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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DMH-02-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
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DMH-02-SAdam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
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DMH-02-SAdam TechDescription: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
61+0.29 EUR
66+0.27 EUR
70+0.25 EUR
100+0.24 EUR
250+0.22 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DMH-02-S1-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
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DMH-02-S3-GWAdam TechHeaders & Wire Housings
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
60+0.29 EUR
65+0.27 EUR
69+0.26 EUR
100+0.24 EUR
250+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DMH-06Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
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DMH-06-GWAdam TechHeaders & Wire Housings CONNECTOR, WIRE HOUSING, 4.20MM
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DMH-06-SGAdam TechHeaders & Wire Housings 4.2MM LATCHING HSG 2*3P WIRE M V-2 NAT
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DMH-06-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
60+0.29 EUR
65+0.27 EUR
69+0.26 EUR
100+0.24 EUR
250+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DMH-06-V0Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM
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DMH-08Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMH-08-V0Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 4.20MM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-12Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 12POS 4.20MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
93+0.19 EUR
109+0.16 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-18Adam TechHeaders & Wire Housings CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-18Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 18POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-22Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 22POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
16+1.11 EUR
100+0.91 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-22Adam TechnologiesWire to Board, Pin Header Housing Latching 22P Dual Row 4.20mm Pitch
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
25+0.71 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-A-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 15
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
Part Status: Obsolete
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: A
Compatible D-Sub Size: 15pos and HD26pos
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-A-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-A-003 - D-Sub-Endgehäuse, DMH Series, DA, 180°, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DA
Kabelausgangswinkel: 180
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: DMH Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMH-A-003CinchD-Sub Backshells 15P METAL 2 PC HOOD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-A-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 15POS 180DEG SHLD
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMH-A-C-F-BAdam TechHeaders & Wire Housings WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
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DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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DMH-A-C-F-BAdam TechnologiesDMH-A-C-F-B
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DMH-A-C-F-BAdam TechDescription: WIRE TO BOARD, PIN HEADER CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 22-26 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
auf Bestellung 8066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
143+0.12 EUR
161+0.11 EUR
169+0.1 EUR
250+0.098 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.089 EUR
2500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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DMH-B-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB25 DIECAST
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DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMH-B-C-F-RAdam TechDescription: 4.2MM TERM M 18-22AWG BRASS TIN
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMH-B2-C-F-G-RAdam TechHeaders & Wire Housings Socket Contact 16-20 AWG
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DMH-C-001CinchD-Sub Backshells 37P METAL 2 PC HOOD
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DMH-E-001Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR
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DMH-E-003CinchD-Sub Backshells 9C 2PC METAL BCKSHLL
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+11.19 EUR
25+10.21 EUR
50+9.64 EUR
100+9.05 EUR
250+8.55 EUR
500+8.29 EUR
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DMH-E-003CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - DMH-E-003 - TWO PIECE D SUB BACKSHELL, SIZE DE, ZINC
tariffCode: 85366910
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMH-E-003Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN BACKSHELL 9POS 180DEG SHLD
Features: Mating Screws 4-40
Packaging: Bulk
Color: Silver
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware, Grommets
Cable Exit: 180°
Cable Type: Round
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DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.77 EUR
25+10.32 EUR
50+9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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DMHA003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° A Shell Size Zinc Steel
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DMHA14R5V353M4ATA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 35MF 2.25V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.787" L x 0.787" W (20.00mm x 20.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 300mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 35 mF
Voltage - Rated: 4.5 V
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DMHA14R5V353M4ATA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors 4.5V 35mF 20% ESR 300mOhms SuperCap
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DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.94 EUR
25+8.85 EUR
50+7.96 EUR
100+7.14 EUR
250+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.94 EUR
25+8.85 EUR
50+7.96 EUR
100+7.14 EUR
250+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHB003Cinch Connectivity SolutionsBackshell 180° B Shell Size Zinc Steel
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.79 EUR
27+10.48 EUR
51+9.82 EUR
102+8.3 EUR
252+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMHC1000-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC1000-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC1000-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC10H170SFJ
Produktcode: 190608
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Transistoren > MOSFET N-CH
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DMHC10H170SFJDiodes IncorporatedMOSFET
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DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
auf Bestellung 279000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMHC10H170SFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMHC10H170SFJ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.88 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.81 EUR
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DMHC10H170SFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 3423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
11+1.73 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMHC1250-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC1250-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC1250-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC1500-1-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC1500-1/2AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC1500-1AEssentraConduit Fittings & Accessories
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DMHC3025LSD
Produktcode: 114074
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DMHC3025LSDDiodes IncorporatedMOSFET
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DMHC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
79+0.91 EUR
110+0.65 EUR
126+0.57 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 473 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13
Produktcode: 181374
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 23096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
auf Bestellung 55260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1642 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1857 Stücke:
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304+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.65 EUR
225+0.62 EUR
248+0.54 EUR
254+0.51 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 4.5/-3.8A; Idm: 25÷-15A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 4.5/-3.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5/11.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.71 EUR
223+0.63 EUR
225+0.6 EUR
248+0.52 EUR
254+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSD-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 3.5/-2.9A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5/11.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 56669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13-52Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 11437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.65 EUR
100+1.1 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 6573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHE001Cinch Connectivity SolutionsDescription: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHE003Cinch Connectivity SolutionsHood 180° E Shell Size Die Cast
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord V 1993->1997; Honda Civic IV 1987->1996; Honda Civic V 1987->1996; Honda CRX 1987->1992; Honda Prelude IV 1991->1996
Type of car audio accessories: spacer ring
Car Audio features: impregnated
Material: MDF
Thickness: 18mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda CRX front doors; Honda Prelude front doors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord 2008->2011; Honda Accord 2008->2012; Honda Civic 2006->2012; Honda Civic 2011->2017; Honda Civic 2015->; Honda Civic Tourer 2013->2014; Honda Civic VII 2006->2011; Honda Crosstour 2010->2012; Honda CR-V 2013->; Honda CR-Z 2010->; Honda CR-Z 2011->2012; Honda Insight 2009->2012; Honda Insight 2010->2012; Honda Jazz 2009->2015
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda Civic front doors; Honda Crosstour front doors; Honda CR-V front doors; Honda CR-Z front doors; Honda Insight front doors; Honda Insight rear doors
Material: MDF
Thickness: 18mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.9 EUR
9+8.79 EUR
10+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND04BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Type of car audio accessories: spacer ring
Thickness: 32mm
Internal diameter: 144mm
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Honda
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Car Audio features: impregnated
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHS-1Greenlee CommunicationsDescription: STRAP DMM HANGING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.56 EUR
10+3.73 EUR
100+3.04 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.43 EUR
3000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 9552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.59 EUR
100+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
10+1.85 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
6000+1.04 EUR
9000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.32 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.22 EUR
3000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 12983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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