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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP12NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+5.38 EUR
100+4.93 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.8 EUR
2000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50
Produktcode: 32729
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STN-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.63 EUR
46+3.83 EUR
100+3.51 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.28 EUR
15+5.85 EUR
20+4.26 EUR
50+2.82 EUR
100+2.65 EUR
250+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.54 EUR
39+6.08 EUR
100+5.14 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMN-кан. MOSFET 500V, 12A, 0.35Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.66 EUR
45+3.77 EUR
100+3.4 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FDFP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
50+3.44 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: MDmesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 550V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.27 EUR
30+2.92 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.41 EUR
50+5.45 EUR
100+4.97 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 13802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.14 EUR
66+2.61 EUR
100+2.45 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.07 EUR
5000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
45+5.22 EUR
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.4 EUR
100+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP
Produktcode: 116311
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.12 EUR
66+2.64 EUR
100+2.53 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.36 EUR
2500+2.3 EUR
5000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50NST
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50ZFP
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12P06
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12PF06STMTO-220,P-CHANNEL,Vdss=60V,Rds(on)=0.18 Om, Id=12A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1300STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: warning; L: 33m; W: 50mm; PVC; black,yellow
Length: 33m
Colour: black; yellow
Width: 50mm
Material: PVC
Type of tape: warning
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+27.91 EUR
6+26.37 EUR
24+24.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130161AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130161BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.82 EUR
100+1.69 EUR
250+1.68 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
108+2.15 EUR
109+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 80 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130NH02L
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130NS04ZB
Produktcode: 84255
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130NS04ZBSTMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP130NS04ZB-MXSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP135-1R2
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N10
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60FI
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.2 EUR
100+1.77 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.25 EUR
4000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.65 EUR
47+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
50+2.23 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60ZFP
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
97+1.76 EUR
100+1.64 EUR
102+1.54 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
36+6.47 EUR
100+5.33 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.24 EUR
100+3.83 EUR
500+3 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.28 EUR
100+3.15 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.28 EUR
10+3.72 EUR
100+3.39 EUR
500+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STN-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
50+3.71 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+8.16 EUR
100+7.1 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
50+6.83 EUR
100+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N95K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.52 EUR
34+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60Z
Produktcode: 81542
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.95 EUR
61+3.86 EUR
100+3.15 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.33 EUR
100+2.14 EUR
500+1.64 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP13NK60Z TSTP13NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
50+3.38 EUR
100+3.05 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.96 EUR
28+3.09 EUR
32+2.68 EUR
40+2.14 EUR
50+1.87 EUR
100+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+3.42 EUR
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.45 EUR
73+2.4 EUR
100+2.24 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13NK60ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 35W; -55°C ~ 150°C; STP13NK60ZFP TSTP13NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+5.65 EUR
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STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 765 Stücke:
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STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 153 Stücke:
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20+4.46 EUR
31+2.82 EUR
35+2.46 EUR
50+2.23 EUR
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STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
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49+3.64 EUR
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STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
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10+3.36 EUR
100+3.01 EUR
500+2.48 EUR
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