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Description: AOYUE 1305 FLAT TIP FOR HOT TWEE
Packaging: Bag
Length: 0.512" (13.00mm)
Width: 0.197" (5.00mm)
Tip Type: Tweezer
Part Status: Active
Tip Chip Size: Chip

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AON-1310

Description: AOYUE 1310 LARGE FLAT TIP FOR HO
Packaging: Bag
Length: 0.512" (13.00mm)
Width: 0.394" (10.00mm)
Tip Type: Tweezer
Tip Chip Size: Chip

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AON-1315

Description: AOYUE 1315 LARGE FLAT TIP FOR HO
Packaging: Bag
Length: 0.512" (13.00mm)
Width: 0.591" (15.00mm)
Tip Type: Tweezer
Part Status: Active
Tip Chip Size: Chip

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18 EUR

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AON-1320

Description: AOYUE 1320 LARGE FLAT TIP FOR HO
Packaging: Bag
Length: 0.512" (13.00mm)
Width: 0.787" (20.00mm)
Tip Type: Tweezer
Part Status: Active
Tip Chip Size: Chip

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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AON1605

AON1605 SMD P channel transistors

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AON1605

Description: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN

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AON1605_001

Description: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN

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AON1606

Description: MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-DFN (1.0 x 0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62.5 pF @ 10 V

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AON1606

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R

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AON1606

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R

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AON1606

AON1606 SMD N channel transistors

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AON1606_001

Description: MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN

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AON1610

Description: MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN

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AON1611

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN

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AON1611

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin DFN EP

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AON1611

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN

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AON1620

Description: MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN

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AON1620

Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin DFN EP

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AON1634

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin DFN EP

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AON1634

Description: MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 15 V

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AON1634

AON1634 SMD N channel transistors

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AON1634

Description: MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 15 V

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AON2240

AON2240 SMD N channel transistors

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AON2240

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2240

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2240

Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2260

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 30 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR
15000+	0.26 EUR
21000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON2260

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2260

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2260

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 30 V

auf Bestellung 60125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2260

AON2260 SMD N channel transistors

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AON2290

Description: MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V

auf Bestellung 114294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2290

AON2290 SMD N channel transistors

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AON2290

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2290

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2290

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2290

Description: MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR
15000+	0.26 EUR
30000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2392

100V N-Channel AlphaSGT TM

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2392

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2392

AON2392 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2400

Description: MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2400

Description: MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2401

Description: MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN

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AON2401

Description: MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN

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AON2401

Trans MOSFET P-CH 8V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

AON2403 SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2403

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2405

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2405

AON2405 SMD P channel transistors

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AON2405

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2405

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2405

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2406

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 10 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR
9000+	0.28 EUR
15000+	0.27 EUR
21000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2406

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2406

AON2406 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2406

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2406

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 10 V

auf Bestellung 26346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
22+	0.84 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2407

Description: MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 15 V

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AON2407

Description: MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 15 V

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AON2408

Description: MOSFET N CH 20V 8A DFN 2X2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.31 EUR
30000+	0.3 EUR

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AON2408

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2408

AON2408 SMD N channel transistors

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AON2408

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2408

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AON2408

Description: MOSFET N CH 20V 8A DFN 2X2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 10 V

auf Bestellung 38051 Stücke:

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17+	1.06 EUR
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AON2408

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2409

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2409
Produktcode: 190583

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2409

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V

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AON2409

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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AON2409

AON2409 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2409

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V

auf Bestellung 628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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AON2410

AON2410 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2410

Description: MOSFET N CH 30V 8A DFN 2X2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 813 pF @ 15 V

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AON2411

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: DFN2x2C
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2356 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

228+	0.31 EUR
256+	0.28 EUR
272+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR
500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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AON2411

Description: MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN

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AON2411

auf Bestellung 2356 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.31 EUR
256+	0.28 EUR
272+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR
500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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AON2411

Description: MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN

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AON2420

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN2x2B

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2420

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2420

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2420

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2420

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2701

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2701L#A

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2705

Description: MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2707

Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2707

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2800

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2801

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2801L

Description: MOSFET P-CH DUAL DFN

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AON2801L#A

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2802

AON2802 Multi channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2802

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

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AON2802

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R

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AON2803

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2803

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2803

AON2803 Multi channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2803

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2803G

Description: MOSFET P-CH DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)

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AON2809

Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN

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AON2810

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2810

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2810

AON2810 Multi channel transistors

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AON2810

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

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AON2810

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AON2812

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin DFN-A EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2812

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2812

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin DFN-A EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON2880

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A DFN2X2

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AON3400T

IDEC

Pushbutton Switches Mushroom MTD Op TWN

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AON3400T

IDEC

Description: CONFIG SWITCH BODY
Packaging: Bulk

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AON3402

Description: MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AON3402

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; 3W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 9.6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.47 EUR
162+	0.44 EUR
181+	0.4 EUR
191+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3402

Trans MOSFET N-CH 20V 12.6A 8-Pin DFN

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AON3402

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

152+	0.47 EUR
162+	0.44 EUR
181+	0.4 EUR
191+	0.37 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3414

Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V

auf Bestellung 8699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AON3414

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3; ESD
Mounting: SMD
Case: DFN3x3
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.33 EUR
321+	0.22 EUR
424+	0.17 EUR
447+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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AON3414

Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin DFN T/R

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AON3414

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AON3414

Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON3419

AON3419 SMD P channel transistors

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AON3419

Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN

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AON3419

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin DFN

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AON3611

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8-Pin DFN

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AON3611

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8-Pin DFN

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AON3611

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 20678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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AON3611

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Case: DFN8
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.8/-4.7A
On-state resistance: 50/38mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.3/1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2/4.6nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

417+	0.17 EUR
468+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR
596+	0.12 EUR
625+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 417

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AON3611

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

417+	0.17 EUR
468+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR
596+	0.12 EUR
625+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 417

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AON3611

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR
15000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON3611_101

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A

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AON3613

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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AON3613

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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AON3806

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3810

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN

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AON3810

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN

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AON3810

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN

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AON3814

Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin DFN

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AON3814

AON3814 Multi channel transistors

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AON3814

Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin DFN

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AON3814

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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AON3814L

Description: MOSFET N-CH DUAL 20V TO252

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3816

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3816

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 8-Pin DFN

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AON3816

AON3816 Multi channel transistors

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AON3816_101

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3818

Description: MOSFET 2N-CH 24V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)

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AON3818

Trans MOSFET N-CH 24V 8A 8-Pin DFN T/R

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AON3818

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; 1.7W; DFN8
Case: DFN8
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3818

Trans MOSFET N-CH 24V 8A 8-Pin DFN T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON3818

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AON3820

AON3820 Multi channel transistors

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AON4407

Trans MOSFET P-CH 12V 9A 8-Pin DFN-A T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; 1.6W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407L

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407L_002

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407L_003

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4407_003

Description: MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4420

Description: MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2

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AON4420

Description: MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421

AON4421 SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin DFN-A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin DFN-A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4421_001

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN

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AON4602

ALPHA

SOT23-8

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4602

ALPHA

2006

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4605

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4605

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8-Pin DFN-A

Produkt ist nicht verfügbar

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AON4605_001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN

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AON4703

AON4703 SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON4703

Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

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AON4705L

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 8DFN

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AON4803

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2

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AON4803

AON4803 Multi channel transistors

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AON4803

Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin DFN-A

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AON4805

Voltage -20, RDS(ON) 65, Dual P

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AON4807

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin DFN-A T/R

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AON4807

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN

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AON4807_001

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN

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AON5800

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AON5802A

TSSOP-6 08+

auf Bestellung 20000 Stücke:

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AON5802A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN

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AON5802A

2010+

auf Bestellung 6000 Stücke:

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AON5802A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN

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AON5802A

08+ TSSOP-6

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON5802A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN

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AON5802ALS

Description: MOSFET N-CH DUAL DFN

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AON5802B

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

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AON5802BG

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin DFN EP T/R

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AON5802BG

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin DFN EP T/R

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AON5802BL

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN

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AON5802BL

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AON5802B_101

Description: MOSFET N-CH DUAL DFN

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AON5810

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN

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AON5816

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)
Part Status: Active

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AON5816

20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

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AON5816

AON5816 Multi channel transistors

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AON5820

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)

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AON5820

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin DFN EP T/R

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AON5820

AON5820 Multi channel transistors

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AON5820_101

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)

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AON6104FD

Description: MOSFET N-CH 8DFN 5X6

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AON6104FH

Description: MOSFET N-CH 8DFN 5X6

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AON6108FD

Description: MOSFET N-CH 8DFN 5X6

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AON6108FH

Description: MOSFET N-CH 8DFN 5X6

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AON6144

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6144

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 20 V

auf Bestellung 2651 Stücke:

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5+	3.78 EUR
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100+	1.65 EUR
500+	1.32 EUR
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AON6144

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6144

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 89A; 31W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 89A
Power dissipation: 31W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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AON6144

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AON6144
Produktcode: 192577

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AON6144

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 20 V

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AON6152

Trans MOSFET N-CH 45V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6152

AON6152 SMD N channel transistors

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AON6152

Description: MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 22.5 V

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AON6152

Trans MOSFET N-CH 45V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6152A

Description: MOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 22.5 V

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AON6152A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 45V; 100A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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AON6152A

N Channel Trench Power MOSFET

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AON6152A

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AON6152A

Description: MOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 22.5 V

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.72 EUR
10+	3.73 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.96 EUR

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AON6154

AON6154 SMD N channel transistors

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AON6154

Description: MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6575 pF @ 22.5 V

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AON6156

AON6156 SMD N channel transistors

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AON6156

Description: MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3975 pF @ 22.5 V

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AON6160

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6160

AON6160 SMD N channel transistors

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AON6160

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 30 V

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AON6162

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 86W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 86W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6162

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6162

60V N-Channel AlphaSGT TM

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AON6162

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AON6162

60V N-Channel AlphaSGT TM

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AON6200

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin DFN EP

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AON6200L

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

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AON6202

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

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AON6202

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

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AON6204

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin DFN EP

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AON6204

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6204

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

auf Bestellung 1203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6206

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6210

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V

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AON6210

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6210

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V

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AON6220

100V Channel AlphaSGT TM

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6220

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4525 pF @ 50 V

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AON6220

AON6220 SMD N channel transistors

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AON6220

100V Channel AlphaSGT TM

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AON6224

AON6224 SMD N channel transistors

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AON6224

Trans MOSFET N-CH 100V 34A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6224

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 50 V

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AON6224A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 22.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 22.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.5nC
Kind of channel: enhancement

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AON6224A

100V N-Channel AlphaSGT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6224A

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Ta), 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2305 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6224A

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AON6226

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6226

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; 43W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Power dissipation: 43W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
110+	0.65 EUR
125+	0.58 EUR
144+	0.5 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6226

Trans MOSFET N-CH 100V 17.5A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6226

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
110+	0.65 EUR
125+	0.58 EUR
144+	0.5 EUR
152+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6226

Trans MOSFET N-CH 100V 17.5A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6226

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,9mOhm; 48A; 108W; -55°C~150°C; AON6226 TAON6226
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6230

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6230

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6230

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6230

AON6230 THT N channel transistors

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AON6230

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6230

Description: MOSFET N-CH 40V 57.5A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232A

Description: MOSFET N-CH 40V 35A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232A

Description: MOSFET N-CH 40V 35A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6232A

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

58+	1.24 EUR
97+	0.74 EUR
109+	0.66 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234
Produktcode: 193242

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	1.24 EUR
97+	0.74 EUR
109+	0.66 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6234

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6236

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 20 V

auf Bestellung 159420 Stücke:

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11+	1.62 EUR
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AON6236

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6236

AON6236 THT N channel transistors

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AON6236

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 20 V

auf Bestellung 156000 Stücke:

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3000+	0.34 EUR
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AON6236

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6240

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 20 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.25 EUR

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AON6240

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement

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AON6240

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6240

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AON6240

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AON6240

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 20 V

auf Bestellung 28999 Stücke:

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5+	4.24 EUR
10+	2.74 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.4 EUR

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AON6240

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6242

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6242

Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6242

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6242

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,6mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6242 TAON6242
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AON6242

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
61+	1.19 EUR
71+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 54

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AON6242

Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 30 V

auf Bestellung 6359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.03 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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AON6242

auf Bestellung 2110 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
61+	1.19 EUR
71+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 54

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AON6242

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6244

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6244

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 30 V

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AON6244

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6244_001

Description: MOSFET N-CH 60V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6246

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/80A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6246

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6246

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6246

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/80A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 30 V

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AON6246

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6248

Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6248

Description: MOSFET N-CH 60V 17.5A/53A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6250

Description: MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2388 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6250

AON6250 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6250

Trans MOSFET N-CH 150V 52A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6250

Description: MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2388 pF @ 75 V

auf Bestellung 2469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.33 EUR
10+	3.49 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6250

Trans MOSFET N-CH 150V 52A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6260

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6260

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5578 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6260

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6260

AON6260 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6260L

Description: MOSFET N-CH 60V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6262E

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 19W; DFN5x6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6262E

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6262E

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 30 V

auf Bestellung 9984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6262E

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6262E

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6262E

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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AON6264C

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6264E

Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6264E

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6264E

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6264E

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 15W; DFN5x6; ESD
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 14.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

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AON6264E

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AON6266

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6266

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/30A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6266

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 30 V

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AON6266E

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R

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3000+	0.31 EUR

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AON6266E

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6266E

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 10.5W; DFN5x6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 10.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 2011 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	0.93 EUR
239+	0.3 EUR
278+	0.26 EUR
319+	0.22 EUR
338+	0.21 EUR

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AON6266E

auf Bestellung 2011 Stücke:

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77+	0.93 EUR
239+	0.3 EUR
278+	0.26 EUR
319+	0.22 EUR
338+	0.21 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 77

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AON6266E

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6266E

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6266E

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6266E

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V

auf Bestellung 1240 Stücke:

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11+	1.6 EUR
18+	1 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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AON6266_101

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6268

Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6268

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6268

Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V

auf Bestellung 19502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.36 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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AON6270

Trans MOSFET N-CH 75V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6270

Description: MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6270

Description: MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6270_001

Description: MOSFET N-CH 75V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6276

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 86W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 86W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 1011 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	1.76 EUR
46+	1.59 EUR
51+	1.42 EUR
59+	1.22 EUR
63+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6276

auf Bestellung 1011 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

41+	1.76 EUR
46+	1.59 EUR
51+	1.42 EUR
59+	1.22 EUR
63+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6276

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6276

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4940 pF @ 40 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6276

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4940 pF @ 40 V

auf Bestellung 34883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.34 EUR
500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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AON6276

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 1037 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.4 EUR
70+	1.99 EUR
71+	1.91 EUR
100+	1.56 EUR
250+	1.49 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 61

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

Description: MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 40 V

auf Bestellung 6205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.51 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

AON6278 SMD N channel transistors

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AON6278

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6278

Description: MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4646 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6278
Produktcode: 203514

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AON6280

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6280

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6280

AON6280 SMD N channel transistors

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AON6280

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6280

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 40 V

auf Bestellung 11214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.03 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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AON6282

Description: MOSFET N-CH 80V 26.5A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2848 pF @ 40 V

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AON6282

Trans MOSFET N-CH 80V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6282

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 56A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 56A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.5nC
Kind of channel: enhancement

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AON6282

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AON6284

Trans MOSFET N-CH 80V 78A 8-Pin DFN EP

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AON6284

Trans MOSFET N-CH 80V 78A 8-Pin DFN EP

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AON6284

Description: MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6284

AON6284 SMD N channel transistors

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AON6284

Trans MOSFET N-CH 80V 78A 8-Pin DFN EP

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AON6284

Description: MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 40 V

auf Bestellung 5291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.27 EUR
10+	2.1 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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AON6284A

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 40 V

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AON6284A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42.5A; 22W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42.5A
Power dissipation: 22W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6284A

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AON6284A

Trans MOSFET N-CH 80V 48A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6284A

Trans MOSFET N-CH 80V 48A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6290

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6290

Description: MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 7209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.28 EUR
10+	4.12 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AON6290

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6290

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6290

Description: MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6290

AON6290 SMD N channel transistors

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AON6292

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6292

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6292

AON6292 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6292

Description: MOSFET N-CH 100V 24A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6294

Description: MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V

auf Bestellung 106645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.84 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6294

Description: MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6294

Trans MOSFET N-CH 100V 52A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6294

Trans MOSFET N-CH 100V 52A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6294

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 57W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 57W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
80+	0.9 EUR
104+	0.69 EUR
110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6294

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1 EUR
80+	0.9 EUR
104+	0.69 EUR
110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6298

Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1307 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6298

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 16,5mOhm; 46A; 78W; -55°C ~ 150°C; AON6298 TAON6298
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AON6298

Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin DFN EP

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AON6298

Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6298

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 78W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
113+	0.64 EUR
126+	0.57 EUR
146+	0.49 EUR
154+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AON6298

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
113+	0.64 EUR
126+	0.57 EUR
146+	0.49 EUR
154+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AON6312

Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6312

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
Power dissipation: 20W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	1.06 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
179+	0.4 EUR
189+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6312

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

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AON6312
Produktcode: 163787

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6312

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

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AON6312

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

68+	1.06 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
179+	0.4 EUR
189+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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AON6312

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6314

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 13W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 13W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

77+	0.93 EUR
183+	0.39 EUR
208+	0.34 EUR
236+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 77

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AON6314

30V N-Channel MOSFET

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AON6314

30V N-Channel MOSFET

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AON6314

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	0.93 EUR
183+	0.39 EUR
208+	0.34 EUR
236+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6314

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6324

Description: MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6324

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 2,8mOhm; 85A; 32,5W; -55°C ~ 150°C; AON6324 ALPHA&OMEGA TAON6324
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6332

Description: MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

Trans MOSFET N-CH 30V 83A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 52A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 168

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

168+	0.43 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 168

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6354

Trans MOSFET N-CH 30V 83A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; 19W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Description: MOSFET N-CH 30V 42A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Description: MOSFET N-CH 30V 42A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6358P

Description: MOSFET N-CH 5X6 DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Description: MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V

auf Bestellung 5985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
15+	1.21 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; 17W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
Power dissipation: 17W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Description: MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6360P

Description: MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 13W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 13W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
177+	0.4 EUR
199+	0.36 EUR
225+	0.32 EUR
237+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
177+	0.4 EUR
199+	0.36 EUR
225+	0.32 EUR
237+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.34 EUR
15000+	0.32 EUR
24000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362FD

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362FH

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6362P

Description: MOSFET N-CH 30V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6366E

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6366E

30V N-Channel Alpha MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6366E

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 18W; DFN5x6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 2338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
123+	0.58 EUR
141+	0.51 EUR
142+	0.5 EUR
150+	0.48 EUR
156+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6366E

30V N-Channel Alpha MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6366E

auf Bestellung 2338 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
123+	0.58 EUR
141+	0.51 EUR
142+	0.5 EUR
150+	0.48 EUR
156+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6368

AON6368 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6368

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6368

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

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AON6368

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6368P

Description: MOSFET N-CH 30V 25A DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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AON6370

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V

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AON6370

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6370

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V

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AON6370P

Description: MOSFET N-CH 30V 23A DFN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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AON6370_001

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V

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AON6370_002

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AON6372

Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V

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AON6380

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6380

Description: MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs

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AON6380

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 10.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 10.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
198+	0.36 EUR
226+	0.32 EUR
250+	0.29 EUR
265+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AON6380

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6380

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
198+	0.36 EUR
226+	0.32 EUR
250+	0.29 EUR
265+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AON6382

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

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AON6382

30V N-Channel MOSFET

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AON6384

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V

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AON6384

AON6384 SMD N channel transistors

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AON6384

30V N-Channel MOSFET

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AON6400

Description: MOSFET N-CH 30V 31A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 15 V

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AON6400

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6400

Description: MOSFET N-CH 30V 31A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6400L

Description: MOSFET N-CH 30V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6400L_002

Description: MOSFET N-CH 30V 31A/85A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -67A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

64+	1.13 EUR
73+	0.99 EUR
81+	0.89 EUR
87+	0.83 EUR
500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403
Produktcode: 203572

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Transistor P-Channel MOSFET; -30V; 20V; 3,1mOhm; -85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6403 TAON6403
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Alpha & Omega Semiconductors, Inc

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

P-MOSFET -30V -67А DFN5X6

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	1.13 EUR
73+	0.99 EUR
81+	0.89 EUR
87+	0.83 EUR
500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 64

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 15 V

auf Bestellung 6033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	2.81 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403L

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6403L_APP

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6404

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6404A

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5210 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6404A

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6404A_001

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/85A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5210 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6405

Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6405

Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V

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AON6405

Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6405

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement

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AON6405

Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V

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AON6405

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AON6405L

Description: MOSFET P-CH 30V 15A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V

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AON6405L_102

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6405_102

Description: MOSFET P-CH 30V 28A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 15 V

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AON6406

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

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AON6406
Produktcode: 202317

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AON6407

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	1.16 EUR
93+	0.78 EUR
115+	0.62 EUR
130+	0.55 EUR
138+	0.52 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 62

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6407

Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6407

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6407 TAON6407
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.86 EUR
169+	0.83 EUR
208+	0.65 EUR
264+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 168

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AON6407
Produktcode: 127396

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Alpha & Omega

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: DFN5X6
Uds,V: 30 V
Id,A: 85 A
Rds(on),Om: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3505/75
/: SMD

auf Bestellung 94 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 1000 Stück:

1000 Stück - erwartet 31.08.2025

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6407

auf Bestellung 3511 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

62+	1.16 EUR
93+	0.78 EUR
115+	0.62 EUR
130+	0.55 EUR
138+	0.52 EUR
3000+	0.51 EUR

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6407

Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V

auf Bestellung 5343 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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AON6407

Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	0.77 EUR
209+	0.64 EUR
237+	0.55 EUR
264+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6408L

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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AON6410

08+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6410

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1452 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6411

Description: MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10290 pF @ 10 V

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AON6411

Trans MOSFET P-CH 20V 47A 8-Pin DFN EP

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AON6411

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -67A; 62.5W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -67A
Power dissipation: 62.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

58+	1.24 EUR
64+	1.13 EUR
79+	0.92 EUR
84+	0.86 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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AON6411

Trans MOSFET P-CH 20V 47A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6411

Description: MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10290 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6411

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	1.24 EUR
64+	1.13 EUR
79+	0.92 EUR
84+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6411

Trans MOSFET P-CH 20V 47A 8-Pin DFN EP

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AON6411

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3,6mOhm; 85A; 156W; -55°C ~ 150°C; AON6411 TAON6411
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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AON6411_001

Description: MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10290 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6413

Trans MOSFET P-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6413

Description: MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6413

Description: MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 15 V

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AON6413

Trans MOSFET P-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6413_101

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AON6414

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6414A

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR
15000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6414A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 12.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 12.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2448 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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AON6414A

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AON6414A

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6414A

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V

auf Bestellung 24038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

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AON6414A

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6414A

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 30A; 31W; -55°C ~ 150°C; AON6414A TAON6414a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 44 Stücke:

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50+	0.69 EUR

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AON6414A
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AON6414AL

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP

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AON6414AL

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V

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AON6414AL

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP

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3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

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AON6414AL

0911+ DFN8

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AON6414AL

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
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AON6414AL

AON6414AL SMD N channel transistors

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AON6414G

Description: MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

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AON6416

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/22A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6416

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

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AON6418

2010+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6418

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1229 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6424

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/41A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6424A

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/41A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6426

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/65A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6426

Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6426

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/65A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

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AON6428

09+

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6428

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/43A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6428

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin DFN EP

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AON6428

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6428

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/43A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6428_103

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/43A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6435

Description: MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6435

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -21.5A; 12.5W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -21.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

88+	0.82 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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AON6435

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6435

Trans MOSFET P-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6435

Description: MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6440

Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6440

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6442

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin DFN EP

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AON6442

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6442

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 20 V

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AON6442

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 32A; Idm: 168A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6442

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AON6442

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 20 V

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AON6444

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/81A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 30 V

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AON6444

Trans MOSFET N-CH 60V 81A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6444

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/81A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 30 V

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AON6444L

Trans MOSFET N-CH 60V 81A 8-Pin DFN EP

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AON6444L

Description: MOSFET N-CH 60V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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AON6448

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

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AON6448

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6448

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6448

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

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AON6448

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6448

AON6448 SMD N channel transistors

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AON6448L

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

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AON6448L_001

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

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AON6450

Trans MOSFET N-CH 100V 52A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6450

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V

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AON6450

Trans MOSFET N-CH 100V 52A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6450

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V

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AON6450L

Description: MOSFET N-CH 100V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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AON6450L_001

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AON6452

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

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AON6452

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6452

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6452

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6452

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6452

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AON6452L

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

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AON6454

Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6454A

Description: MOSFET N-CH 150V 31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 75 V

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AON6454A

Trans MOSFET N-CH 150V 31A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6454A_001

Description: MOSFET N-CH 150V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6458

AON6458 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6458

Trans MOSFET N-CH 250V 14A 8-Pin DFN EP

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AON6458

Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A/14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6458

Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A/14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6482
Produktcode: 207558

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 25W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 25W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 5620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
72+	1 EUR
90+	0.8 EUR
96+	0.75 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 4401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.12 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

auf Bestellung 5620 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
72+	1 EUR
90+	0.8 EUR
96+	0.75 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6482

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6484

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 10W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 10W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6484

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 50 V

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AON6484

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AON6484

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6500

N-MOSFET 71A 30V AON6500 DFN08 TAON6500
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AON6500

Description: MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

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AON6500

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 151A; 33W; DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 151A
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 0.95mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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56+	1.29 EUR
62+	1.16 EUR
81+	0.89 EUR
85+	0.84 EUR

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AON6500

Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6500

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56+	1.29 EUR
62+	1.16 EUR
81+	0.89 EUR
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AON6500

Description: MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

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3000+	1.09 EUR
6000+	1.07 EUR

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AON6500

Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP T/R

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6000+	0.97 EUR

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AON6500

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AON6500 транзистор
Produktcode: 202018

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Transistoren > MOSFET N-CH

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AON6500_001

Description: MOSFET N-CH 30V 71A/200A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

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AON6502

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V

auf Bestellung 3874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.68 EUR
11+	1.7 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
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AON6502

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2100 Stücke:

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61+	1.17 EUR
113+	0.63 EUR
128+	0.56 EUR
129+	0.55 EUR
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142+	0.5 EUR

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AON6502

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6502

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.72 EUR

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AON6502

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61+	1.17 EUR
113+	0.63 EUR
128+	0.56 EUR
129+	0.55 EUR
137+	0.52 EUR
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AON6502

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6504

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6504

Description: MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

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AON6504

Description: MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

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AON6504_001

Description: MOSFET N-CH 30V 8DFN

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AON6504_002

Description: MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

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AON6504_002

AON6504_002

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AON6506

Description: MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6506

Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6506

Description: MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 15 V

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AON6508

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6508

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6508

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6508_101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6508_201

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6508_201

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6510

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6510

AON6510 SMD N channel transistors

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AON6510

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6510

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

auf Bestellung 391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
21+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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AON6512

Trans MOSFET N-CH 30V 54A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 1421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

222+	0.65 EUR
223+	0.63 EUR
240+	0.56 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 222

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6512

Alpha & Omega Semiconductors, Inc

Description: MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.66 EUR
9000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6512

MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6512

Trans MOSFET N-CH 30V 54A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 1421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.69 EUR
222+	0.63 EUR
223+	0.6 EUR
240+	0.54 EUR
250+	0.52 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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AON6512

Trans MOSFET N-CH 30V 54A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6512

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 115A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 115A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3013 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

68+	1.06 EUR
122+	0.59 EUR
139+	0.52 EUR
160+	0.45 EUR
169+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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AON6512

Description: MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V

auf Bestellung 13631 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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11+	1.68 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.88 EUR
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AON6512

Trans MOSFET N-CH 30V 54A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6512

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AON6512

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1,7mOhm; 150A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6512 TAON6512
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 2910 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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AON6514

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 951 pF @ 15 V

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AON6514

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP

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AON6514_102

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 951 pF @ 15 V

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AON6516

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6516

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1229 pF @ 15 V

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AON6516

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6516

AON6516 SMD N channel transistors

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AON6516

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1229 pF @ 15 V

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AON6516_151

Description: MOSFET DFN 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

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AON6518

Description: MOSFET N-CH 30V 48A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V

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AON6518

Description: MOSFET N-CH 30V 48A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V

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AON6518

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6520

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V

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AON6520

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6520

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V

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AON6522

Description: MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

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AON6522
Produktcode: 123120

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6522

Description: MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

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AON6522

Trans MOSFET N-CH 25V 200A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6522

Trans MOSFET N-CH 25V 200A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6522_002

Description: MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7036 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6524

Trans MOSFET N-CH 30V 68A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6524

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6524_001

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6526

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1229 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6526

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1229 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6528

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6528

AON6528 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6528

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1037 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6530

Description: MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6532

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6532

Trans MOSFET N-CH 30V 68A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6532P

Description: MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 710mV @ 1A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6534

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 951 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6536

Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6536

Description: MOSFET N CH 30V 22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.5W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6538

Description: MOSFET N CH 30V 30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6538

Trans MOSFET N-CH 30V 75A 8-Pin DFN EP

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AON6542

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6544

Description: MOSFET N-CH 30V 60A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6544

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6544

Description: MOSFET N-CH 30V 60A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6546

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/55A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.5W (Ta), 35.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6548

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6548

Description: MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6548

Description: MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

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AON6548

AON6548 SMD N channel transistors

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AON6552

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 10W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 10W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

158+	0.45 EUR
209+	0.34 EUR
274+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 158

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AON6552

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6552

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.45 EUR
209+	0.34 EUR
274+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6552

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6552

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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AON6554

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6554

Description: MOSFET N CH 30V 36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 9.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 9.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.42 EUR
253+	0.28 EUR
280+	0.26 EUR
281+	0.25 EUR
296+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 171

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 15 V

auf Bestellung 49172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 15 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6558

auf Bestellung 1171 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

171+	0.42 EUR
253+	0.28 EUR
280+	0.26 EUR
281+	0.25 EUR
296+	0.24 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 171

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6560

Description: MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 15 V

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AON6560
Produktcode: 172029

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Transistoren > MOSFET N-CH

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AON6560

Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6560

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1704 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
68+	1.06 EUR
70+	1.03 EUR
72+	1 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6560

Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6560

auf Bestellung 1704 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
68+	1.06 EUR
70+	1.03 EUR
72+	1 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6562

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6566

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6566

AON6566 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6566

Description: MOSFET N CH 30V 29A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6566P

Description: MOSFET N-CH 30V 27A DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6566_MSI

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6572

Description: MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V

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AON6572

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.5A; 19.2W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.5A
Power dissipation: 19.2W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.5nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2313 Stücke:

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218+	0.33 EUR

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AON6572

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AON6576

Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6576

Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6576

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 10.4W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 10.4W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2428 Stücke:

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175+	0.41 EUR
195+	0.37 EUR
224+	0.32 EUR
236+	0.3 EUR
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AON6576

Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6576

Description: MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V

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AON6576

Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6576

auf Bestellung 2428 Stücke:

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175+	0.41 EUR
195+	0.37 EUR
224+	0.32 EUR
236+	0.3 EUR
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AON6578

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/70A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V

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AON6586

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6586

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

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AON6588

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6588

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

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AON6588

AON6588 SMD N channel transistors

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AON6590

Description: MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V

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AON6590

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6590

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AON6590

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6590A

AON6590A SMD N channel transistors

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AON6590A

Description: MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V

auf Bestellung 4459 Stücke:

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4+	5.54 EUR
10+	3.61 EUR
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500+	2.05 EUR
1000+	1.9 EUR

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AON6590A

Trans MOSFET N-CH 40V 67A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6590A

Trans MOSFET N-CH 40V 67A 8-Pin DFN EP T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.57 EUR

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AON6590A

40V N Channel Mosfet

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AON6590A

Description: MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1.77 EUR

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AON6590A

Trans MOSFET N-CH 40V 67A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6590A

Trans MOSFET N-CH 40V 67A 8-Pin DFN EP T/R

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3000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6590_001

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AON6590_002

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AON6594

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 15.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 15.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.45 EUR
175+	0.41 EUR
229+	0.31 EUR
242+	0.3 EUR

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AON6594

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6594

auf Bestellung 2379 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

158+	0.45 EUR
175+	0.41 EUR
229+	0.31 EUR
242+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 158

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AON6594

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1037 pF @ 15 V

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AON6596

AON6596 SMD N channel transistors

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AON6596

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AON6596

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin DFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6598

Description: MOSFET N-CH DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

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AON6661

30V Dual Complementary MOSFET

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AON6661

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 16/-12.5A
Power dissipation: 5/8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14/22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair

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AON6661

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6667

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 10.5/-12.5A
Power dissipation: 4/8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22/25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair

auf Bestellung 2581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
145+	0.5 EUR
163+	0.44 EUR
188+	0.38 EUR
199+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6667

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 10.5/-12.5A
Power dissipation: 4/8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22/25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2581 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
145+	0.5 EUR
163+	0.44 EUR
188+	0.38 EUR
199+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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AON6667

30V Dual Complementary MOSFET

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AON6702

Description: MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN

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AON6702

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6702

Description: MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN

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AON6704

08+

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6704L

QFN-8 09+

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6704L

09+ QFN-8

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6710

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6712

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin DFN EP

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AON6716

2010+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6716

09+ QFN-8

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6716

QFN-8 09+

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6716L

ALPHA

QFN

auf Bestellung 3492 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6718

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 8-Pin DFN T/R

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AON6718

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6718L

SMD-8 09+

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6718L

09+ SMD-8

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6718L_101

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A 8DFN

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AON6734

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/85A 8DFN

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AON6748_101

Description: MOSFET N-CH DFN

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AON6748_102

Description: MOSFET N-CH DFN

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AON6752

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6752

Description: MOSFET N-CH 30V 54A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3509 pF @ 15 V

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AON6752

Description: MOSFET N-CH 30V 54A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3509 pF @ 15 V

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AON6754

Description: MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2796 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6754

Description: MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2796 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6754

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6756

Description: MOSFET N-CH 30V 47A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2796 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6756

Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6756

Description: MOSFET N-CH 30V 47A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2796 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6756_101

Description: MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2796 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758_101

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758_102

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758_103

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6758_104

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6760

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6760

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6760

Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6764

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 1 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6774

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6774

Description: MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6774

Description: MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6780

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/85A 8DFN

Produkt ist nicht verfügbar

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AON6780

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6782

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6782

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6780 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6786

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP

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AON6786
Produktcode: 124520

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6786_001

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6780 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6792

Trans MOSFET N-CH 30V 44A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6792

Description: MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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AON6792

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; 19W; DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 19W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 76A
Case: DFN5x6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	5.96 EUR
31+	2.3 EUR
83+	0.86 EUR
500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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AON6792

Trans MOSFET N-CH 30V 44A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6792

Description: MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6792

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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AON6794

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 85A; Idm: 190A; 17W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 17W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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AON6794

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6794

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AON6794

Description: MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6794

Description: MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6796

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/70A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

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AON6796

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6796

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/70A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

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AON6796

AON6796 SMD N channel transistors

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AON6796

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6810

Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN

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AON6810

AON6810 Multi channel transistors

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AON6810

Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN

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AON6810

Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN

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AON6812

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)

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AON6812

AON6812 Multi channel transistors

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AON6816

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 13A; 8W; DFN5x6B
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 8W
Case: DFN5x6B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of channel: enhancement

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AON6816

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DFN EP

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AON6816

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.63 EUR
6000+	0.58 EUR
9000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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AON6816

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DFN EP

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AON6816

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AON6816

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

auf Bestellung 21734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
12+	1.5 EUR
100+	1 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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AON6850

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP

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AON6850

AON6850 Multi channel transistors

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AON6850

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP

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AON6850

Description: MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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AON6884

Trans MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6884

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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AON6884

Trans MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN EP T/R

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AON6884

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2
Case: DFN5x6 EP2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 40V

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	1.13 EUR
127+	0.56 EUR
180+	0.4 EUR
190+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 64

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AON6884

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

64+	1.13 EUR
127+	0.56 EUR
180+	0.4 EUR
190+	0.38 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 64

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AON6884 (корпус 8-DFN-EP)
Produktcode: 160470

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6884L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6884L_002

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AON6906A

Trans MOSFET N-CH 30V 37A/48A 8-Pin DFN-B EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6906A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN

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AON6906A

AON6906A Multi channel transistors

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AON6908A

Trans MOSFET N-CH 30V 46A/80A 8-Pin DFN-B EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6908A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 11.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6908ALS_101

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6910A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6912

09+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6912A

Trans MOSFET N-CH 30V 34A/52A 8-Pin DFN-B EP

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AON6912A

Trans MOSFET N-CH 30V 34A/52A 8-Pin DFN-B EP

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AON6912A

AON6912A Multi channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6912A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 13.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6912ALS

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6912ALS_102

Description: MOSFET 2N-CH 30V 52A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V, 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6914

Description: MOSFET N-CH

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AON6916

Description: MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6918

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W, 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6920

Trans MOSFET N-CH 30V 60A/85A 8-Pin DFN-A EP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6920_001

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6922

Trans MOSFET N-CH 25V 71A/85A 8-Pin DFN-A EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6922

Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6924

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W, 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6924

Trans MOSFET N-CH 30V 60A/85A 8-Pin DFN-A EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6924

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W, 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6926

AON6926 Multi channel transistors

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AON6926

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6926

Trans MOSFET N-CH 30V 44A/50A 8-Pin DFN-B EP

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AON6928

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN

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AON6928

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/36A 8-Pin DFN-B EP T/R

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AON6932

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN EP

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AON6932

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

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AON6932

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

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AON6932A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

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159+	0.91 EUR

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

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AON6932A

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 33A; 31W; DFN5x6B
Case: DFN5x6B
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Power dissipation: 31W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Semiconductor structure: asymmetric

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AON6932A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

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AON6932A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

auf Bestellung 1053 Stücke:

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159+	0.91 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 159

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AON6932A

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AON6932A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

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AON6932A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/42A 8-Pin DFN-B EP

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124+	1.17 EUR
126+	1.11 EUR
133+	1.02 EUR
250+	0.93 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 124

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AON6932A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

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AON6934

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6934

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6934A

AON6934A Multi channel transistors

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AON6934A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8-Pin DFN-B EP

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AON6934A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN

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AON6936

Trans MOSFET N-CH 30V 32A/44A 8-Pin DFN-B EP

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AON6936

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN

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AON6938

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN

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AON6938

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/42A 8-Pin DFN-B EP T/R

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AON6938

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN

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AON6946

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/18A 8-Pin DFN-B EP T/R

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AON6946

Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W, 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6946

AON6946 Multi channel transistors

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AON6962

Description: MOSFET
Packaging: Bulk

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AON6970

Trans MOSFET N-CH 30V 58A/85A 8-Pin DFN-D EP

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AON6970

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A, 42A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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AON6970_001

Description: MOSFET N-CH DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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AON6970_002

Description: MOSFET N-CH DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete

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AON6971

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/85A 8-Pin DFN-D EP

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AON6971

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6971

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6973A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6973A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8-Pin DFN-B EP

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AON6973A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6974

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6974

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8-Pin DFN EP

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AON6974

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6974A

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8-Pin DFN-B EP

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AON6974A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

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AON6978

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6978

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8-Pin DFN-B EP T/R

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AON6978

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6980

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W, 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6980

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8-Pin DFN-B EP T/R

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AON6980

AON6980 Multi channel transistors

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AON6980

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W, 4.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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AON6982

Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6984

Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 50A (Tc), 26A (Ta), 82A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 15V, 2120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, 2.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V, 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AON6992

Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 5568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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AON6992

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 67/31A; 18/8W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67/31A
Power dissipation: 18/8W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 2/5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/6.1nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

61+	1.19 EUR
78+	0.92 EUR
97+	0.74 EUR
103+	0.7 EUR
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AON6992
Produktcode: 169210

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Alpha

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DFN5X6D
Uds,V: 30 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 5,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 820/13
Bem.: Dual Asymmetric N-Channel
JHGF: SMD

auf Bestellung 39 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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AON6992

Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

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AON6992

Trans MOSFET N-CH 30V 19A/31A 8-Pin DFN-D EP T/R

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AON6992

auf Bestellung 286 Stücke:

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78+	0.92 EUR
97+	0.74 EUR
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AON6992

Trans MOSFET N-CH 30V 19A/31A 8-Pin DFN-D EP T/R

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AON6994

Trans MOSFET N-CH 30V 19A/26A 8-Pin DFN-D EP T/R

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AON6994

Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 2706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.6 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.1 EUR
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1000+	0.79 EUR

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AON6994

Trans MOSFET N-CH 30V 19A/26A 8-Pin DFN-D EP T/R

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AON6994

Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

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Trans MOSFET N-CH 30V 19A/26A 8-Pin DFN-D EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 50A/60A 8-Pin DFN-D EP T/R

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Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/38A; 8.3/8.6W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/38A
Power dissipation: 8.3/8.6W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.2/3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric

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Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)

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