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TK80A08K
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TK80A08K3
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TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
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TK80A08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK80A08K3A
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TK80A08K3A(Q)
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TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
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TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
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TK80C51FA-BITekmos Inc.MCU 8-bit 80C51 CISC ROMLess 44-Pin LQFP Tray
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TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
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TK80D08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)
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TK80E06K3
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TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
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TK80E08K3
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TK80E08K3
Produktcode: 144104
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
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TK80S04K3L
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
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TK80S06K3L
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
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TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICKDIP32 0416+
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TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
auf Bestellung 2190 Stücke:
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TK8128K-70128K8
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TK82596AU3-G
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TK8279
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TK83361M
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TK83361MTLTOKO
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TK8336M-TL
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TK833L1MTLTOKOA13
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TK83854
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TK83854D
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TK83854MTLTOKO00+ SOP
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TK8401
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TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
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5+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK86287AM1G0LTOKOINC2008
auf Bestellung 1610 Stücke:
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TK8628TAMIGOL
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TK87C751-5N24TekmosMPU 80C51 CISC 8bit 20MHz 24-Pin PDIP
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TK897MG-101=P3
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK897MG-1101=P3
auf Bestellung 5000 Stücke:
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TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
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TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
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TK8A25DA
auf Bestellung 62800 Stücke:
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TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
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TK8A25DA,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.92 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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TK8A25DA,S4X(MToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
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TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 262-266 Tag (e)
1+3.40 EUR
50+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
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TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
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TK8A50
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK8A50DToshibaArray
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TK8A50D
Produktcode: 188419
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK8A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+2.94 EUR
50+1.67 EUR
100+1.51 EUR
250+1.40 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.11 EUR
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TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBATK8A50D THT N channel transistors
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.63 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4XM)ToshibaArray
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TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+2.45 EUR
50+1.78 EUR
100+1.55 EUR
250+1.36 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
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TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TK8A55DAToshibaToshiba
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TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
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TK8A60D
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK8A60DA
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK8A60DAToshibaToshiba
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TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
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TK8A60DA(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60V,VX(MToshibaTK8A60V,VX(M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK8A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK8A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
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TK8A60W,S5VX(MToshibaTK8A60W,S5VX(M
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TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
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TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+2.31 EUR
100+1.83 EUR
250+1.58 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.23 EUR
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TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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TK8A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
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TK8A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
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TK8A65DToshibaMOSFETs
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TK8A65D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
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TK8A65D(Q)ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A65D(STA4,Q,M)
Produktcode: 186460
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.53 EUR
100+2.34 EUR
250+2.15 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.68 EUR
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TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 35 Stücke:
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TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaTK8A65D(STA4,X,M)
auf Bestellung 50 Stücke:
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TK8A65D(STA4XM)ToshibaArray
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TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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TK8A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK8A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8A65WS5X(MToshibaMOSFETs
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TK8P-3.5TraktronixDescription: 8 PIN 3.5MM TERM BLOCK CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
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3+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK8P25DA
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TK8P25DA,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK8P25DA,RQ(S2ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK8P25DARQ(SToshibaMOSFET
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TK8P25DARQ(S2ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8P60W,RVQTOSHIBATK8P60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
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TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.47 EUR
74+1.94 EUR
76+1.81 EUR
77+1.73 EUR
100+1.31 EUR
250+1.24 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 15437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
13+1.46 EUR
100+1.16 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.69 EUR
100+1.30 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.39 EUR
25+2.31 EUR
100+1.71 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
10+2.42 EUR
100+1.74 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P65WRQ(SToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
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64+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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TK8Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
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TK8Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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TK8R2A06PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.25 EUR
100+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.64 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
50+1.30 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0061 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.95 EUR
100+1.53 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
50+1.68 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8S06K3L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8S06K3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
auf Bestellung 9946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.57 EUR
100+1.22 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.81 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 3738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.80 EUR
10+1.81 EUR
100+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH