Produkte > R60
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| R60200-3CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R60200-3CR | Eaton | Fuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020222PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STANDARD 200V 220A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 220A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020225HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STANDARD 200V 250A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020235ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STANDARD 200V 350A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 350A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020422PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020425HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STANDARD 400V 250A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020435ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STANDARD 400V 350A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 350A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020622PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020625HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020635ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020822PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020825HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020835ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ANX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 20A MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANX | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6020ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANZ | auf Bestellung 4490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6020ANZ8U7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ANZFL1C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 4658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENJTL Produktcode: 216320
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| R6020ENX | ROHM | Description: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET | auf Bestellung 5811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | ROHM | Description: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020FNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 304 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 304 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 304 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020FNX | ROHM | Description: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover | auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | auf Bestellung 1926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bag Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZC8 | ROHM | Description: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 76 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 Verlustleistung: 76 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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