Produkte > NTZ

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTZ751FAIRCHILD09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-11ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-16ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-5IC00+ SOP
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-7ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-8ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZA-9ic00+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3152PT1
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
400+ 0.18 EUR
450+ 0.16 EUR
480+ 0.15 EUR
510+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9
Verlustleistung, p-Kanal: 280
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT1GonsemiMOSFET -20V -430mA Dual P-Channel
auf Bestellung 52704 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
81+ 0.65 EUR
174+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
4000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3611+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3611
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.2 EUR
400+ 0.18 EUR
450+ 0.16 EUR
480+ 0.15 EUR
510+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 430
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 342853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 342853 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3328+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3328
NTZD3152PT1HON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.22 EUR
380+ 0.19 EUR
550+ 0.13 EUR
580+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 330
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
330+0.22 EUR
380+ 0.19 EUR
550+ 0.13 EUR
580+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 330
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 519007 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
35+ 0.75 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.26 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 540
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT1GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
auf Bestellung 381551 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
79+ 0.66 EUR
160+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.2 EUR
8000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 512870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.23 EUR
12000+ 0.2 EUR
100000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTZD3154NT1HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 1127995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 1124000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.19 EUR
8000+ 0.18 EUR
12000+ 0.15 EUR
100000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3154NT2GON Semiconductor
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3154NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
auf Bestellung 135216 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.22 EUR
56+ 0.94 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.21 EUR
8000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 43
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155Consemionsemi COMP SOT563 20V 540MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
191+0.38 EUR
341+ 0.21 EUR
421+ 0.17 EUR
491+ 0.15 EUR
521+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 191
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.25 EUR
8000+ 0.24 EUR
12000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.13 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
28000+ 0.098 EUR
100000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
28000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NTZD3155CT1GOn SemiconductorNTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 30074 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.38 EUR
341+ 0.21 EUR
421+ 0.17 EUR
491+ 0.15 EUR
521+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 191
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.15 EUR
8000+ 0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
100000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT1GonsemiMOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
auf Bestellung 354636 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
91+ 0.57 EUR
135+ 0.39 EUR
1000+ 0.26 EUR
4000+ 0.25 EUR
8000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+0.37 EUR
820+ 0.18 EUR
830+ 0.17 EUR
1137+ 0.12 EUR
3000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 423
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+ 0.34 EUR
290+ 0.25 EUR
538+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 167
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 29382 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.68 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT2GonsemiMOSFET COMP 540mA 20V
auf Bestellung 14234 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
85+ 0.62 EUR
176+ 0.3 EUR
1000+ 0.2 EUR
4000+ 0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.59 EUR
360+ 0.42 EUR
423+ 0.34 EUR
820+ 0.17 EUR
830+ 0.16 EUR
832+ 0.15 EUR
1137+ 0.11 EUR
3000+ 0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 266
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+ 0.34 EUR
290+ 0.25 EUR
538+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 167
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.21 EUR
12000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT5G
auf Bestellung 38500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3156CT5G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3139+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3139
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 7689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1467+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1467
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 16768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 7689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.54 EUR
398+ 0.38 EUR
402+ 0.36 EUR
841+ 0.17 EUR
849+ 0.16 EUR
897+ 0.14 EUR
1289+ 0.095 EUR
3000+ 0.088 EUR
6000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 288
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 16768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.2 EUR
8000+ 0.19 EUR
12000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD5110NT1GonsemiMOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
auf Bestellung 394339 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
84+ 0.62 EUR
187+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
4000+ 0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.15 EUR
8000+ 0.14 EUR
16000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD5110NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PTon
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.41 EUR
519+ 0.29 EUR
837+ 0.17 EUR
1125+ 0.12 EUR
4000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 386
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PT1GonsemiMOSFET -20V -950mA P-Channel
auf Bestellung 5474 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
77+0.68 EUR
104+ 0.5 EUR
167+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
8000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 77
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
627+0.25 EUR
847+ 0.18 EUR
855+ 0.17 EUR
898+ 0.16 EUR
947+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
1061+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 627
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.18 EUR
898+ 0.17 EUR
947+ 0.15 EUR
1000+ 0.14 EUR
1061+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 855
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
auf Bestellung 151765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3328+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3328
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 151765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS3151PT1H
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTZS315PT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZY-5ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZY-6ic00+ SOP
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZY-7ic00+ SOP
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTZY-8ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)