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NSVDTC113EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NSVDTC114YM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723 BIAS RES XSTR
auf Bestellung 17833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
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2500+0.096 EUR
5000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NSVDTC114YM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8321 Stücke:
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44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
117+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
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NSVDTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2948 Stücke:
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56+0.38 EUR
88+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC123JET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSVDTC123JET1GonsemiDigital Transistors SMALL SIGNAL BIAS RE
auf Bestellung 254 Stücke:
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8+0.42 EUR
13+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NSVDTC123JM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
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NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
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NSVDTC123JM3T5GonsemiDigital Transistors SOT-723BIAS RESISTOR
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NSVDTC124XET1GonsemiDescription: SS SC75 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSVDTC124XET1GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) BRT-NPN, Automotive
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NSVDTC124XET1GonsemiDescription: SS SC75 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
82+0.26 EUR
132+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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NSVDTC143ZET1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...200
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...200
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDigital Transistors BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 49441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
118+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.077 EUR
16000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144EM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723 BR XSTR NP
auf Bestellung 11525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.077 EUR
8000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144TM3T5GonsemiDigital Transistors SOT723 BIASED RESISTOR TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIASED RESISTOR TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS
auf Bestellung 95900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4752+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144WET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTC144WET1G - RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SC-75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 95900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144WET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Transistor
auf Bestellung 11887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMC2DXV5T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
4000+0.23 EUR
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
32+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUL BRT TR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T5GRochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.21 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMX1DXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMX1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF2250WT1onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 110682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 110911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
882+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 882 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 680-684 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.42 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 110682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 3.5V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
44+0.48 EUR
50+0.43 EUR
100+0.37 EUR
250+0.35 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.81 EUR
100+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.1A; 0.45W; MCPH4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.45W
Case: MCPH4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.74 EUR
407+0.57 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 77788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 6315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.5 EUR
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
37+0.57 EUR
42+0.51 EUR
100+0.44 EUR
250+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.74 EUR
407+0.57 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
226+1.04 EUR
331+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 23995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.12 EUR
10+0.96 EUR
100+0.77 EUR
250+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
226+1.04 EUR
331+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.4 EUR
465+0.37 EUR
466+0.36 EUR
504+0.32 EUR
509+0.3 EUR
540+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
37+0.58 EUR
100+0.5 EUR
250+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
374+0.62 EUR
463+0.46 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
374+0.62 EUR
463+0.46 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
378+0.62 EUR
565+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
378+0.62 EUR
565+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.82 EUR
100+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.37 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.63 EUR
326+0.52 EUR
632+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
419+0.56 EUR
610+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH