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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
AIKN/A06+
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AIK12F02AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
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AIK12F02AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
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AIK12F02AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
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AIK12F02AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
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AIK12N04AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
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AIK12N04AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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AIK12N04AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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AIK12N04AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
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AIK12N04AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD
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AIK12N04AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
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AIK12N04AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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AIK18F05AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
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AIK18F05AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
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AIK18F05AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
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AIK18F05AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
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AIK18N08AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
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AIK18N08AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
auf Bestellung 21 Stücke:
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1+136.27 EUR
AIK18N08AN024-5MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER
auf Bestellung 15 Stücke:
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1+142.35 EUR
AIK18N08AN024-5MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
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AIK18N08AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
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AIK18N08AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
auf Bestellung 108 Stücke:
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1+154 EUR
AIK18N08AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+147.29 EUR
10+ 124.03 EUR
25+ 116.28 EUR
AIK18N08AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
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AIK18N08AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
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AIK18N08AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+154 EUR
AIK30F10AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
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AIK30F10AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
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AIK30F10AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
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AIK30F10AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
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AIK30N15AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
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AIK30N15AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
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AIK30N15AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
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AIK30N15AP024-Q65AltechProximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA
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AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
26+ 2.79 EUR
27+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.33 EUR
26+ 2.79 EUR
27+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+ 7.38 EUR
100+ 5.97 EUR
500+ 5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.54 EUR
2000+ 4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686020
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AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 7.38 EUR
100+ 6.03 EUR
250+ 5.98 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686016
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AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+ 7.38 EUR
100+ 5.97 EUR
500+ 5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 7.38 EUR
100+ 6.03 EUR
250+ 5.98 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.54 EUR
2000+ 4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.52 EUR
10+ 8.53 EUR
25+ 8.06 EUR
100+ 6.99 EUR
250+ 6.63 EUR
500+ 5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.57 EUR
10+ 8.06 EUR
25+ 7.59 EUR
100+ 6.5 EUR
250+ 6.14 EUR
500+ 5.77 EUR
1000+ 4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612750
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.31 EUR
10+ 9.98 EUR
25+ 9.44 EUR
100+ 8.14 EUR
250+ 7.75 EUR
500+ 7.05 EUR
1000+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.23 EUR
10+ 10.1 EUR
25+ 9.54 EUR
100+ 8.27 EUR
250+ 7.85 EUR
500+ 7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.57 EUR
10+ 9.7 EUR
100+ 7.85 EUR
500+ 6.99 EUR
1000+ 5.98 EUR
2000+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.23 EUR
10+ 9.44 EUR
100+ 7.63 EUR
500+ 6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612746
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesLow Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.29 EUR
10+ 11.18 EUR
100+ 9.05 EUR
500+ 8.03 EUR
1000+ 7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686008
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.99 EUR
10+ 10.05 EUR
100+ 8.13 EUR
500+ 7.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.04 EUR
10+ 10.11 EUR
25+ 9.83 EUR
100+ 8.16 EUR
250+ 7.93 EUR
500+ 7.28 EUR
1000+ 6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.98 EUR
10+ 12.83 EUR
100+ 10.69 EUR
500+ 9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686004
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+8.49 EUR
2000+ 7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.08 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.92 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.76 EUR
500+ 9.49 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+8.49 EUR
2000+ 7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686000
Produkt ist nicht verfügbar
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.08 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.84 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.76 EUR
500+ 9.52 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.98 EUR
10+ 12.83 EUR
100+ 10.69 EUR
500+ 9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.58 EUR
10+ 26.96 EUR
20+ 26.23 EUR
50+ 24.75 EUR
100+ 23.32 EUR
200+ 22.59 EUR
500+ 21.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+30.08 EUR
10+ 26.51 EUR
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesSIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
AIKC76753N/A
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIKD31551N/A
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIKP20N60CTInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 14130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
160+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 160
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+ 4.68 EUR
18+ 4.05 EUR
19+ 3.83 EUR
250+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+ 4.68 EUR
18+ 4.05 EUR
19+ 3.83 EUR
250+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Produkt ist nicht verfügbar
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
Produkt ist nicht verfügbar
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+32.37 EUR
10+ 29.73 EUR
30+ 28.5 EUR
120+ 25.11 EUR
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.58 EUR
10+ 28.7 EUR
25+ 27.9 EUR
50+ 26.36 EUR
100+ 24.8 EUR
240+ 24 EUR
480+ 20.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+34.01 EUR
10+ 31.24 EUR
30+ 29.94 EUR
120+ 26.38 EUR
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+34.24 EUR
10+ 30.76 EUR
25+ 29.72 EUR
50+ 28.81 EUR
100+ 26.31 EUR
240+ 23.5 EUR
480+ 22.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ120N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.7 EUR
10+ 32.06 EUR
25+ 30.97 EUR
50+ 30.03 EUR
100+ 27.43 EUR
240+ 26.88 EUR
480+ 24.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns
Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 731 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 682 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+35.07 EUR
10+ 32.23 EUR
30+ 30.9 EUR
120+ 27.22 EUR
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Gate Charge: 1256 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 576 W
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+49.53 EUR
30+ 41.07 EUR
120+ 38.5 EUR
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+49.89 EUR
10+ 44.36 EUR
25+ 42.67 EUR
50+ 41.96 EUR
100+ 38.79 EUR
240+ 37.44 EUR
480+ 33.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
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AIKRI-22X-10LD-3eInfochipsAikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-22X-90AD-4eInfochipsAikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-22X-90AS-4eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-22X-90AS-4-1eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
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AIKRI-42X-10LD-3eInfochipsAikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-42X-10LS-3eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-42X-10LS-3-1eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS.
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AIKRI-42X-90AD-4eInfochipsDev kit with QCS4290 processor based SoM.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-42X-90AS-4eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-42X-90AS-4-1eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
Produkt ist nicht verfügbar
AIKRI-51X-65LD-8eInfochipsDev kit with QRB5165 processor based SoM.
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-51X-65LS-8eInfochipsQRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-54X-30MS-8eInfochipsQCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS
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AIKRI-82X-50AD-8eInfochipsDev kit with QCS8250 processor based SoM.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-82X-50AS-8eInfochipsQCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-85X-50LS-12-3eInfochipsQCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 1TB UFS. For Leica Oscar
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AIKRI-X10-4S-4eInfochipsQCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-X10-6D-4eInfochipsDev kit with QCS610 processor based SoM.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-X10-6S-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC..
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AIKRI-X10-6S-2-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
Produkt ist nicht verfügbar
AIKRI-X10-6S-4eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKRI-X10-6S-4-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
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AIKW20N60CTInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
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AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
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AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.22 EUR
10+ 13.21 EUR
25+ 12.51 EUR
100+ 11.1 EUR
240+ 10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW30N60CTInfineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.94 EUR
10+ 13.81 EUR
25+ 13.03 EUR
100+ 11.23 EUR
240+ 8.4 EUR
1200+ 7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.83 EUR
10+ 14.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW30N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKW40N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesAIKW40N65DH5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.32 EUR
10+ 19.27 EUR
25+ 18.38 EUR
100+ 15.65 EUR
240+ 14.92 EUR
480+ 11.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.13 EUR
10+ 21.8 EUR
30+ 20.79 EUR
120+ 18.05 EUR
270+ 17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24.31 EUR
10+ 20.83 EUR
25+ 18.88 EUR
100+ 17.34 EUR
240+ 14.3 EUR
480+ 13.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
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AIKW50N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
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AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+22.15 EUR
10+ 19.01 EUR
25+ 16.17 EUR
100+ 15.21 EUR
240+ 13.75 EUR
480+ 12.56 EUR
5040+ 11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22 EUR
10+ 19.87 EUR
30+ 18.94 EUR
120+ 16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW50N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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AIKW50N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.61 EUR
10+ 20.23 EUR
25+ 18.36 EUR
100+ 15.5 EUR
240+ 13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.32 EUR
10+ 22.87 EUR
30+ 21.81 EUR
120+ 18.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 813-827 Tag (e)
3+25.51 EUR
10+ 23.04 EUR
25+ 21.97 EUR
100+ 19.08 EUR
240+ 18.2 EUR
480+ 14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTE8188XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
2+27.95 EUR
10+ 24.99 EUR
25+ 24.28 EUR
50+ 23.3 EUR
100+ 21.68 EUR
240+ 20.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2