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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK80A08K
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TK80A08K3
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TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
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TK80A08K3A
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TK80A08K3A(Q)
auf Bestellung 200000 Stücke:
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TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
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TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
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TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
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TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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TK80E06K3
auf Bestellung 10 Stücke:
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TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
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TK80E08K3
Produktcode: 144104
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK80E08K3
auf Bestellung 291 Stücke:
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TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
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TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
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TK80S04K3L
auf Bestellung 10000 Stücke:
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
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TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK80S06K3L
auf Bestellung 6000 Stücke:
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
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TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
auf Bestellung 2190 Stücke:
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TK8128K-70128K8
auf Bestellung 2190 Stücke:
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TK82596AU3-G
auf Bestellung 744 Stücke:
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TK8279
auf Bestellung 150 Stücke:
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TK83361M
auf Bestellung 10 Stücke:
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TK83361MTLTOKO
auf Bestellung 2500 Stücke:
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TK8336M-TL
auf Bestellung 2193 Stücke:
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TK833L1MTLTOKOA13
auf Bestellung 498 Stücke:
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TK83854
auf Bestellung 275 Stücke:
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TK83854D
auf Bestellung 285 Stücke:
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TK83854MTLTOKO00+ SOP
auf Bestellung 777 Stücke:
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TK83PD1AABBCircuit Breaker Accessories K FRAME PLUG-IN BASE ASSMB HORIZONT
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TK8401
auf Bestellung 28 Stücke:
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TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
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5+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK86287AM1G0LTOKOINC2008
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TK8628TAMIGOL
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK87C751-5N24TekmosMPU 80C51 CISC 8bit 20MHz 24-Pin PDIP
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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TK897MG-101=P3
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK897MG-1101=P3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
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TK8A25DA
auf Bestellung 62800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
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TK8A25DA,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2 EUR
100+1.83 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.19 EUR
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TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK8A50DToshiba
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TK8A50D
Produktcode: 188419
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
50+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 40W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.64 EUR
56+1.54 EUR
67+1.27 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
250+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4XM)ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A55DAToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60D
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DAToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.02 EUR
61+3.86 EUR
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.83 EUR
100+2.15 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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78+2.25 EUR
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TK8A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
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TK8A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
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TK8A65DToshibaMOSFETs
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TK8A65D(Q)
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TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
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1+5.28 EUR
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TK8A65D(STA4,Q,M)
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
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4+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaTK8A65D(STA4,X,M)
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TK8A65D(STA4XM)ToshibaArray
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TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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7+3.19 EUR
50+1.7 EUR
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TK8A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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