Produkte > NTZ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| NTZ751 | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-11 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-13 | MOT | 07+/08+ SOP8 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-16 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-5 | IC | 00+ SOP | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-7 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-8 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZA-9 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9 Verlustleistung, p-Kanal: 280 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 3422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | onsemi | MOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel | auf Bestellung 110335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Gate charge: 1.7nC Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 2Ω Gate-source voltage: ±6V Polarisation: unipolar Case: SOT563 | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 37311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Gate charge: 1.7nC Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 2Ω Gate-source voltage: ±6V Polarisation: unipolar Case: SOT563 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 13182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1H | ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 342853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3152PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 342853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3152PT5G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 248000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 780000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 820000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 155622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 0.54A Gate charge: 1.5nC Gate-source voltage: ±7V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 820000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 153077 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 250671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | onsemi | MOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD | auf Bestellung 162758 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 0.54A Gate charge: 1.5nC Gate-source voltage: ±7V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT1H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1H | ON Semiconductor | MOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR | auf Bestellung 2746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 3725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | auf Bestellung 3205 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTZD3154NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT2G | onsemi | MOSFETs NFET 540MA 20V TR | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 15917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | onsemi | MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD | auf Bestellung 135216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 15917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Last Time Buy | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3154NT5G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155C | onsemi | onsemi COMP SOT563 20V 540MA TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 196000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5/1.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 135750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 26533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | onsemi | MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD | auf Bestellung 37496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | On Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 26443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5/1.7nC | auf Bestellung 4112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 48695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1H | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | onsemi | MOSFETs COMP 540mA 20V | auf Bestellung 17397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 592000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3469 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 3469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 21130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 35419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 13560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3155CT5G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3155CT5G | auf Bestellung 38500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZD3156CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTZD3156CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT5G | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZD3156CT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3156CT5G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3158PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD3158PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 164000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD3158PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 18353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | onsemi | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH | auf Bestellung 223151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.225A Power dissipation: 0.28W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD5110NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.225A Power dissipation: 0.28W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZD5110NT5G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT | on | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | auf Bestellung 17645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 6470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 6470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ONSEMI | NTZS3151PT1G SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | onsemi | MOSFET -20V -950mA P-Channel | auf Bestellung 5474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | auf Bestellung 151765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTZS3151PT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 151765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZS315PT1G | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTZY-5 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZY-6 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZY-7 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTZY-8 | ic | 00+ SOP | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |