Produkte > RSJ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| RSJ-0352-2-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5 MM MONO JACK | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-0356A-U-N-NL | RDI Electronics | ACCT#000458287 12/31/15 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-0356A-U-NL | RDI Electronics | .5MM STEREO JACK WITH REAR C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-1000-50 | Bourns Inc. | Description: RES SHUNT CHAS MNT 1000A 50MV Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-1000-50 | Bourns | Planar Resistors - Chassis Mount SWA-1000 50mV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-1500-100 | Riedon | Description: RES CHAS MNT 67 UOHM 0.25% Tolerance: ±0.25% Lead Style: 4-Terminal Features: Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety Packaging: Bulk Package / Case: Rectangular Case - Open Temperature Coefficient: ±15ppm/°C Size / Dimension: 11.250" L x 3.000" W (285.75mm x 76.20mm) Composition: Metal Element Operating Temperature: 30°C ~ 70°C Mounting Feature: Flanges Resistance: 67 µOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-1500-50 | BOURNS | Description: BOURNS - RSJ-1500-50 - Messwiderstand / Shunt, 0.033 mOhm, 50mV-Ausgang, 1.5 kA, 0.25 %, -40 °C, 100 °C, Riedon RSJ Series tariffCode: 85332100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Nennstrom: 1.5kA euEccn: NLR Genauigkeit: 0.25% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 100°C usEccn: EAR99 Produktpalette: Riedon RSJ Series SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-1500-50 | Bourns | Planar Resistors - Chassis Mount RSJ-1500 50mV | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ-2500-100 | Bourns | Planar Resistors - Chassis Mount SWA 2500A 100mV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-3558S-1-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM STEREO JACK Features: Board Guide, Board Lock Packaging: Tray Connector Type: Phone Jack, Dual Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions/Contacts: 2 Sets of 3 Conductors, 10 Contacts Internal Switch(s): 2 Sets of Two Switches Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS) Termination: Solder Insulation Color: Black Actual Diameter: 0.142" (3.60mm) Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone Part Status: Active | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ-360-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM PHONE JACK Packaging: Bag Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts Internal Switch(s): Single Switch Signal Lines: Mono Termination: Solder Eyelet(s) Actual Diameter: 0.142" (3.60mm) Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-362-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM AUDIO JACK Packaging: Bag Features: Board Guide Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts Internal Switch(s): Two Switches Signal Lines: Mono Termination: Solder Actual Diameter: 0.142" (3.60mm) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-370-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM MONO JACK Packaging: Bag Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts Internal Switch(s): Single Switch Signal Lines: Mono Termination: Kinked Pin, Solder Actual Diameter: 0.142" (3.60mm) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-372-NL | RDI Electronics | Audio Jacks - 3.5mm | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ-372-NL | RDI Electronics | Audio Jacks - 3.5mm | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ-500-NL | RDI Electronics | JACKS - AUDIO JACKS - 3.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-500-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM STEREO JACK Packaging: Tray Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Operating Temperature: -25°C ~ 100°C Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts Internal Switch(s): Two Switches Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS) Termination: Kinked Pin, Solder Industry Recognized Mating Diameter: 3.20mm ID, 9.00mm OD (RCA) Part Status: Active | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ-B57-NL | RDI, Inc. | Description: 3.5MM JACK Packaging: Bag Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts Internal Switch(s): Two Switches Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS) Termination: Solder Tabs Actual Diameter: 0.142" (3.60mm) Industry Recognized Mating Diameter: 3.50mm (0.141", 1/8", Mini Plug) - Headphone Part Status: Active | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ-BK | Altech | Relay Sockets & Fixings BLACK JUMPER For RSM | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ-BK | Altech Corporation | Description: JUMPER FOR RSM BLK 20POSITION | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-E-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-E-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ E, Produktreihe RSJ Thermoelement: E Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-J-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-J-R - Thermoelement-Steckverbinder, Einbaubuchse, Typ J, Produktreihe RSJ, runde Bohrung, Standardgröße tariffCode: 85369010 Thermoelement: J productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RMJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-J-R. | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-J-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, J TYPE, RCPT tariffCode: 85366990 Thermoelement: J productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Socket Anzahl der Pins: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, min.: 0 Sensortyp: - Betriebstemperatur, max.: - usEccn: EAR99 Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-K-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-K-R - Thermoelement-Steckverbinder, Panel, Buchse, 1-reihig, Typ K, ANSI, Baureihe RSJ tariffCode: 85366990 rohsCompliant: YES Sensortyp: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausführung: Buchse Kalibrierstandard: ANSI usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: RMJ Series productTraceability: No Anschlussform: Standard Thermoelement: K Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-K-R-ROHS | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-K-R-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ K, Produktreihe RSJ Thermoelement: K Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-K-R. | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-K-R. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Socket Anzahl der Pins: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, min.: 0 Sensortyp: - Betriebstemperatur, max.: - usEccn: EAR99 Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-KI-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-KI-R - Thermoelement-Steckverbinder, Einbaubuchse, Typ K, Produktreihe RSJ, runde Bohrung, Standardgröße tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RMJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-N-R | Omega | Description: STANDARD PANEL JACKS, N TYPE, RO Packaging: Bulk Type: Specialized Accessory Type: Jack Specifications: Orange | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-N-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-N-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: N Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-NI-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-NI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ N, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: N Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-R/S-R | Omega | Description: STANDARD PANEL JACKS, R/S TYPE, Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Single Circuit Applications Type: Specialized Accessory Type: Jack Specifications: Green | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-R/S-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-R/S-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: R, S Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-R/SI-R | Omega | Description: STANDARD PANEL JACKS, R/S TYPE, Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-R/SI-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-R/SI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ R/S, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: R, S Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-T-R | Omega | Description: STANDARD PANEL JACKS, T TYPE, RO Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Single Circuit Applications Type: Specialized Accessory Type: Jack Specifications: Blue | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-T-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-T-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: T Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-TI-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-TI-R - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ T, rund, Produktreihe RSJ Thermoelement: T Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-U-R | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-U-R - Thermoelement-Steckverbinder, Einbaubuchse, Typ U, Produktreihe RSJ, runde Bohrung, Standardgröße tariffCode: 85369010 Thermoelement: U productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RSJ Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ-U-R-ROHS | OMEGA | Description: OMEGA - RSJ-U-R-ROHS - Thermoelement-Steckverbinder, Produktreihe RSJ, Einbaubuchse, rund, Typ U, Buchse Thermoelement: U Ausführung: Buchse Produktpalette: RSJ SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ10HN06 | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ10HN06TL | ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive N-Ch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ10HN06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ10HN06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ151P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | RSJ151P10TL SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ151P10TL | ROHM | Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ151P10TL | ROHM | Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ175 | 05+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| RSJ175 | 05+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| RSJ175 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | ROHM - Japan | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg | auf Bestellung 18079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V | auf Bestellung 9542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 3576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | ROHM | Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V | auf Bestellung 9190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 6743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | ROHM | Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE | auf Bestellung 6402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL LPTS | ROHM - Japan | P-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RSJ300N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE | auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ300N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ301N10FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg | auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ301N10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ301N10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ301N10TL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ301N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO263 100V 30A N-CH MOSFET | auf Bestellung 3786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ301N10TL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N06FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V Vds 40A 0.011Rds(on) 52Qg | auf Bestellung 3443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N06FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N06TL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N10FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V Vdss 40A ID TO-263(D2PAK); LPTS | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N10FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ400N10FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10TL | ROHM | Description: ROHM - RSJ400N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ400N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | RSJ400N10TL SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ400N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ4500-1BG | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RSJ4500-1BG | 05+ | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| RSJ450N04TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ450N04TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ450N04TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ450N04TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ451N04FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ451N04FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ451N04FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 40V Vdss 45A ID TO-263(D2PAK); LPTS | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ451N04FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ451N04FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ550N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ550N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V | auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ550N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ800N06TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Low Power MCU; LCD 8x64, 48Kbyte ROM, TQFP128 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: LPTS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: LPTS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: LPTS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJMPR10 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - RED Packaging: Box For Use With/Related Products: RS Series Accessory Type: Jumper | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJMPR20 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - BLUE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RSJMPR30 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - GREY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |