Produkte > AIK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| AIK | N/A | 06+ | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12F02AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK12F02AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12F02AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK12F02AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12F02AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12F02AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12N04AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12N04AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK12N04AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK12N04AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12N04AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12N04AP024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK12N04AP024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK12N04AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18F05AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18F05AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18F05AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18F05AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18F05AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18F05AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18N08AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AN024-5M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AN024-5M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO Shielding: Shielded Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Sensor Type: Inductive Indicator: No Indicator | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18N08AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18N08AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AP024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK18N08AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK18N08AP024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK30F10AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.394" (10mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK30F10AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30F10AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30F10AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.394" (10mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK30F10AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30F10AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30N15AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30N15AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK30N15AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIK30N15AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30N15AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIK30N15AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB0 | VENTION | AIKB0 HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686020 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686016 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB30N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001612750 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB30N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 188W euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 1486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001612746 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 74A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Low Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 74A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686008 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686004 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 305W euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 305W euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKB50N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | SIC_DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKBE50N65RF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs SIC_DISCRETE | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKC76753 | N/A | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AIKD31551 | N/A | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AIKP20N60CT | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 23130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ100N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 714 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ120N60CT | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 772nC Anzahl je Verpackung: 240 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 772 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 833 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 772nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ120N75CP2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 682W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 731 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 682 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off) Gate Charge: 1256 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 576 W | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKQ200N75CP2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.071kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQB120N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQB120N75CP2ALSA1 | Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKQB200N75CP2ALSA1 | Infineon Technologies | Description: AIKQB200N75CP2ALSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 200A Supplier Device Package: PG-TO247-3-51 Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off) Test Condition: 470V, 200A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 1.256 µC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 938 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Aikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Aikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-22X-90AS-4-1 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-4LD-1 | eInfochips | QCS404 Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-4LD-1 | eInfochips | QCS404 Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-5LD-1 | eInfochips | System on Module - SOM Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-5LD-1 | eInfochips | System on Module - SOM Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-5LS-1 | eInfochips | QCS405 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-40X-5LS-1 | eInfochips | QCS405 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Aikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-10LS-3-1 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with QCS4290 processor based SoM. | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-42X-90AS-4-1 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-51X-65LD-8 | eInfochips | Dev kit with QRB5165 processor based SoM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-51X-65LD-8 | eInfochips | Dev kit with QRB5165 processor based SoM. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-51X-65LS-8 | eInfochips | QRB5165 robotics-focused System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-51X-65LS-8 | eInfochips | QRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-54X-30MD | eInfochips | Aikri-54X-30MD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-54X-30MD | eInfochips | Aikri-54X-30MD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-54X-30MS | eInfochips | AIKRI-54X-30MS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-54X-30MS-8 | eInfochips | QCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AD-8 | eInfochips | AIKRI-64X-90AD-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AD-8-1 | eInfochips | Video Collaboration dev kit with QCS6490 based SoM and accessories | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AD-8-1 | eInfochips | Video Collaboration dev kit with QCS6490 based SoM and accessories | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | SOM with Snapdragon Processor 8GB RAM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90LS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-64X-90LS-8 | eInfochips | SOM with Snapdragon Processor 8GB RAM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-82X-50AD-8 | eInfochips | Dev kit with QCS8250 processor based SoM. | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-82X-50AD-8 | eInfochips | Dev kit with QCS8250 processor based SoM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-82X-50AS-8 | eInfochips | QCS8250 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-82X-50AS-8 | eInfochips | QCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS. | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-85X-50AD-8-1 | eInfochips | 902-00009-010 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-85X-50AS-8-1 | eInfochips | QCS8550 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 256GB UFS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-85X-50AS-8-1 | eInfochips | AIKRI-85X-50AS-8-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-85X-50LD-8 | eInfochips | Dev kit with Aikri-85x-50LS-8 SoM (8GB LPDDR5, 128GB UFS) running downstream Linux based BSP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-85X-50LS-12-2 | eInfochips | QCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 512GB UFS. For Leica Oscar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-4S-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-4S-2-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-4S-4 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-4S-4-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM. | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6S-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC.. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6S-2-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6S-4 | eInfochips | QCS610 System on Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6S-4 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKRI-X10-6S-4-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CT | Infineon Technologies | Infineon DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW30N60CT | Infineon | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW40N65DF5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | AIKW40N65DH5XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 55ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW50N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 55ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N65DF5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed fast IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 Produktcode: 168638
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs SIC_DISCRETE | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW75N60CTE8188XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Verlustleistung: 428 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 365ns Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 69ns Pulsed collector current: 225A Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 365ns Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 69ns Pulsed collector current: 225A Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AIKYX120N75CP2ALSA1 | Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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| AIKYX160N75CP2ALSA1 | Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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| AIKYX200N75CP2ALSA1 | Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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