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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HN4064C
auf Bestellung 2984 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4264VMingtek2005
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HN4264VGDIP 826
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HN42C4256SJ-08PANASONICSOJ
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HN4459HoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
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HN4460HoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
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HN4460FHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
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HN4460GHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
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HN4460HHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
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HN4464SHONEST2003
auf Bestellung 363 Stücke:
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HN4464SGMINGTEK09+
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HN4530HoneywellDescription: PNEU DIR-ACTING DAMPER ACTUATOR
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HN462532GHIT90+ DIP
auf Bestellung 15 Stücke:
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HN462532G
Produktcode: 142561
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HN462716GHITACHIDIP
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HN462732G
Produktcode: 104834
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HitachiIC > IC Speicher
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HN462732GHITACHIDIP
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HN46273GHIT92+ DIP
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4821SGSMD 816
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4827128G-25/30HITACHIDIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN482732AG-20HITACHIDIP
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN482732AG-25HITACHIPLCC
auf Bestellung 30 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN482732AG-30HITACHIDIP
auf Bestellung 13 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN482764G-3HITDIP
auf Bestellung 24 Stücke:
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HN482764G-4HITDIP
auf Bestellung 15 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN482764P-385
auf Bestellung 4 Stücke:
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HN4A06JTOSHIBASOT25/SOT353
auf Bestellung 42 Stücke:
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HN4A06JToshibaToshiba
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HN4A06J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
580+0.3 EUR
602+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A06J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A06J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
auf Bestellung 16004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A06J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A06J(TE85LF)ToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+1.25 EUR
325+0.71 EUR
508+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+1.25 EUR
325+0.71 EUR
508+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A51JTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A51JTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
auf Bestellung 10921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A51JTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A56JU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A56JU(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A56JU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4A71FKTOS08+
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Supplier Device Package: ESV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B01JE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
auf Bestellung 3839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B04J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B04J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B101JToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B101J05+
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B101J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 1.2A/1A 550mW 5-Pin SMV T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B101J(TE85L,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
179+1.3 EUR
274+0.79 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR SMV V=30V F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
179+1.3 EUR
274+0.79 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
302+0.57 EUR
331+0.51 EUR
332+0.5 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4C06J0412+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN4C06JToshibaToshiba
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HN4C06J-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Not For New Designs
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HN4C06J-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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HN4C06J-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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HN4C06J-BL(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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HN4C06J-BL(TE85L,F)
Produktcode: 162574
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HN4C06J-BL(TE85LFToshibaArray
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HN4C06J-GRTOSHIBA05+
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HN4C06J-GR(TE85L,FToshiba
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HN4C06J-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
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HN4C51JToshibaBipolar Transistors - BJT
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HN4C51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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201+1.25 EUR
325+0.71 EUR
508+0.42 EUR
672+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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HN4C51J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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HN4C51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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325+0.71 EUR
508+0.42 EUR
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HN4C51J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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100+0.42 EUR
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HN4C51J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
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HN4D01JUTOSHIBA09+
auf Bestellung 177018 Stücke:
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HN4D02JUTOSHIBASOT23-5
auf Bestellung 3370 Stücke:
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HN4D02JU(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
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100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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HN4D02JU/A2
auf Bestellung 1000 Stücke:
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HN4FM604810Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 10 - Steel/Gray
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HN4FM604810Hammond ManufacturingDescription: N4 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
auf Bestellung 5 Stücke:
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HN4FM604812S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 12 - 316 SS
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HN4FM604812S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
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HN4FM604812SSHammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 12 - 304 SS
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HN4FM604812SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
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HN4FM604818Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - Steel/Gray
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HN4FM604818S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - 316 SS
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HN4FM604818S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
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HN4FM604818SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
auf Bestellung 5 Stücke:
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HN4FM604818SSHammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - 304 SS
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HN4FM606012HammondGray Mild Steel Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
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HN4FM606012Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 60 x 12 - Steel/Gray
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HN4FM606012Hammond ManufacturingDescription: N4 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
auf Bestellung 2 Stücke:
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HN4FM606012S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
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HN4FM606012S16HammondNatural Stainless Steel 316 Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
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HN4FM606012SSHammondNatural Stainless Steel 304 Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
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HN4FM606012SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 60 x 12 - 304 SS
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HN4FM606012SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
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HN4FM606018Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures HN4FM 3PT - WELD ASSEMBLY
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HN4FM606018S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4S16 FLOORMT 60X60X18 W/HNDL
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