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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BGH 182M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
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BGH 92M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
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BGH-1Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-1-1/3EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-1-1/3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-1/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-1/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-10Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-10EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-12180NBBatteryGuyDescription: 12V 18AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 18Ah
Size / Dimension: 7.13" L x 2.99" W x 6.36" H (181.1mm x 75.9mm x 161.5mm)
Termination Style: Nut and Bolt
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
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1+229.84 EUR
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BGH-1255F2BatteryGuyDescription: 12V 5.5AH HIGH RATE SLA BATTERY
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BGH-1275F2BatteryGuyDescription: 12V 7.5AH HIGH RATE HIGH RATE SL
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BGH-1290F2BatteryGuyDescription: 12V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
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BGH-15Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-15EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-2Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-3/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-3/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
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BGH-690F2BatteryGuyDescription: 6V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 9Ah
Size / Dimension: 5.95" L x 1.34" W x 3.70" H (151.1mm x 34.0mm x 93.9mm)
Termination Style: Spade, .250" (6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 6 V
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1+75.66 EUR
10+ 56.94 EUR
50+ 53.04 EUR
100+ 49.92 EUR
BGH-BS-SYL-49713InterlightDescription: Replacement for Ballast Shop BGH
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
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BGH129KBox PartnersDescription: 7-3/4"WX4 3/4"DX16"H HARDWARE BA
Packaging: Box
Color: Kraft
Size / Dimension: 7-3/4" x 4-3/4" x 16"
Type: Hardware Bags
Part Status: Active
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1+344.34 EUR
BGH1608B102LT
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BGH181B E6327INFINEONTSL7
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BGH2012A221HT
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BGH2012A301HT0805BEAD
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BGH2012A301HT
auf Bestellung 28000 Stücke:
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BGH2012B601LT0805BEAD
auf Bestellung 64000 Stücke:
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BGH2012B601LT
auf Bestellung 80000 Stücke:
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BGH3216B601LT
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
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Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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7+ 11.01 EUR
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BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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auf Bestellung 38 Stücke:
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5+16.16 EUR
7+ 11.01 EUR
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600+ 10.6 EUR
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BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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150+ 9.51 EUR
600+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 398nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 398nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+ 10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+ 10.87 EUR
150+ 10.47 EUR
600+ 10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH91B
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BGH91B E6327INFINEONSMD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BGHSTT06PANDUITDescription: PANDUIT - BGHSTT06 - Wärmeschrumpfschlauch, 2:1, 0.063 ", 1.6 mm, Schwarz, 42.7 ft, 13 m
tariffCode: 85469010
Innendurchmesser nach Schrumpf - metrisch: 0.8mm
rohsCompliant: YES
Schrumpfverhältnis: 2:1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Material d. Schrumpfschlauchs/-teils: PO (Polyolefin)
Innendurchmesser bei Lieferung - metrisch: 1.6mm
usEccn: EAR99
Farbe d. Schrumpfschlauchs/Formschrumpfteils: Schwarz
euEccn: NLR
Länge - metrisch: 13m
Produktpalette: HSTT
productTraceability: No
Innendurchmesser nach Schrumpf - imperial: 0.031"
Länge - imperial: 42.7ft
Innendurchmesser bei Lieferung - imperial: 0.063"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BGHSTT25Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLACK
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BGHSTT25-2Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M RED
Produkt ist nicht verfügbar
BGHSTT25-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
Produkt ist nicht verfügbar
BGHSTT25-6Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLUE
Produkt ist nicht verfügbar
BGHSTT25-CPanduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M CLR
Produkt ist nicht verfügbar
BGHSTT50-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
Produkt ist nicht verfügbar