2N3701AMOTOROLA
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3715Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN2N3715
auf Bestellung 146 Stücke:
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JAN2N3716Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W NPN Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3716Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/408
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3716MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3720MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3724Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JAN2N3724MOTOROLA
auf Bestellung 22000 Stücke:
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JAN2N3724LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JAN2N3724SMOTOROLA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3724UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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