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PHK04P02T+518

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PHK04P02T,518

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHK04P02T,518

Trans MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-Pin SO T/R

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PHK04P02T,518

Description: TRANSISTORS>100MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 12.8 V

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1244+	0.57 EUR

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PHK1

Racks & Rack Cabinet Accessories Type 12 Handle Kit Padlocking Handle

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PHK1

Description: LATCH HANDLE PADLOCKING 1PT

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PHK12NQ03L

PHI

09+

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PHK12NQ03L

2007

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PHK12NQ03LT

MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHK12NQ03LT

SOP8 09+

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PHK12NQ03LT

MOSFET

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PHK12NQ03LT,518

Description: NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 16 V

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1069+	0.73 EUR

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PHK12NQ03LT,518

Description: NEXPERIA - PHK12NQ03LT,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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PHK12NQ03LT,518

MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHK12NQ10T

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PHK12NQ10T,518
Produktcode: 62344

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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PHK12NQ10T,518

Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R

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PHK12NQ10T,518

Description: MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V

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PHK12NQ3LT

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PHK13N03LT

PHI

09+

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PHK13N03LT

0544+

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PHK13N03LT,518

Description: MOSFET N-CH 30V 13.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752 pF @ 15 V

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PHK13N03LT,518

MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHK13N03LT,518

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SO T/R

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PHK13NQ03LT

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PHK18NQ03

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PHK18NQ03LT

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PHK18NQ03LT,518

MOSFET MOSFET N-CH 30V 20.3A

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PHK18NQ03LT,518

Description: MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

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PHK18NQ03LT518

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PHK2

Description: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

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PHK2

Racks & Rack Cabinet Accessories Type 12 Handle Kit Padlocking Handle

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PHK24NQ04LT

auf Bestellung 10000 Stücke:

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PHK24NQ04LT,518

Description: MOSFET N-CH 40V 21.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2985 pF @ 25 V

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PHK24NQ04LT,518

Trans MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-Pin SO T/R

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PHK25HS002

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PHK28N03LT

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PHK28NQ03LT

2003

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PHK28NQ03LT,518

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A 8-Pin SO T/R

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PHK28NQ03LT,518

auf Bestellung 2500 Stücke:

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PHK28NQ03LT,518

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHK28NQ03LT,518

Description: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

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PHK3

Description: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

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PHK3

Racks & Rack Cabinet Accessories Type 12 Handle Kit Padlocking Handle

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PHK31NQ03LT

SOP8 0632+

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PHK31NQ03LT

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk

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PHK31NQ03LT,518

Description: NEXPERIA PHK31NQ03LT - 30.4A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4235 pF @ 12 V

auf Bestellung 88953 Stücke:

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601+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 601

PHK31NQ03LT,518

MOSFET MOSFET N-CH 30V 30.4A

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PHK31NQ03LT,518

Trans MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-Pin SO T/R

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PHK31NQ03LT1

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PHK4NQ10T

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PHK4NQ10T,518

Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PHK4NQ10T,518

Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

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PHK4NQ10T/T3

auf Bestellung 12500 Stücke:

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PHK4NQ20T,518

Description: MOSFET N-CH 200V 4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V

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PHK4NQ20T,518

Trans MOSFET N-CH 200V 4A 8-Pin SO T/R

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PHK5NQ10T

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PHK5NQ15T

auf Bestellung 1500 Stücke:

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PHK5NQ15T,518

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHK5NQ15T,518

Description: MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

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PHK5NQ15T,518

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin SO T/R

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PHK6N02LT

auf Bestellung 227 Stücke:

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PHKD1

Electrical Enclosure Accessories

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PHKD13N03LT

MOSFET

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PHKD13N03LT

07+

auf Bestellung 1476 Stücke:

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PHKD13N03LT /T3

MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHKD13N03LT,118

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

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PHKD13N03LT,518

Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8-Pin SO T/R

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PHKD13N03LT,518

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PHKD13N03LT,518

MOSFET MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

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PHKD3NQ10T

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PHKD3NQ10T,518

MOSFET PHKD3NQ10T/SO8/REEL 13" Q1/T1

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PHKD3NQ10T,518

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

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PHKD6N02

auf Bestellung 13591 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PHKD6N02LT

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PHKD6N02LT

0450+ SOP8

auf Bestellung 2000 Stücke:

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PHKD6N02LT

MOSFET

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PHKD6N02LT

0826+ SOP8

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PHKD6N02LT

0523+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PHKD6N02LT,518

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

966+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 966

PHKD6N02LT,518

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

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PHKD6N02LT,518

Trans MOSFET N-CH 20V 10.9A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PHKD6N02LT,518