Produkte > PXN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| PXN010-30QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN010-30QLJ | NEXPERIA | PXN010-30QLJ SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN010-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 7632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN010-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V | auf Bestellung 9425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN010-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN010-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN010-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN011-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN011-100QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Power Dissipation (Max): 66W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN011-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN011-100QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Power Dissipation (Max): 66W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN011-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Power Dissipation (Max): 66W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN011-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN011-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Power Dissipation (Max): 66W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 5995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN011-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN011-100QSJ | Nexperia | MOSFETs PXN011-100QS/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-100QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN012-100QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 2570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QLJ | NEXPERIA | NChannel 100V, 12 mOhm, logic Level Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QSJ | Nexperia | MOSFETs PXN012-100QS/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 4783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Power Dissipation (Max): 58W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-100QSJ | NEXPERIA | NChannel 100V, 12 mOhm, Standard Level Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Power Dissipation (Max): 58W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V | auf Bestellung 5790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-60QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V | auf Bestellung 6740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-60QLJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-60QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-60QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-60QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 45040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN012-60QLJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | auf Bestellung 5480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXN012-60QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN012-60QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R | auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN017-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN017-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 10556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN017-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V | auf Bestellung 6256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN017-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN017-30QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN017-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN018-30QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN018-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN018-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN018-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN018-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN018-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN020-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A Power Dissipation (Max): 37W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN020-100QSJ | Nexperia | MOSFETs PXN020-100QS/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN020-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN020-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A Power Dissipation (Max): 37W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V | auf Bestellung 6259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN020-100QSJ | NEXPERIA | NChannel 100V, 20 mOhm, Standard Level Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN020-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN028-100QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN028-100QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN028-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN028-100QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Power Dissipation (Max): 30W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN028-100QLJ | NEXPERIA | NChannel 100V, 28 mOhm, logic Level Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN028-100QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN028-100QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Power Dissipation (Max): 30W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 4228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN040-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Power Dissipation (Max): 21W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V | auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN040-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN040-100QSJ | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Power Dissipation (Max): 21W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN040-100QSJ | Nexperia | MOSFETs PXN040-100QS/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 10354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN040-100QSJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN040-100QSJ | NEXPERIA | NChannel 100V, 40 mOhm, Standard Level Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN210002-01E | Lantronix | Serial to Ethernet/Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11 a/b/g/n 10Mbps/100Mbps | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN210002-01E | Lantronix, Inc. | Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN210002-01J | Lantronix, Inc. | Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN210002-01U | Lantronix | Networking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN210002-01U | Lantronix, Inc. | Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN2R9-100RSJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN4R7-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 15A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN4R7-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | auf Bestellung 14041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN4R7-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 5058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN4R8-30QLJ | Nexperia | MOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN5R4-30QLJ | Nexperia | MOSFET PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 5090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN5R4-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN5R4-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN5R4-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN5R4-30QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN5R4-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | auf Bestellung 32449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN5R5-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN5R5-30QLJ | Nexperia | MOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN5R5-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R2-25QLJ | Nexperia | MOSFET PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 3757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 25V 13.1A 8-Pin MLPAK33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R2-25QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R2-25QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN6R7-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R7-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R7-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R7-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN6R7-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN6R7-30QLJ | Nexperia | MOSFET PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN7R7-25QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN7R7-25QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN7R7-25QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN8R3-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN8R3-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN8R3-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN8R3-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN8R3-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN9R0-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN9R0-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PXN9R0-30QLJ | Nexperia | MOSFETs PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33 | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN9R0-30QLJ | Nexperia USA Inc. | Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V | auf Bestellung 4606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PXN9R0-30QLJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |