Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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A2I08H040NR1 | NXP | RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGU8051X | NXP |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BGA2817,115 | NXP |
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auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGU7258X | NXP |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGA5H1BN6E6327XTSA1 | NXP |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
A3M40PD012T7 | NXP | ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAP64-02 | NXP | PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH |
auf Bestellung 2019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAP64-03 | NXP | PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAP64-04,215 | NXP |
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auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TL431BQDBZR,215 | NXP |
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auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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8MMINID4-EVK | NXP | 8MMINID4-EVK NXP development kits |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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8MMINILPD4-EVK | NXP |
![]() Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M Kind of architecture: Cortex A53/M4 Type of development kit: ARM NXP Processor: i.MX8 M Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
8MNANOD4-EVK | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT05MP075GNR1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT05MP075NR1 | NXP |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 690W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhancement Output power: 70W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.5dB Efficiency: 68.5% Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT05MS004NT1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT05MS006NT1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT09MP055GNR1 | NXP |
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AFT09MP055NR1 | NXP |
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AFT09MS031GNR1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT09MS031NR1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT20S015GNR1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT27S006NT1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT27S010NT1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT27S012NT1 | NXP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AFT31150NR5 | NXP |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT Frequency: 3100MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 17.2dB Output power: 150W Power dissipation: 741W Efficiency: 49% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Case: OM780-2 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BAP50-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP50-04,215 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: double series Power dissipation: 0.25W Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP51-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 60V Load current: 50mA Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7545 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP51-03,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOD323 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 0.5W Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3405 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP64-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 715mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BAP64-03,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Case: SOD323 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 0.5W Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP64-05,215 | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BAP64-06,215 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; double Power dissipation: 0.25W Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1645 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP65-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.1A Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.9V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP65-03,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.1A Case: SOD323 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.9V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 0.5W Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BAP70-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.9V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 415mW Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 908 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BB135.115 | NXP |
![]() Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 30V Load current: 20mA Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Capacitance: 1.7...21pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BB173X | NXP |
![]() Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Mounting: SMD Case: SOD523 Capacitance: 2.36...42.35pF Max. off-state voltage: 32V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA Kind of package: reel; tape Type of diode: varicap Features of semiconductor devices: RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3937 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BB208-02,115 | NXP |
![]() Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Mounting: SMD Case: SOD523 Capacitance: 4.5...23.2pF Max. off-state voltage: 10V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA Kind of package: reel; tape Type of diode: varicap Features of semiconductor devices: RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BBY40,215 | NXP |
![]() Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 4.3...32pF Max. off-state voltage: 30V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20nA Kind of package: reel; tape Type of diode: varicap Features of semiconductor devices: RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFT25,215 | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 5V Collector current: 6.5mA Power dissipation: 30mW Case: SOT23 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 2.3GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5376 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU520XAR | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BFU530WX | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2928 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9194 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU580GX | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8.5GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz Mounting: SMD Current gain: 90...180 Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2834 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Mounting: SMD Current gain: 160...400 Collector-emitter voltage: 2.8V Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) Collector current: 40mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2692 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CLEV6630BM | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
CLRC66303HNE | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
CWH-UTP-ONCE-HE | NXP |
![]() Description: Dev.kit: Freescale; integrated programmer/debugger Interface: USB Programmers and development kits features: integrated programmer/debugger Type of development kit: Freescale Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FRDM-K32L2B3 | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FRDM-KV11Z | NXP |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HTRC11001T/03EE,11 | NXP |
![]() Description: IC: HITAG chip reader; SMD; SO14; 4.5÷5.5V Type of integrated circuit: HITAG chip reader Mounting: SMD Case: SO14 Operating voltage: 4.5...5.5V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IMXRT1050-EVKB | NXP |
![]() Description: Dev.kit: ARM NXP; USB A-USB B micro cable,base board Interface: CAN; Ethernet; JTAG; USB Host; USB OTG Kind of architecture: Cortex A7 Type of development kit: ARM NXP Processor: I.MXRT1052 Kind of connector: Jack 3,5mm; pin strips; pin strips; power supply; RJ45; SD Memory: 32MB RAM; 64MB FLASH Kit contents: base board; USB A - USB B micro cable Programmers and development kits features: audio codec; condenser microphone Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
K32L2B31VFM0A | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
K32L2B31VFT0A | NXP |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
A2I08H040NR1 |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 281.60 EUR |
10+ | 246.40 EUR |
100+ | 228.80 EUR |
BGU8051X |
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Hersteller: NXP
ИМС ВЧ WFDFN-8 RF LNA 0,3-1,5 GHz, Nf=0,43dB
ИМС ВЧ WFDFN-8 RF LNA 0,3-1,5 GHz, Nf=0,43dB
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA2817,115 |
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Hersteller: NXP
ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,1dB, Nf=3,9dB, P1dB=5dBm
ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,1dB, Nf=3,9dB, P1dB=5dBm
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.82 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
BGU7258X |
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Hersteller: NXP
ІМС 6-HXSON RF Amplifier low-noise with bypass, 5-6 GHz, Nf=1,6 dB, Vs=3-3,6 V
ІМС 6-HXSON RF Amplifier low-noise with bypass, 5-6 GHz, Nf=1,6 dB, Vs=3-3,6 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.82 EUR |
BGA5H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: NXP
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
A3M40PD012T7 |
Hersteller: NXP
ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A
ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 25.34 EUR |
10+ | 23.94 EUR |
100+ | 21.12 EUR |
BAP64-02 |
Hersteller: NXP
PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH
PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.61 EUR |
10+ | 0.53 EUR |
100+ | 0.47 EUR |
BAP64-03 |
Hersteller: NXP
PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH
PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.32 EUR |
BAP64-04,215 |
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Hersteller: NXP
PIN Diode (two series) SOT-23 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,4 nH
PIN Diode (two series) SOT-23 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,4 nH
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.16 EUR |
10+ | 0.99 EUR |
100+ | 0.84 EUR |
TL431BQDBZR,215 |
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Hersteller: NXP
ИМС SOT23-3 Adjustable precision shunt regulator, Tol=±0.5%, Iout=100 mA
ИМС SOT23-3 Adjustable precision shunt regulator, Tol=±0.5%, Iout=100 mA
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.63 EUR |
10+ | 0.56 EUR |
100+ | 0.53 EUR |
8MMINID4-EVK |
Hersteller: NXP
8MMINID4-EVK NXP development kits
8MMINID4-EVK NXP development kits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
8MMINILPD4-EVK |
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Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Type of development kit: ARM NXP
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Type of development kit: ARM NXP
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8MNANOD4-EVK |
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Hersteller: NXP
8MNANOD4-EVK NXP development kits
8MNANOD4-EVK NXP development kits
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AFT05MP075GNR1 |
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Hersteller: NXP
AFT05MP075GNR1 SMD N channel transistors
AFT05MP075GNR1 SMD N channel transistors
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AFT05MP075NR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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AFT05MS004NT1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT05MS004NT1 SMD N channel transistors
AFT05MS004NT1 SMD N channel transistors
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AFT05MS006NT1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT05MS006NT1 SMD N channel transistors
AFT05MS006NT1 SMD N channel transistors
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AFT05MS031GNR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT05MS031GNR1 SMD N channel transistors
AFT05MS031GNR1 SMD N channel transistors
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AFT09MP055GNR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT09MP055GNR1 SMD N channel transistors
AFT09MP055GNR1 SMD N channel transistors
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AFT09MP055NR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT09MP055NR1 SMD N channel transistors
AFT09MP055NR1 SMD N channel transistors
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AFT09MS031GNR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT09MS031GNR1 SMD N channel transistors
AFT09MS031GNR1 SMD N channel transistors
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AFT09MS031NR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT09MS031NR1 SMD N channel transistors
AFT09MS031NR1 SMD N channel transistors
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AFT20S015GNR1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT20S015GNR1 SMD N channel transistors
AFT20S015GNR1 SMD N channel transistors
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AFT27S006NT1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT27S006NT1 SMD N channel transistors
AFT27S006NT1 SMD N channel transistors
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AFT27S010NT1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT27S010NT1 SMD N channel transistors
AFT27S010NT1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AFT27S012NT1 |
![]() |
Hersteller: NXP
AFT27S012NT1 SMD N channel transistors
AFT27S012NT1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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AFT31150NR5 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17.2dB
Output power: 150W
Power dissipation: 741W
Efficiency: 49%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Case: OM780-2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17.2dB
Output power: 150W
Power dissipation: 741W
Efficiency: 49%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Case: OM780-2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BAP50-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
170+ | 0.41 EUR |
220+ | 0.33 EUR |
605+ | 0.12 EUR |
BAP50-04,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
600+ | 0.12 EUR |
865+ | 0.08 EUR |
985+ | 0.07 EUR |
1115+ | 0.06 EUR |
1195+ | 0.06 EUR |
BAP51-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
177+ | 0.41 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
309+ | 0.23 EUR |
486+ | 0.15 EUR |
516+ | 0.14 EUR |
3000+ | 0.13 EUR |
BAP51-03,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
414+ | 0.17 EUR |
435+ | 0.16 EUR |
BAP64-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BAP64-03,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
264+ | 0.27 EUR |
424+ | 0.17 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
625+ | 0.11 EUR |
21000+ | 0.10 EUR |
BAP64-05,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
BAP64-05.215 Diodes - others
BAP64-05.215 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BAP64-06,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
334+ | 0.21 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
435+ | 0.16 EUR |
532+ | 0.13 EUR |
863+ | 0.08 EUR |
910+ | 0.08 EUR |
BAP65-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
136+ | 0.53 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
278+ | 0.26 EUR |
295+ | 0.24 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
BAP65-03,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
327+ | 0.22 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
BAP70-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 415mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 415mW
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
323+ | 0.22 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
BB135.115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BB173X |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 2.36...42.35pF
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 2.36...42.35pF
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
99+ | 0.73 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
180+ | 0.40 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
BB208-02,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 4.5...23.2pF
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 4.5...23.2pF
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BBY40,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4.3...32pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4.3...32pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
BFT25,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5V
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Case: SOT23
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.3GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5V
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Case: SOT23
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.3GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
189+ | 0.37 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
BFU520AR |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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112+ | 0.64 EUR |
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194+ | 0.37 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
BFU520XAR |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
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BFU530WX |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
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71+ | 1.02 EUR |
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195+ | 0.37 EUR |
BFU550AR |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+ | 0.14 EUR |
BFU580GX |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BFU590GX |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
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BFU630F,115 |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...180
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...180
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
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3000+ | 0.40 EUR |
BFU725F/N1,115 |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Mounting: SMD
Current gain: 160...400
Collector-emitter voltage: 2.8V
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Collector current: 40mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Mounting: SMD
Current gain: 160...400
Collector-emitter voltage: 2.8V
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Collector current: 40mA
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105+ | 0.69 EUR |
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243+ | 0.29 EUR |
257+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.27 EUR |
CLEV6630BM |
![]() |
Hersteller: NXP
CLEV6630BM NXP development kits
CLEV6630BM NXP development kits
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Stück im Wert von UAH
CLRC66303HNE |
![]() |
Hersteller: NXP
CLRC66303HNE Interfaces others - integrated circuits
CLRC66303HNE Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CWH-UTP-ONCE-HE |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: Freescale; integrated programmer/debugger
Interface: USB
Programmers and development kits features: integrated programmer/debugger
Type of development kit: Freescale
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: Freescale; integrated programmer/debugger
Interface: USB
Programmers and development kits features: integrated programmer/debugger
Type of development kit: Freescale
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FRDM-K32L2B3 |
![]() |
Hersteller: NXP
FRDM-K32L2B3 NXP development kits
FRDM-K32L2B3 NXP development kits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FRDM-KV11Z |
![]() |
Hersteller: NXP
FRDM-KV11Z Solutions Compatible with Arduino
FRDM-KV11Z Solutions Compatible with Arduino
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.50 EUR |
HTRC11001T/03EE,11 |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: HITAG chip reader; SMD; SO14; 4.5÷5.5V
Type of integrated circuit: HITAG chip reader
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating voltage: 4.5...5.5V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: HITAG chip reader; SMD; SO14; 4.5÷5.5V
Type of integrated circuit: HITAG chip reader
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating voltage: 4.5...5.5V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IMXRT1050-EVKB |
![]() |
Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; USB A-USB B micro cable,base board
Interface: CAN; Ethernet; JTAG; USB Host; USB OTG
Kind of architecture: Cortex A7
Type of development kit: ARM NXP
Processor: I.MXRT1052
Kind of connector: Jack 3,5mm; pin strips; pin strips; power supply; RJ45; SD
Memory: 32MB RAM; 64MB FLASH
Kit contents: base board; USB A - USB B micro cable
Programmers and development kits features: audio codec; condenser microphone
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; USB A-USB B micro cable,base board
Interface: CAN; Ethernet; JTAG; USB Host; USB OTG
Kind of architecture: Cortex A7
Type of development kit: ARM NXP
Processor: I.MXRT1052
Kind of connector: Jack 3,5mm; pin strips; pin strips; power supply; RJ45; SD
Memory: 32MB RAM; 64MB FLASH
Kit contents: base board; USB A - USB B micro cable
Programmers and development kits features: audio codec; condenser microphone
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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K32L2B31VFM0A |
![]() |
Hersteller: NXP
K32L2B31VFM0A ARM NXP microcontrollers
K32L2B31VFM0A ARM NXP microcontrollers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K32L2B31VFT0A |
![]() |
Hersteller: NXP
K32L2B31VFT0A ARM NXP microcontrollers
K32L2B31VFT0A ARM NXP microcontrollers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH