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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
250+0.94 EUR
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2500+0.8 EUR
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BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 19291 Stücke:
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2+2.14 EUR
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100+0.88 EUR
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2500+0.58 EUR
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BSZ340N08NS3GInfineon technologies
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 77601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
173+1.34 EUR
249+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
210+0.82 EUR
211+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
auf Bestellung 7461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 6490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.74 EUR
100+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 23, Ciss, пФ @ Uds, В = 630 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 @ 12 A, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 @ 12 мкА, Р, Вт = 2,1 (Ta), 32 (Tc), Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
147+1.14 EUR
148+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.02 EUR
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
104+1.63 EUR
105+1.55 EUR
133+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 10958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.48 EUR
100+1.17 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 13057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.77 EUR
100+1.25 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
79+2.98 EUR
105+2.05 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3 GInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 76288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3G
Produktcode: 155825
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 97764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.7 EUR
186+1.25 EUR
254+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.36 EUR
92+0.94 EUR
106+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
auf Bestellung 6182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 42739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.68 EUR
100+2.52 EUR
250+2.37 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 24297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.52 EUR
100+2.25 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.95 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 20673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.84 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1
Produktcode: 219495
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ520N15NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ6-SS-112LKLSРеле 12В, SPDT Реле електромеханічні та геркони
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
auf Bestellung 15211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3 GInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
142+1.63 EUR
160+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
112+1.55 EUR
128+1.31 EUR
200+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.99 EUR
10000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
10000+0.55 EUR
15000+0.52 EUR
25000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
5000+0.98 EUR
25000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
142+1.63 EUR
160+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
79+2.19 EUR
100+1.71 EUR
250+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
75+2.24 EUR
79+2.06 EUR
100+1.58 EUR
250+1.45 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
auf Bestellung 38392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.61 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
auf Bestellung 29641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.61 EUR
10000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
126+1.71 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.08 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 12310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.28 EUR
100+1.62 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 4841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
85+2.76 EUR
120+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP; 522.517 Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP; 522.517 Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSZS-200-1Lingva-S d.o.o.Трафарет сталь 0,13мм Сторона: ТОР Розніми IDC
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BSZS-300-2Lingva-S d.o.o.Трафарет сталь 0,13мм Сторона: ТОР Розніми IDC
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