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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDZ09PG1MMolexD-Sub Dualport Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ09SG1MMolexD-Sub Dualport Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ09SG1SMolexD-Sub Dualport Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1040LFairchild SemiconductorDescription: SPST
Features: Load Discharge
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 48mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1V ~ 4V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZonsemiMOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
auf Bestellung 8816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1323NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
auf Bestellung 4714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+2.2 EUR
100+1.55 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1416NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1416NZonsemi / FairchildMOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZON SemiconductorFDZ1827NZ
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZ-PonsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1905PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
562+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1905PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1905PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ1905PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191Ponsemi / FairchildEncoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul
auf Bestellung 5738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ191P_PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ192NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ193PON Semiconductor / FairchildMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ193PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
auf Bestellung 709295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1276+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ197PZFairchild SemiconductorDescription: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1211+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ197PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 275000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1460+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ197PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
auf Bestellung 4044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ201NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ201N
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ202P
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ202PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ202Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ202PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 155615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ203N
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ203NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2040LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ204PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
auf Bestellung 157309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
781+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ204P
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ206Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V PCh MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ206PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V
auf Bestellung 361963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ206PFAI05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ208PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2409 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-WFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ209NONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ209N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ209NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2552PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
247+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1299pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
auf Bestellung 134864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
349+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
auf Bestellung 109004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.05 EUR
100000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NZonsemiMOSFETs 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2553NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2554PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 89940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ2554PZFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ291PFAI05+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ291P/DFAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ293PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ293PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 9407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
790+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ293PFSC09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ293P/BFAIR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ294NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
auf Bestellung 53580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ294NFAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ298NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ298N
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ299PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-WFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ299PFSC
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ299PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ371PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ371PZ K..ON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R FDZ371PZ TFDZ371pz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ372NZFAIRCHILDWL-CSP
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ372NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ372NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ372NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 968550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDZ375PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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181+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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FDZ375PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
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FDZ375PON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
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FDZ375PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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 Mindestbestellmenge: 4885 Stücke
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FDZ375PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
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FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
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FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
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FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
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FDZ391PON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDZ3N513ZTON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
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FDZ3N513ZTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
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 Mindestbestellmenge: 931 Stücke
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FDZ4002LON SemiconductorDescription: IC POWER MANAGEMENT
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