Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | auf Bestellung 31927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 19181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R299CPXKSA1079 | Infineon Technologies | Description: IPA50R299 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R350CP | Infineon technologies | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220FP-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R350CP | Infineon Technologies | Description: 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANNEL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 145500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | auf Bestellung 152025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CE | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R380CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9.9A TO220FP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 29.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Power dissipation: 29.2W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 0.38Ω | auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R399CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A TO220FP-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R399CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.399Ω Drain current: 3.3A Power dissipation: 8.3W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CE | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R500CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 5.4A TO220FP-3 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R500CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 3.4A Power dissipation: 28W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 9878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R500CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R520CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 7A TO220FP-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | auf Bestellung 17824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 8878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.52Ω Drain current: 7.1A Power dissipation: 66W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R650CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R650CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 6.1A TO220FP-3 | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 19071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 48571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R650CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R650CEZKSA2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CE | Infineon technologies | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 5A TO220FP-3 | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.6A Power dissipation: 26.4W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 26.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CE | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 25.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R950CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 4.3A TO220FP-3 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 35500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.95Ω Drain current: 2.4A Power dissipation: 25.7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Case: TO220FP | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 25.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 25.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPA541AP | BB | 91 DIP | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |