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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.24 EUR
1216+0.13 EUR
1863+0.086 EUR
2353+0.065 EUR
2681+0.055 EUR
7247+0.019 EUR
7353+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 281 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9346+0.069 EUR
10490+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 232885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 514290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12030000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7463+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 7463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.067 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3774 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1863+0.093 EUR
2353+0.073 EUR
2681+0.062 EUR
7247+0.023 EUR
7353+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1863 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12030000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7463+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 7463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 513000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G(Transistor)
Produktcode: 49592
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G1100
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G1100-200
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1HON SemiconductorMMBT5551LT1H
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.24 EUR
1086+0.15 EUR
1093+0.14 EUR
1640+0.094 EUR
1656+0.089 EUR
2416+0.058 EUR
3145+0.043 EUR
3691+0.037 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 19085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.063 EUR
5000+0.055 EUR
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 19571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.062 EUR
5000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G
Produktcode: 107209
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
30000+0.044 EUR
50000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1656+0.1 EUR
2416+0.07 EUR
3145+0.052 EUR
3691+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LTI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
170+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.079 EUR
2000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
auf Bestellung 51719 Stücke:
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11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.065 EUR
5000+0.052 EUR
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MMBT5551M3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
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MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
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8000+0.052 EUR
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MMBT5551M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT5551QYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.3W 0.6A 180V Transi
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
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3000+0.048 EUR
15000+0.046 EUR
30000+0.044 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.038 EUR
300000+0.033 EUR
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MMBT5551QYangjie Electronic TechnologyNPN General Purpose Amplifier
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6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
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MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
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5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.32 EUR
500+0.29 EUR
3000+0.14 EUR
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MMBT5551Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551Q-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551TGOODWORKDescription: NPN600mA 160V 200mW SOT-523
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3000+0.025 EUR
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MMBT5551W-AU-R1PanjitBipolar Transistors - BJT
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MMBT5551W-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5551W-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TRANS 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.057 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551W-AU_R1_007A1PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
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7+0.52 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
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MMBT5551W-R1-00701PanjitBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.058 EUR
21000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 21563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
148+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT5551W_R1_00701PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551W_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
auf Bestellung 14071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_NLonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5551_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
125+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_R1_00001PanJitTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5571-NL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT560TC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT56WT1G
auf Bestellung 3284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT571LT1
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5770
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5770Fairchild SemiconductorDescription: TRANSISTOR RF NPN SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5770(3T)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5771ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 0.2A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5771FAIRCHIL10+ DO-214
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5771ON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 15V/ 200mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5817LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT581910+ SOD-323
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5819LT1
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5819T1GON09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT589
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
137+0.15 EUR
224+0.094 EUR
500+0.068 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT589-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
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MMBT589-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
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MMBT589Lonsemionsemi SS SOT23 LS XSTR PNP 50V
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MMBT589LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
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MMBT589LT1ONSOT-23
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MMBT589LT1(G3)ON
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MMBT589LT1/G3ON
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MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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