Produkte > FDZ

Description: SPST
Packaging: Bulk
Features: Load Discharge
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 48mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1V ~ 4V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 10310 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

FDZ1323NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1323NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9737 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.41 EUR
10+	2.78 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR
2000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDZ1323NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1323NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1323NZ

Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1323NZ

MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P

auf Bestellung 4839 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.46 EUR
19+	2.83 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.43 EUR
5000+	1.36 EUR
10000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FDZ1416NZ

Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1416NZ

Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1416NZ

MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1416NZ

Trans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1416NZ

Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1416NZ

Trans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1827NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2219+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

FDZ1827NZ-P

Description: FDZ18COMMONDRAN-CPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1905PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

825+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 825

FDZ1905PZ

MOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1905PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ1905PZ

Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P

Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P

Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P

Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul

auf Bestellung 5738 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ191P

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ191P_P

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ192NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ192NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ193P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

auf Bestellung 709295 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1276+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1276

FDZ193P

MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ193P

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ197PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

auf Bestellung 275000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1210+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1210

FDZ197PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ197PZ

Description: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 275000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDZ197PZ

Description: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

auf Bestellung 29400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1210+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1210

FDZ197PZ

MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench

auf Bestellung 4044 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ201N

Description: MOSFET N-CH 20V 9A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ201N

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ201N

Description: MOSFET N-CH 20V 9A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ201N

Description: MOSFET N-CH 20V 9A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ202P

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ202P

MOSFET 20V/12V P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ202P

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V

auf Bestellung 155615 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

FDZ202P

auf Bestellung 2261 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ203N

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ203N

Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ2040L

Power Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.068Ohm 4-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ2040L

Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ2040L

Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ2040L

Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ2040L

Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ204P

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ204P

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA

auf Bestellung 157309 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ206P

Description: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V

auf Bestellung 369292 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

589+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 589

FDZ206P

FAI

05+

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ206P

Trans MOSFET P-CH 20V 13A 18-Pin BGA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ206P

MOSFET 20V/12V PCh MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ206P

Description: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ208P

Description: MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2409 pF @ 15 V

auf Bestellung 5403 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

224+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 224

FDZ209N

Description: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V

auf Bestellung 20644 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

346+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 346

FDZ2552P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

247+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 247

FDZ2553N

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 135576 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ2553NZ

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ2554P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 89940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ2554PZ

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 11960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ291P

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ291P

FAI

05+

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ291P

Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ291P

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ291P/D

FAIR

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ293P

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V

auf Bestellung 50621 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1158+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1158

FDZ293P

FAI

2006 BGA

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ293P

FSC

09+

auf Bestellung 15018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ293P

Fairchild

BGA-6

auf Bestellung 9400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ293P/B

FAIR

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ294N

FAIRCHILD

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ294N

Description: MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V

auf Bestellung 53580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

290+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 290

FDZ294N

Trans MOSFET N-CH 20V 6A 9-Pin BGA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ298N

auf Bestellung 5012 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ298N

Description: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ299P

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V

auf Bestellung 14445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

951+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 951

FDZ299P

FSC

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ371PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ371PZ

MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench

auf Bestellung 4286 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ371PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ371PZ K..

ON-Semicoductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R FDZ371PZ TFDZ371pz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDZ372NZ

FAIRCHILD

WL-CSP

auf Bestellung 1287 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ372NZ

Description: ONSEMI - FDZ372NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 992944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDZ372NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ375P

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ375P

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

181+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 181

FDZ375P

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V

auf Bestellung 5119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

181+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 181

FDZ375P

Description: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDZ375P

MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench

auf Bestellung 4315 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ391P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ391P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ391P

MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ391P

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ3N513ZT

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

auf Bestellung 25469 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ3N513ZT

MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode

auf Bestellung 2732 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ4002L

Description: IC POWER MANAGEMENT

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4010

Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5V
Current - Output (Max): 10mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.16x0.76)

auf Bestellung 79800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

951+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 951

FDZ451PZ

MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4365 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ451PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V

auf Bestellung 9571 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5323+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

FDZ451PZ-P

Description: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4670

Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4670

Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4670

Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4670S

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ4670S

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ493P

MACOM Technology Solutions

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.55x1.55)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V

auf Bestellung 47700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1025+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

FDZ5013

MACOM

Signal Conditioning Input 3-12GHz Output 6-24GHz

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ5013

Description: MIXER,DOUBLER,FREQUENCY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Function: Frequency Doubler
Frequency: 6GHz ~ 24GHz
RF Type: General Purpose
Part Status: Active

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	5643.2 EUR

FDZ5013C

MACOM Technology Solutions

Description: MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER
Packaging: Tray
Package / Case: Module, SMA Connectors
Function: Frequency Doubler
Frequency: 6GHz ~ 24GHz
RF Type: General Purpose

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	6352.32 EUR

FDZ5013C

MACOM

Signal Conditioning Input 3-12GHz SMA Output 6-24GHz

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ5013C-1

MACOM

RF Wireless Misc Doubler,Frequency

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ5013C-1

MACOM Technology Solutions

Description: DOUBLER,FREQUENCY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module, SMA Connectors
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Frequency Doubler
Frequency: 3GHz ~ 12GHz
RF Type: General Purpose
Supplier Device Package: Module

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ5047N

Description: MOSFET N-CH 30V 22A BGA

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ5047N

FAIRCHILD

BGA 03--06+

auf Bestellung 22432 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ595PZ

Rochester Electronics, LLC

MOSFET

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ595PZ

Description: FDZ595PZ

auf Bestellung 225145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDZ661PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V

auf Bestellung 6632 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.95 EUR
16+	1.68 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.83 EUR
2000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FDZ661PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ661PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ661PZ

MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 9985 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDZ661PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

952+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 952

FDZ663P

MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ663P

Description: FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

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1025+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

FDZ7064AS

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FDZ7064AS

Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V

auf Bestellung 34720 Stücke:

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325+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 325

FDZ7064N

Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3843 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

217+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 217

FDZ7064S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 30-BGA (3.5x4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

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212+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 212

FDZ7296

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

auf Bestellung 4832 Stücke:

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417+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 417

FDZ8040L

Power Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.348Ohm 4-Pin WLCSP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ8040L

Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ8040L

Description: INTEGRATED LOAD SWITCH

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ8040L

Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP

Produkt ist nicht verfügbar

FDZ8040L

Power Switch ICs - Power Distribution 4V 1.2A Integrated Load Switch

auf Bestellung 2574 Stücke:

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FDZT27R5.6

ROHM Semiconductor

Zener Diodes 100mW 5.31-5.92V Vz 2.5V Vr RASMID

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB5.1

Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB5.1

Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V

auf Bestellung 150 Stücke:

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33+	0.81 EUR
47+	0.56 EUR
100+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 33

FDZT40RB5.6

Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB6.2

Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB6.2

Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB6.8

Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB6.8

Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB7.5

Description: DIODE ZENER 7.5V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDZT40RB8.2