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PJX-2 (25 Ft)Global IndustrialDescription: 25' INSTALLATION KIT FOR SPLIT S
Part Status: Active
Type: Installation Kit
Packaging: Box
auf Bestellung 22 Stücke:
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PJX138K-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
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PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJX138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
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PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJX138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
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PJX138K-S1-00001PanjitMOSFETs
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PJX138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
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PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
477+0.18 EUR
823+0.1 EUR
916+0.093 EUR
964+0.088 EUR
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PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJX138K_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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PJX138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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PJX138K_S1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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PJX138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
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PJX138L-R2-00001PanjitMOSFETs
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PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
auf Bestellung 1180 Stücke:
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19+1.15 EUR
25+0.87 EUR
100+0.55 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJX138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJX138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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PJX8601_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 2965 Stücke:
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11+0.31 EUR
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500+0.15 EUR
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PJX8601_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PJX8603_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 4977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
327+0.26 EUR
468+0.18 EUR
582+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 15747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8603_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8803_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.54 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8805_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8805_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.24 EUR
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.21 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8812_R1_00001PanjitMOSFET /X12/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8812_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8812_R2_00001PanjitMOSFET /X12/TR/13"/HF/10K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828-R1-00001PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
42+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8828_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838-R1-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838-R1-00002PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-50TEMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838-R2-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 7665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
auf Bestellung 5686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8838_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8839_R1_00001PanjitMOSFET /X39/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-60TEMP/NF60TE-QI03/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8839_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8839_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
103+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8872B_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingWall Mounted Panel Enclosures NON MET WALLMT 40X32X12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 32.200" L x 13.380" W (817.88mm x 339.85mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 431in² (2780cm²)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJXL403212L3PTWHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Color: White
Size / Dimension: 32.210" L x 11.880" W (818.13mm x 301.75mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 383in² (2469cm²)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH