Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRF9Z10PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z10PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A | auf Bestellung 1643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z10PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z10PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14 Produktcode: 40267
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 6,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF9Z14 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14L | auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9Z14L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14LPBF | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; 43W; I2PAK,TO262 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Power dissipation: 43W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14LPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Chan 60V 6.7 Amp | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z14PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9Z14PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z14PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 43W (Tc) | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF-BE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Очікується: 1000 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A | auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14SPBF | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14SPBF | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF9Z14SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z14SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z14STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z14STRLPBF | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRR | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRRPBF | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -27A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z14STRRPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20 | auf Bestellung 15035 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9Z20 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z20PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -9.7A Pulsed drain current: -39A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z20PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z20PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z20PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Chan 50V 9.7 Amp | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24 Produktcode: 1329
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24 | Siliconix | P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24L | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24N | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB Packaging: Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | IR | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF9Z24N | International Rectifier | P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24N-ML | MOSLEADER | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
3
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19 Montage: THT | verfügbar: 16 St.
auf Bestellung: 126 St.
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm | auf Bestellung 27046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | verfügbar 4 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 45W Gate charge: 12.7nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -55V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 0.175Ω | auf Bestellung 2765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | auf Bestellung 6924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NS | International Rectifier | P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | auf Bestellung 3028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube | auf Bestellung 1431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9Z24PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9Z24PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |