Produkte > DMH

Category: Raster signal connectors 4,20mm
Description: Plug; wire-wire/PCB; female; 4.2mm; PIN: 4; w/o contacts; for cable
Connector: plug
Type of connector: wire-wire/PCB
Kind of connector: female
Contacts pitch: 4.2mm
Number of pins: 4
Connector variant: w/o contacts
Mechanical mounting: for cable
Rated voltage: 300V
Flammability rating: UL94V-2
Locking system: latch
Operating temperature: -25...85°C
Connector pinout layout: 2x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

350+	0.2 EUR
386+	0.19 EUR
510+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 350

DMH-04

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.2 EUR
386+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 350

DMH-04-S

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

313+	0.23 EUR
348+	0.21 EUR
456+	0.16 EUR
482+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 313

DMH-04-S

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

313+	0.23 EUR
348+	0.21 EUR
456+	0.16 EUR
482+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 313

DMH-05-S

Housing F 5 POS 4.2mm Pitch Crimp Straight Cable Mount

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DMH-08

Description: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-08-V0

Description: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-12

Description: CONN RCPT HSG 12POS 4.20MM

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-18

Conn Housing F 18 POS 4.2mm Crimp ST Cable Mount

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DMH-18

Headers & Wire Housings CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM

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DMH-18

Description: CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.69 EUR
18+	1.47 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 16

DMH-22

Wire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch

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DMH-22

Description: CONN RCPT HSG 22POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.87 EUR
16+	1.64 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 14

DMH-22

Wire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch

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DMH-24

Description: CONN RCPT HSG 24POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
25+	1.05 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 22

DMH-A-001

Description: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 15
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
Part Status: Obsolete
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: A
Compatible D-Sub Size: 15pos and HD26pos

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DMH-A-003

Description: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-A-003

Cinch

D-Sub Backshells 15P METAL 2 PC HOOD

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DMH-A-C-F-B

Description: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP

auf Bestellung 9515 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-A-C-F-B

DMH-A-C-F-B

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DMH-A-C-F-B

Description: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-A-C-F-B

Wire to Board, Pin Header Crimp Terminal Female 22-24 Awg 4.2mm Reel

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DMH-B-003

Description: CONN BACKSHELL DB25 DIECAST

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DMH-B-C-F-B

Wire to Board, Pin Header Crimp Terminal Female 18-22 Awg 4.2mm Loose

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DMH-B-C-F-R

Description: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN

auf Bestellung 5755 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-B-C-F-R

DMH-B-C-F-R Raster signal connectors 4,20mm

auf Bestellung 3186 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1401+	0.051 EUR
2740+	0.026 EUR
2899+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

DMH-B-C-F-R

Description: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMH-C-001

Cinch

D-Sub Backshells 37P METAL 2 PC HOOD

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DMH-E-001

CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS

Description: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

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DMH-E-003

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-E-003 - TWO PIECE D SUB BACKSHELL, SIZE DE, ZINC
tariffCode: 85366910
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DE
Kabelausgangswinkel: 180°
Steckverbindermaterial: Zinc Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: DMH Series
SVHC: Lead

auf Bestellung 1552 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMH-E-003

Description: CONN BACKSHELL 9POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round

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DMH-E-003

Cinch

D-Sub Backshells 9C 2PC METAL BCKSHLL

auf Bestellung 2740 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.86 EUR
10+	19.11 EUR
25+	16.54 EUR
100+	15 EUR
250+	13.65 EUR
1000+	11.57 EUR
2000+	10.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DMHA003

CAP-XX Ltd Supercapacitors

Backshell 180° A Shell Size Zinc Steel

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DMHA14R5V353M4ATA0

Description: CAP 35MF 2.25V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.787" L x 0.787" W (20.00mm x 20.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 300mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 35 mF
Voltage - Rated: 4.5 V

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DMHA14R5V353M4ATA0

Murata Electronics

Cap Supercap 35000uF 4.5V 20% (20 X 20 X 0.4mm) SMD Gull Wing Flat 60uA 0.3 Ohm 85C Tray

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DMHA14R5V353M4ATA0

Murata Electronics

Supercapacitors / Ultracapacitors 4.5V 35mF 20% ESR 300mOhms SuperCap

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DMHB003

Backshell 180° B Shell Size Zinc Steel

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.75 EUR
25+	9.57 EUR
50+	8.61 EUR
100+	7.73 EUR
250+	7 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DMHB003

Backshell 180° B Shell Size Zinc Steel

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.75 EUR
25+	9.57 EUR
50+	8.61 EUR
100+	7.73 EUR
250+	7 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DMHC1000-1-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1000-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1000-1A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC10H170SFJ

MOSFET

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DMHC10H170SFJ
Produktcode: 190608

Transistoren > MOSFET N-CH

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DMHC10H170SFJ-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active

auf Bestellung 8622 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.99 EUR
11+	2.44 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 9

DMHC10H170SFJ-13

MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge

auf Bestellung 3326 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.99 EUR
22+	2.47 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.24 EUR
6000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMHC10H170SFJ-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2.3/-1.9A; 2.1W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.3/-1.9A
Pulsed drain current: 13...-11A
Power dissipation: 2.1W
Case: V-DFN5045-12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 200/300mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7/17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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DMHC10H170SFJ-13

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R

auf Bestellung 279000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMHC10H170SFJ-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.23 EUR
6000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMHC10H170SFJ-13

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R

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DMHC10H170SFJ-13

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DMHC10H170SFJ-13

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R

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DMHC1250-1-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1250-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1250-1A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1500-1-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1500-1/2A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC1500-1A

Conduit Fittings & Accessories

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DMHC3025LSD
Produktcode: 114074

IC > IC andere

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DMHC3025LSD

MOSFET

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DMHC3025LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R

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DMHC3025LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC3025LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R

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DMHC3025LSD-13

Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMHC3025LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 1255000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.8 EUR
5000+	0.76 EUR
12500+	0.7 EUR
25000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSD-13

Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMHC3025LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 1268629 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.82 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 13

DMHC3025LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC3025LSD-13
Produktcode: 181374

IC > IC Transistoranordnungen

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DMHC3025LSD-13

MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS

auf Bestellung 67674 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
30+	1.75 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.79 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMHC3025LSDQ-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.1/-4.3A; Idm: 60÷-30A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.1/-4.3A
Pulsed drain current: 60...-30A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSDQ-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSDQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC3025LSDQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSDQ-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 14743 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
14+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

DMHC3025LSDQ-13

MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

auf Bestellung 12819 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
31+	1.73 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.94 EUR
2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMHC3025LSDQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC3025LSDQ-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR
12500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC4035LSD

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 115000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.87 EUR
5000+	0.83 EUR
12500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC4035LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 57500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC4035LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSD-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 4.5/-3.8A; Idm: 25÷-15A
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.5/-3.8A
On-state resistance: 58/100mΩ
Gate charge: 12.5/11.1nC
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 25...-15A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 40/-40V

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSD-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.7 EUR
225+	0.67 EUR
248+	0.59 EUR
254+	0.55 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 223

DMHC4035LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 117422 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
16+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

DMHC4035LSD-13

MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS

auf Bestellung 41833 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.62 EUR
38+	1.39 EUR
100+	1.14 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 33

DMHC4035LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

205+	0.76 EUR
223+	0.68 EUR
225+	0.65 EUR
248+	0.56 EUR
254+	0.53 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 205

DMHC4035LSD-13-52

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R

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DMHC4035LSDQ

MOSFET

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DMHC4035LSDQ-13

40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

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DMHC4035LSDQ-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 3.5/-2.9A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5/11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMHC4035LSDQ-13

40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC4035LSDQ-13

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DMHC4035LSDQ-13

auf Bestellung 177500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.11 EUR
5000+	1.06 EUR
12500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC4035LSDQ-13

40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 112500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC4035LSDQ-13

auf Bestellung 179769 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.68 EUR
12+	2.2 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10

DMHC4035LSDQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 21765 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
24+	2.22 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMHC4035LSDQ-13-52

40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101

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DMHC6070LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 6583 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.22 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10

DMHC6070LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMHC6070LSD-13

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMHC6070LSD-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 3786 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.73 EUR
24+	2.24 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.2 EUR
2500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors

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DMHC6070LSD-13

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R

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DMHE001

Description: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S

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DMHE003

Hood 180° E Shell Size Die Cast

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DMHOND01

D.MDF.HONDA01 MDF Mounting Accessories

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.57 EUR
10+	7.45 EUR
11+	6.85 EUR
12+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 9

DMHOND02

D.MDF.HONDA02 MDF Mounting Accessories

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.91 EUR
9+	8.59 EUR
10+	7.91 EUR
11+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 8

DMHOND03

D.MDF.HONDA03 MDF Mounting Accessories

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.91 EUR
9+	8.59 EUR
10+	7.91 EUR
11+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 8

DMHOND04

Category: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Type of car audio accessories: spacer ring
Car Audio features: impregnated
Loudspeaker size: 165mm
Material: MDF
Internal diameter: 144mm
Thickness: 32mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	23.84 EUR
5+	14.3 EUR
10+	10.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DMHOND04

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	23.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DMHOND05

D.MDF.HONDA05 MDF Mounting Accessories

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	11.24 EUR
8+	8.97 EUR
10+	8.11 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DMHS-1

Greenlee Communications

Description: STRAP DMM HANGING

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DMHT10H032LFJ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
21+	2.56 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	2.14 EUR
3000+	1.13 EUR
6000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DMHT10H032LFJ-13

Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

auf Bestellung 2511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMHT10H032LFJ-13

Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)

Produkt ist nicht verfügbar

DMHT10H032LFJ-13

Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

auf Bestellung 2511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMHT3006LFJ-13

Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)

auf Bestellung 8925 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.96 EUR
11+	2.41 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 9

DMHT3006LFJ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Case: V-DFN5045-12
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 15mΩ
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMHT3006LFJ-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMHT3006LFJ-13

Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.22 EUR
6000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMHT3006LFJ-13

High Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMHT3006LFJ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 11546 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.96 EUR
22+	2.44 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.31 EUR
3000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMHT6016LFJ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Case: V-DFN5045-12
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMHT6016LFJ-13

Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active

auf Bestellung 10727 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.82 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DMHT6016LFJ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 9353 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
17+	3.2 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.44 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 14

DMHT6016LFJ-13

Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active

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DMHT6016LFJ-13

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DMHYUN01

D.MDF.HYUNDAI01 MDF Mounting Accessories

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DMHYUN02