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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5168Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5169MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
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2N5169Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N516AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N517MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N5170Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5171Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
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2N5172onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5172onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3
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2N5172Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.094 EUR
5000+0.081 EUR
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2N5172 APMCentral Semiconductor
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2N5172 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5172 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5172 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5172 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 329 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172 TRECentral Semiconductor
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2N5172 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5172 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5172 TRE PBFREECentral Semiconductor2N5172 TRE PBFREE
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5172 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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2N5172 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5172_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5172_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5176MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5177MOTOROLA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5179Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
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2N5179Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179MicrosemiTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.09 EUR
20+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179MICROSEMITO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 12V 50MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179-NRCMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: TO-72
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
35+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5179AMOTOROLA
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N517AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N518MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5180MOTOROLA
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5181MOTOROLA
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5182MOTOROLA
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5183MOTOROLA
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5184MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5185MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5186MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5187MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5188MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+11.27 EUR
100+9.4 EUR
500+7.98 EUR
1000+7.96 EUR
2500+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N518AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N519MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190onsemiBipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190On SemiconductorNPN 4A 40V TO-225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190onsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 25...100
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
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2N5190GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5190GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
142+1.64 EUR
203+1.06 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5190GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5191MOTOROLA
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5191STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2N5191Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N5191onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
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2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5191On SemiconductorTO126 Транзистори
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2N5191Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5191GONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.6 EUR
302+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 25...100
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
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2N5191GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
auf Bestellung 10985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5191GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 4A TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N5191GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
134+1.74 EUR
199+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5192Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N5192Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5192STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
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2N5192STNPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5192onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
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2N5192 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5192 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
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