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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTZ751FAIRCHILD09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-11ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-16ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-5IC00+ SOP
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-7ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-8ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZA-9ic00+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
667+0.35 EUR
841+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 1461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
275+0.31 EUR
315+0.27 EUR
432+0.2 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GonsemiMOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
auf Bestellung 110335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
11+0.31 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
667+0.35 EUR
841+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 342853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power - Max: 250mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
auf Bestellung 342853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3328+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.46 EUR
747+0.23 EUR
795+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 820000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
396+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.7 EUR
365+0.46 EUR
371+0.44 EUR
747+0.2 EUR
795+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 820000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
auf Bestellung 508911 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.65 EUR
100+0.4 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
396+0.58 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT2GON Semiconductor
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT2GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT2GonsemiMOSFETs NFET 540MA 20V TR
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
34+0.62 EUR
100+0.31 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 15917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+0.37 EUR
680+0.25 EUR
687+0.24 EUR
727+0.21 EUR
770+0.19 EUR
820+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GONN
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
auf Bestellung 135216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.75 EUR
100+0.43 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.17 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 15917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.25 EUR
727+0.24 EUR
770+0.21 EUR
820+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155Consemi COMP SOT563 20V 540MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.92 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GOn SemiconductorNTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.48 EUR
214+0.39 EUR
278+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.19 EUR
12000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.92 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.64 EUR
100+0.43 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 139650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.57 EUR
514+0.32 EUR
823+0.2 EUR
971+0.15 EUR
1068+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
auf Bestellung 3459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.52 EUR
250+0.35 EUR
325+0.26 EUR
472+0.18 EUR
610+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GonsemiMOSFETs COMP 540mA 20V
auf Bestellung 55077 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 480000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5425+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
100000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 5425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.6 EUR
470+0.36 EUR
475+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 13560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5425+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT2G-M07onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
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NTZD3155CT5G
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NTZD3156CT1GON Semiconductor
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NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
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NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
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NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
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NTZD3156CT5G
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NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
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NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
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3139+0.19 EUR
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NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
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NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
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4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1240+0.14 EUR
1608+0.1 EUR
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NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NTZD5110NT1GonsemiMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
421+0.2 EUR
569+0.15 EUR
685+0.12 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.4 EUR
685+0.25 EUR
692+0.24 EUR
1240+0.13 EUR
1252+0.12 EUR
1608+0.089 EUR
1707+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
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NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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