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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF13N06LONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06LON SemiconductorFQPF13N06L
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06LON SemiconductorFQPF13N06L
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N06LTUFAIRCHILD03+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10FAIRCHILDFQPF13N10
auf Bestellung 135850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.21 EUR
100000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10FAIRCHILDFQPF13N10
auf Bestellung 7674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10FAIRCHILDFQPF13N10
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 146156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10FAIRCHILDFQPF13N10
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF13N10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 146156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10Lonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N10_NLonsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF13N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.53 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50
Produktcode: 42632
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.53 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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FQPF13N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF13N50C - QFC 500V 480MOHM TO220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFairchild SemiconductorDescription: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
218+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50C
Produktcode: 130072
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CONS/FAIMOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50ConsemiMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+3.03 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.45 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50C-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
148+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFonsemiMOSFETs HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 4028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+5.62 EUR
100+4.19 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.06 EUR
51+3.26 EUR
100+2.87 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.52 EUR
100+3.07 EUR
500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.52 EUR
100+3.14 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+6.05 EUR
50+4.74 EUR
100+4.31 EUR
500+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CF
Produktcode: 161545
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.1 EUR
50+3.51 EUR
51+3.4 EUR
100+3.05 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Kind of package: tube
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CSDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/13A QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CTC003Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V, 13A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50CT_NLonsemi / FairchildMOSFET 500V, NCH, MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF13N50TonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF14N15FAIRCHILDFQPF14N15
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629+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
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FQPF14N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
371+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
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FQPF14N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF14N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
655+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 655 Stücke
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FQPF14N15FAIRCHILDFQPF14N15
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
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FQPF14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F
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FQPF14N30Fairchild
auf Bestellung 8200 Stücke:
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FQPF15P12ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQPF15P12onsemiDescription: MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
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FQPF15P12onsemiMOSFETs 120V P-Channel QFET
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FQPF15P12ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQPF16N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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FQPF16N15Fairchild SemiconductorDescription: FQPF1611.61500.16OHN-CHANNEMOSFE
Packaging: Tube
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FQPF16N15ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V N-Ch QFET
auf Bestellung 19 Stücke:
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FQPF16N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQPF16N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF16N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 754 Stücke
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FQPF16N25FAIRCHILDFQPF16N25
auf Bestellung 18540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.4 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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FQPF16N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF16N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 71828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
391+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
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FQPF16N25FAIRCHILDFQPF16N25
auf Bestellung 3764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.4 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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FQPF16N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 79828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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FQPF16N25FAIRCHILDFQPF16N25
auf Bestellung 57524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.4 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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FQPF16N25CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQPF16N25Consemi / FairchildMOSFET N-CH/250V /16A/QFET
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FQPF16N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
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FQPF16N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQPF16N25CFAIRCHILD
auf Bestellung 9950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQPF16N25CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 62.4A
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FQPF16N50FAIRCHILD09+
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQPF16N60VBSEMIN-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори
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FQPF17N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
550+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N08FAIRCHILDFQPF17N08
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
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FQPF17N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
972+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 972 Stücke
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FQPF17N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40Tonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Ch QFET
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17N40TonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17P06FAIRCHILDFQPF17P06
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17P06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 64529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17P06FAIRCHILDFQPF17P06
auf Bestellung 7029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF17P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 64529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF17P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N20V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N20V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N20V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N20V2FAIRCHILDFQPF18N20V2
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N20V2YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N20V2YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 84800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N20V2YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 102400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
198+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N50
auf Bestellung 4463 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF18N50V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
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FQPF18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
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FQPF18N50V2FAIRCHILD
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FQPF18N50V2SDTUonsemi / FairchildMOSFET 500V/18A/.265ohm/NCH
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FQPF18N50V2SDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N50V2SDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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FQPF18N50V2Tonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
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