Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRF9532 | HARRIS | IRF9532 | auf Bestellung 10774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9532 | HARRIS | IRF9532 | auf Bestellung 3167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9532 | HARRIS | IRF9532 | auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9532 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | auf Bestellung 19101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9533 | HARRIS | IRF9533 | auf Bestellung 11434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9533 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | auf Bestellung 11834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9533 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9533 | HARRIS | IRF9533 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9536 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF9540 | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540 | Fairchild Semiconductor | Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540 | Siliconix | P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540 | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRF9540 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 180 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540 | Fairchild Semiconductor | IRF9540 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540 | Siliconix | P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540N | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540N | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540N | JSMSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540N | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10378 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NL | International Rectifier | P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NL Produktcode: 15210
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-262 Gebr.: feld- Transistor, 140W /: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 29744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 12381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
3
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 23 Rds(on),Om: 0.117 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97 /: THT | auf Bestellung 641 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 23 А, Ptot, Вт = 140, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 97 @ 10 В, Rds = 117 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 24 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | auf Bestellung 39976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | auf Bestellung 3727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 64.7nC On-state resistance: 0.117Ω Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 29748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NPBF 60K | IR | TO-220 2010+ | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NS | IR | TO-263 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Vishay | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF Produktcode: 62471
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 23 A Rds(on),Om: 117 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73 /: SMD | auf Bestellung 80 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRL | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRL | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRL | International Rectifier | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | auf Bestellung 4508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF Produktcode: 188176
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | auf Bestellung 4508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | auf Bestellung 11993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 17914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF9540NSTRRPBF | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF Produktcode: 22645
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Lieblingsprodukt
| FS | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 19 Rds(on),Om: 0.2 Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61 /: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF Produktcode: 150143
1
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Lieblingsprodukt
| Siliconix | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61 /: THT | auf Bestellung 1 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Очікується: 60 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 3008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET | auf Bestellung 1645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540S | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 1963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540SPBF | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
