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TK80A08K
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TK80A08K3
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TK80A08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
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TK80A08K3A
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TK80A08K3A(Q)
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TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
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TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
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TK80C51FA-BITekmos Inc.MCU 8-bit 80C51 CISC ROMLess 44-Pin LQFP Tray
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TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
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TK80D08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)
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TK80E06K3
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TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
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TK80E08K3
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TK80E08K3
Produktcode: 144104		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
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TK80S04K3L
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
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TK80S06K3L
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
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TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICKDIP32 0416+
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TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
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TK8128K-70128K8
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TK82596AU3-G
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TK8279
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TK83361M
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TK83361MTLTOKO
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TK8336M-TL
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TK833L1MTLTOKOA13
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TK83854
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TK83854D
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK83854MTLTOKO00+ SOP
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TK8401
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TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
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5+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK86287AM1G0LTOKOINC2008
auf Bestellung 1610 Stücke:
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TK8628TAMIGOL
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK897MG-101=P3
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TK897MG-1101=P3
auf Bestellung 5000 Stücke:
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TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
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TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
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TK8A25DA
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TK8A25DA,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
auf Bestellung 1187 Stücke:
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25+2.1 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
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TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
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TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
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TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
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TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
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TK8A50
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8A50DToshibaToshiba
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TK8A50D
Produktcode: 188419		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK8A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
50+ 1.43 EUR
57+ 1.27 EUR
65+ 1.1 EUR
69+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
50+ 3.11 EUR
100+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
20+ 2.65 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.64 EUR
2500+ 1.61 EUR
5000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.6 EUR
50+ 1.43 EUR
57+ 1.27 EUR
65+ 1.1 EUR
69+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TK8A50D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8A50D(STA4XM)ToshibaToshiba
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TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.58 EUR
2500+ 1.57 EUR
5000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK8A55DAToshibaToshiba
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TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
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TK8A60D
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8A60DA
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8A60DAToshibaToshiba
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TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
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TK8A60DA(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
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TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60V,VX(MToshibaTK8A60V,VX(M
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W,S5VX(MToshibaTK8A60W,S5VX(M
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 78
TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A65DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A65D(Q)ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A65D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A65D(STA4,Q,M)
Produktcode: 186460		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.59 EUR
11+ 4.81 EUR
100+ 4.11 EUR
250+ 3.54 EUR
500+ 3.09 EUR
1000+ 2.54 EUR
5000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.69 EUR
10+ 4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8A65D(STA4XM)ToshibaToshiba
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TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
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TK8A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
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TK8A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK8P-3.5TraktronixDescription: 8 PIN 3.5MM TERM BLOCK CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK8P25DA
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8P25DA,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK8P25DA,RQ(S2ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P25DARQ(SToshibaMOSFET
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TK8P25DARQ(S2ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60W,RVQTOSHIBATK8P60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P60W5,RVQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.42 EUR
250+ 2.25 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.75 EUR
2000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.89 EUR
6000+ 1.82 EUR
10000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.61 EUR
74+ 2.05 EUR
76+ 1.92 EUR
77+ 1.82 EUR
100+ 1.38 EUR
250+ 1.31 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.85 EUR
3000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 60
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 15673 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.7 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.45 EUR
1000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.67 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK8P65W,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.73 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.11 EUR
2000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK8P65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK8P65WRQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK8Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
TK8Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
TK8Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK8Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8R2A06PL,S4XToshibaMOSFET N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.04 EUR
2500+ 0.98 EUR
5000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
TK8R2A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
50+ 1.9 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK8R2A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0061 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8R2E06PL,S1XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.81 EUR
23+ 2.29 EUR
100+ 1.78 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.23 EUR
2500+ 1.17 EUR
5000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19
TK8R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK8R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK8S06K3L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK8S06K3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
19+ 2.76 EUR
100+ 2.14 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.4 EUR
2000+ 1.31 EUR
4000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
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